RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Ж. вычисл. матем. и матем. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 2012, том 52, номер 9, страницы 1666–1675 (Mi zvmmf9737)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Анализ рассеивающих свойств внедренных частиц методом дискретных источников

Н. В. Гришина, Ю. А. Еремин, А. Г. Свешников

119991 Москва, Ленинские горы, МГУ, физ. ф-т

Аннотация: Строится численная схема метода дискретных источников для математического моделирования рассеивающих свойств наночастиц, заглубленных в подложку. Проводится анализ, как дифференциальных, так и интегральных рассеивающих характеристик частиц различной степени заглубленности. Показано, что можно отличать заглубленные частицы от расположенных на подложке используя $P$-поляризацию внешнего возбуждения и два угла падения волны. Библ. 3. Фиг. 6.

Ключевые слова: метод дискретных источников, рассеяние поляризованного излучения, численный эксперимент, внедренные частицы.

Полный текст: PDF файл (439 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Computational Mathematics and Mathematical Physics, 2012, 52:9, 1295–1303

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 519.634
Поступила в редакцию: 19.03.2012

Образец цитирования: Н. В. Гришина, Ю. А. Еремин, А. Г. Свешников, “Анализ рассеивающих свойств внедренных частиц методом дискретных источников”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 52:9 (2012), 1666–1675; Comput. Math. Math. Phys., 52:9 (2012), 1295–1303

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriEreSve12}
\by Н.~В.~Гришина, Ю.~А.~Еремин, А.~Г.~Свешников
\paper Анализ рассеивающих свойств внедренных частиц методом дискретных источников
\jour Ж. вычисл. матем. и матем. физ.
\yr 2012
\vol 52
\issue 9
\pages 1666--1675
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/zvmmf9737}
\mathscinet{http://www.ams.org/mathscinet-getitem?mr=3247694}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=17888656}
\transl
\jour Comput. Math. Math. Phys.
\yr 2012
\vol 52
\issue 9
\pages 1295--1303
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0965542512090047}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000308818400006}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=20482942}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84866500376}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/zvmmf9737
  • http://mi.mathnet.ru/rus/zvmmf/v52/i9/p1666

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Ю. А. Еремин, А. Г. Свешников, “Формирование ближнего поля в задачах наноструктурирования кремниевых подложек посредством коллоидных частиц”, Матем. моделирование, 29:6 (2017), 103–114  mathnet  elib; Yu. A. Eremin, A. G. Sveshnikov, “Near field formation via colloid particles in the problems of silicon substrates nanoprocessing”, Math. Models Comput. Simul., 10:1 (2018), 36–44  crossref
  • Журнал вычислительной математики и математической физики Computational Mathematics and Mathematical Physics
    Просмотров:
    Эта страница:162
    Полный текст:41
    Литература:37
    Первая стр.:17
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020