Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


1985, том 19, выпуск 4  


Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы
И. Б. Хайбуллин, Л. С. Смирнов
569
Глубокие уровни в РbТе
Ф. Ф. Сизов, С. В. Пляцко, В. М. Лакеенков
592
Энергетические уровни селена в кремнии
Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно
597
Исследование влияния несоответствия параметров решеток эпитаксиальных слоев на люминесцентные свойства гетероструктур InGaAsP/InP, излучающих на длине волны ${\lambda=1.5}$ мкм
В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, А. А. Телегин, В. А. Оганджанян, М. В. Карачевцева, Л. Ф. Михалева, В. И. Петров, В. А. Прохоров
601
Исследование глубоких центров в приповерхностных слоях $n$-кремния, облученного электронами
Г. А. Тахмазиди
608
Переход полупроводник–диэлектрик в слабо легированных термообработанных полупроводниках
Н. Т. Баграев, В. А. Машков, К. В. Муковников
611
Влияние структурного совершенства слоев сульфида и селенида свинца на квантовый выход излучательной рекомбинации при комнатной температуре
С. И. Золотов, А. Н. Ковалев, В. И. Парамонов, А. Э. Юнович
616
Спектры оптического поглощения и зонная структура PbSe
Т. Р. Глобус, А. О. Олеск
621
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$)
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, В. Л. Кузнецов, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили
627
ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра Fe ($3d^{8}$) в GaP
В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах
632
Особенности поперечного эффекта Нернста–Эттингснаузена в условиях сильного резонансного рассеяния в РbТе$\langle$Tl$\rangle$
С. А. Немов, Ю. И. Равич, А. М. Зайцев
636
О температурной зависимости параметров междолинной релаксации электронов в кремнии
Н. Н. Григорьев, И. П. Жадько, В. А. Романов, Б. К. Сердега, Л. В. Шеховцов
642
О механизме фоточувствительности полупроводникового алмаза при комнатной температуре
О. И. Смирнова, Э. Э. Годик, А. Г. Гонтарь
646
Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, содержащих ориентированные краевые дислокации
А. С. Балтенков, В. Б. Гилерсон
651
Исследование температурной зависимости скорости ультразвука в расплавах селена и теллура
В. М. Глазов, С. Г. Ким
656
Исследование эффекта Холла антимонидов алюминия, галлия и индия в твердом и жидком состояниях
В. М. Глазов, В. В. Кольцов, В. А. Курбатов
662
Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, М. З. Жингарев, Л. Е. Клячкин, В. В. Мамутин, Н. М. Сараджишвили, В. И. Скопина, О. В. Сулима, Н. М. Шмидт
668
Радиационно-стимулированная диффузия атомов в контакте металл–полупроводник
И. К. Синищук, Г. Е. Чайка, Ф. С. Шишияну
674
Эффект заполнения примесных уровней в спектрах поверхностно-барьерного электроотражения GaAs
А. М. Евстигнеев, П. А. Генцар, С. А. Груша, Р. В. Конакова, А. Н. Красико, О. В. Снитко
678
Особенности спектров плотности поверхностных состояний структур Si$-$SiO$_{2}$, облученных ионами Ar$^{+}$ различной энергии
Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, Ю. Д. Вулис, Г. Н. Галкин
682
Ослабление инжекции и эксклюзия, стимулированные магнитным полем
В. Н. Добровольский, Д. Л. Воробьев, С. П. Павлюк
687
О механизме образования термодоноров в содержащем кислород кремнии
В. В. Батавин, Э. А. Кочина, З. А. Сальник
692
Примесная оже-рекомбинация в кремнии
М. В. Стриха
697
Межпримесная передача возбуждений в приповерхностном слое монокристаллов CdS, очувствленных отжигом в водороде
В. В. Дякин, Е. А. Сальков, С. М. Скляров, В. А. Хвостов, В. Д. Фурсенко, Н. С. Хилимова
703
Функции распределения горячих дырок в германии в скрещенных E и H полях
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов
708
Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами
Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев
715
Поляризация люминесценции $n$-InSb в сильном магнитном поле при двухфотонной накачке
М. А. Алексеев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, И. А. Меркулов, А. О. Степанов
722
Пропускание интенсивного света плоскопаралелльной полупроводниковой пластинкой при наличии нелинейного поглощения и рефракции
И. П. Арешев
729

Краткие сообщения
Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированных токов
В. П. Кузнецов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. А. Фридман, Г. В. Шепекина
735
Релаксация импульсной фотоэдс в CdS при высоких уровнях возбуждения
Е. Л. Лебедева, В. М. Молдавская, Ю. А. Степанов
737
Механизмы диффузии ионно-внедренного бора в кремнии
В. Ф. Стельмах, Ю. Р. Супрун-Белевич, В. Д. Ткачев, А. Р. Челядинский
739
Особенности фотомагнитного эффекта в варизонных структурах GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
Р. С. Габараев, В. А. Калухов, С. И. Чикичев
742
Энергетический спектр поверхностных состояний в запрещенной зоне кремния на межфазовой границе кремний–двуокись кремния
В. Я. Урицкий
744
« Предельные» электрические параметры GaP, облученного электронами
В. Н. Брудный, В. А. Новиков
747
Возбужденные состояния примеси Se в Ge
Н. Б. Радчук, А. Ю. Ушаков
749
Свойства МДП структур со ступенчатым диэлектриком
А. Я. Шик
750
Влияние засветки на формирование спектров фотопроводимости в монокристаллах CdS и роль мелких доноров в этом процессе
Б. В. Новиков, Е. А. Убушиев, А. Е. Чередниченко
753
Неупругий захват электронов мелкими нейтральными примесями в полупроводниках при пьезоэлектрическом взаимодействии
Е. В. Гольдгур, Р. И. Рабинович
756
Релаксация тока в $n{-}\nu{-}n$-структурах на основе компенсированного кремния, связанная с нарушением нейтральности
С. С. Джунаидов, Н. А. Урманов
759
Влияние ультразвука на акустические характеристики кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Я. М. Олих, Е. А. Сальков, К. Р. Курбанов
762
Магнитооптические осцилляции фарадеевского вращения в кристаллах InSe
А. И. Савчук, П. П. Ватаманюк, Н. П. Гавалешко, М. С. Кица
765
Термодоноры в кремнии, легированном эрбием
В. В. Петров, В. С. Просолович, В. Д. Ткачев, Г. С. Цырулькевич, Ю. А. Карпов
767
Влияние углерода на время жизки неосновных носителей тока в термообработанном кислородосодержащем кремнии
К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, З. А. Сальник, С. И. Скрыль, А. Л. Трошин
770
Зависимость параметров закона дисперсии Килдал–Боднара от величины тетрагонального сжатия в халькопиритах
А. М. Полуботко
772
Фотопроводимость с линейчатым спектром, возбуждаемая монохроматическим и фоновым излучениями
Ш. М. Коган
775
Дислокационная структура и остаточные изменения электрических свойств германия после воздействия лазерных ударных волн
Н. И. Васильевская, А. В. Полянинов, В. Д. Хвостикова, В. А. Янушкевич, Е. И. Кузьмин
777
Исправление к статье «Об избыточных донорах в трансмутационно легированном кремнии, выращенном по методу Чохральского» (ФТП, 1984, том 18, вып. 9, с. 1642–1646)
Н. И. Акулович, М. А. Мороховец
780
Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022