Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


1990, том 24, выпуск 1  


Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких температурах (Обзор)
Ю. М. Гальперин, Е. М. Гершензон, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская
3
Нелинейность краевого поглощения CdSe
Н. Р. Кулиш, М. П. Лисица, Н. И. Малыш, Б. М. Булах
25
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
З. М. Хакимов, Д. С. Пулатова, М. К. Адилов, А. Ш. Махмудов, А. А. Левин, М. С. Юнусов
29
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
Т. Р. Глобус, А. О. Олеск, С. А. Олеск
37
\glqqПроявление» скоплений атомов электрически не активных примесей в $n$-кремнии при $\gamma$-облучении
45
Гальваномагнитные эффекты в сплаве $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te ($x=0.2$), облученном электронами
Н. Б. Брандт, Е. П. Скипетров, Е. И. Слынько, А. Г. Хорош, В. И. Штанов
51
Поляризованная люминесценция размерно-квантованных гетероструктур
Ф. Т. Васько, Г. И. Стебловский
59
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых $p^{+}{-}n$-переходов
Ю. С. Мельникова
66
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
В. Д. Ахметов, В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов
72
Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
В. А. Быковский, Л. А. Иванютин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, И. Н. Цыпленков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
77
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном $n$-GaAs
А. В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, В. Г. Шофман
82
Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te
Н. Л. Баженов, Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов
93
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs
А. Н. Баранов, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев
98
Влияние давления на электрофизические свойства Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se ($x=0.25$), облученного электронами, в диэлектрической фазе
В. П. Дубков, Е. П. Скипетров
104
Тензоэлектрические явления в контактах металл$-$арсенид галлия при анизотропном давлении
А. П. Вяткин, И. В. Крылова, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов, В. И. Филатов
109
К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой
В. И. Рыжий, Е. А. Семыкина
115
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. П. Городничий, С. М. Комиренко
121
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко
126
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов
131
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
А. Г. Абдукадыров, С. Д. Барановский, Е. Л. Ивченко
136
Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
В. И. Кайданов, С. А. Рыков, М. А. Рыкова, О. В. Сюрис
144
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников
152
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Клочкова, Ю. В. Маркин
159
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
Б. Н. Либенсон, М. Т. Нормурадов, А. С. Рысбаев
166
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых ультразвуковой обработке
А. В. Любченко, К. А. Мысливец, Я. М. Олих
171
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
Г. А. Соколина, А. А. Ботев, Л. Л. Буйлов, С. В. Банцеков, О. И. Лазарева, А. Ф. Белянин
175
Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах
В. В. Михнович, Т. В. Фирсова
181

Краткие сообщения
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако
185
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия
Н. Г. Колин, И. А. Королева, А. В. Марков, В. Б. Освенский
187
Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном фотовозбуждении неоднородных полупроводников
Н. Н. Григорьев, Т. А. Кудыкина, А. В. Любченко
190
Поляриметрический фотоприемник
Т. С. Гертович, С. И. Гринева, Г. П. Комиссаров, В. А. Манассон, А. Д. Огородник, К. Д. Товстюк, Е. С. Шарлай
192
Определение концентрации марганца в твердых растворах Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te методом электроотражения
Л. П. Авакянц, С. В. Александрович, Э. И. Велиюлин, А. Д. Ефимов, Е. Н. Холина, В. А. Чапнин
193
Зеемановское расщепление $3\Gamma_{8}^{-}$-состояния мелких акцепторов в германии
В. П. Васильев, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов
196
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках
Б. Л. Гельмонт, А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос
198
(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко
201
Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках
В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян
203
Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022