Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


1990, том 24, выпуск 9  


Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
Н. М. Мехтиев
1505
Исследование размерности странного аттрактора и амплитудного порога синхронизации хаотических автоколебаний фототока в $n$-Ge(Ni)
С. Бумялене, К. Пирагас, А. Ченис
1509
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
А. В. Федоров, Е. Ю. Перлин
1516
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs$-$InP$-$Ag
А. Л. Мусатов, К. Р. Израэльянц, В. Л. Коротких, С. Л. Филиппов, Е. В. Руссу, И. И. Дякону
1523
Исследование долговременной релаксации фотопроводимости в Si в связи с проблемой шума $1/f$
Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев
1531
Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)
А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков
1539
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
Р. Балтрамеюнас, Э. Геразимас, А. Жукаускас, И. В. Крюкова, В. А. Теплицкий, С. Юршенас
1550
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов
1557
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов
1563
Кинетические эффекты в инжекторе с резонансным туннелированием электронов
И. Н. Долманов, В. И. Рыжий, В. И. Толстихин
1574
О состоянии европия в фосфиде индия
К. Ф. Штельмах, И. А. Терлецкий, В. В. Романов
1584
Примесные состояния таллия в Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te
М. К. Житинская, А. А. Карпов, С. А. Немов
1589
Колебательные спектры кристаллической решетки политипов соединений Zn$_{m}$In$_{2}$S$_{3+m}$
С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. Э. Львин, Ф. Г. Доника
1592
Винтовая неустойчивость в варизонных полупроводниках
С. С. Болгов, В. В. Владимиров, В. К. Малютенко, А. П. Савченко
1598
Параметры зонной структуры твердых растворов Si$_{x}$Ge$_{1-x}$
М. В. Лупал, К. Л. Лютович, М. Ф. Панов, А. Н. Пихтин, В. А. Попов
1604
Поляризованные оптические спектры монокристаллов Tl$_{3}$SbS$_{3}$
Я. О. Довгий, И. В. Китык, И. Г. Маньковская, Л. Н. Евстигнеева
1608
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
В. С. Солдатов, А. Г. Воеводин, И. Б. Варлашов, В. А. Коляда, Н. В. Соболев
1611
Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях
Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. Н. Шастин
1616
Релаксационные процессы в структурах металл$-$аморфный полупроводник$-$металл
В. И. Архипов, Д. В. Храмченков
1618
Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном селеном
К. А. Адилов, Ш. С. Турсунов
1624
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором $a$-Si : H
А. Г. Казанский, И. В. Климашин, С. В. Кузнецов
1628
Влияние центров Mn$_{Ga}$ в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, О. Г. Максимова, Е. Б. Осипов
1632
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
Р. А. Сурис, Б. С. Щамхалова
1638
Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном $p$-GaAs : Ge методом фотолюминесценции
К. С. Журавлев, С. И. Чикичев, Р. Штаске, Н. А. Якушева
1645
Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS
О. Ф. Вывенко, А. А. Истратов, А. Г. Хлебов
1650
Исследование механизмов формирования $1/f$-шума в $p{-}n$-переходах
Н. Б. Лукьянчикова, Н. П. Гарбар, М. В. Петричук, Д. И. Кропман
1659

Краткие сообщения
Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов
1668
О коэффициенте термоэдс в эпитаксиальной структуре GaP
Ш. З. Джамагидзе, Т. А. Лагвилава, Р. Р. Швангирадзе
1670
Влияние разупорядоченности на фотолюминесценцию твердых растворов In$_{1-x}$Ga$_{x}$P : Te «переходного» диапазона составов
Ю. К. Крутоголов, Т. Б. Баркова, С. А. Диордиев, Л. И. Крутоголова, Л. В. Лебедева
1673
Примесная фотопроводимость эпитаксиальных слоев Ge$_{x}$Si$_{1-x}$, легированных фосфором
В. А. Васильев, П. Е. Дышловенко, А. А. Копылов, К. Л. Лютович
1675
Люминесценция варизонных структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в условиях магнитоконцентрационного эффекта
С. С. Болгов, В. К. Малютенко, В. И. Пипа, А. П. Савченко, А. Э. Юнович
1677
Фотостимулированный поперечный радиоэлектрический эффект при межзонной подсветке
Хонг ШонНгуен
1681
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
А. В. Бродовой, В. А. Бродовой, Г. В. Лашкарев
1684
Некоторые свойства индуцированных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, В. Ю. Птицын
1685
Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si$-$Pt$_{a}$Si$_{b}$ в результате воздействия импульсной фотонной обработки
С. С. Глебов, В. В. Егоров, Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников, А. А. Свешников
1689
Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах
П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов
1691
Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022