Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


1990, том 24, выпуск 4  


Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe (Обзор)
И. М. Цидильковский
593
Редкоземельные элементы в полупроводниках A$^{III}$B$^{V}$ (Обзор)
В. Ф. Мастеров, Л. Ф. Захаренков
610
Расчет аномального эффекта Холла при комнатной температуре в термообработанном образце $n$-Ge
Си-фу Ван, Сюй Сии, Вэй Цзян
631
Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
Н. А. Варванин, В. Н. Губанков, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Н. А. Мордовец
635
Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, А. Я. Шик
638
Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
Б. С. Кондратьев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, М. Л. Тиранов
647
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
Н. А. Берт, В. В. Воробьева, М. В. Воронцова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, Д. Ж. Сайфидинов, И. П. Сошников, А. Я. Шик
653
Особенности температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике, содержащем амфотерную $U^{-}$-примесь
А. Г. Гончарова, В. В. Зуев
660
Термоэдс теллурида ртути в магнитном поле
Н. А. Городилов, Л. И. Доманская, Э. А. Нейфельд, Н. Г. Шелушинина
664
Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в $6H$-SiC
А. П. Крохмаль, В. П. Кошеленко
669
Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике
Ф. М. Гашимзаде, Р. С. Надирзаде, Т. Г. Исмаилов, В. И. Белецкий, С. Т. Павлов
673
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
А. А. Степуренко, К. М. Алиев, Н. С. Абакарова
678
Поляризованная субмиллиметровая люминесценция горячих дырок
Ф. Т. Васько
682
Проводимость $n$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в магнитных полях, превышающих поле перехода металл$-$диэлектрик
Б. А. Аронзон, Ю. Г. Арапов, М. Л. Зверева, М. С. Никитин, И. М. Цидильковский, Н. К. Чумаков
687
Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей
А. М. Белянцев, Ю. Ю. Романова
692
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl $n$-типа
Н. В. Агринская, В. В. Шашкова
697
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального $p$-GeAs : Ge
К. С. Журавлев, Б. В. Морозов, А. С. Терехов, Н. А. Якушева
702
Температурная и концентрационная зависимости положения линии излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S
В. А. Яковлев, С. В. Яковлев
706
Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, В. Е. Челноков, С. В. Чернышев, Ю. М. Шерняков
710
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов
717
Электропроводность $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле
В. Денис, З. Мартунас, А. Шяткус
720
Микроплазмы в идеально однородных $p{-}i{-}n$-структурах
В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, В. В. Осипов
724
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim 100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
И. А. Баранов, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, С. О. Цепелевич, Л. Н. Шахлевич
731
Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур
Г. П. Пека, О. А. Токалин, А. И. Химичев
736
Разогрев электронного газа высокочастотным электрическим полем в активной области полупроводникового гетеролазера
В. Б. Горфинкель, И. И. Филатов
742

Краткие сообщения
Влияние облучения ионами He$^{2+}$ на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe
А. П. Оконечников, Н. Н. Мельник, Ф. Ф. Гаврилов
747
Нелинейные особенности ВАХ для барьеров с седловыми точками
Н. И. Шикина, В. Б. Шикин
749
Простой метод определения плотности поверхностных состояний по температурным измерениям ВАХ МОП транзисторов
Р. Г. Усеинов, Г. И. Зебрев
752
Особенности пьезосопротивления $\gamma$-облученного $n$-Ge при подсветке
А. В. Федосов, В. Р. Букало, Л. В. Ящинский
754
Кинетика дефектообразования в кремнии при имплантации в него ионов фосфора
Ю. Д. Дехтяр, Г. Л. Сагалович
757
Оптические свойства монокристаллов MnGa$_{2}$S$_{4}$
Н. Н. Нифтиев, О. Б. Тагиев, А. Г. Рустамов
758
Статистические моменты при квантовом туннелировании
Е. А. Дынин
761
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия при лазерном возбуждении
И. Н. Дубров, С. И. Козловский, Ю. М. Коростышевский, М. Д. Моин
763
Нелинейное поглощение инфракрасного излучения в $n$-Ge при низких температурах
С. К. Аветисян, Г. Р. Минасян, Р. Л. Энфиаджян
766
Исследование переноса дырок в аморфном гидрированном кремнии методом видикона
О. А. Голикова, А. И. Заец, М. М. Казанин, И. Н. Петров
768

Аннотации депонированных статей
Аннотации депонированных статей
772
Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022