|
Физика и техника полупроводников
| Авторы с наибольшим числом публикаций в журнале "Физика и техника полупроводников" |
| 1. |
А. А. Лебедев |
49 |
| 2. |
Ю. В. Шмарцев |
47 |
| 3. |
В. И. Иванов-Омский |
44 |
| 4. |
В. Ф. Мастеров |
42 |
| 5. |
Д. З. Гарбузов |
41 |
| 6. |
А. Я. Шик |
40 |
| 7. |
В. М. Ломако |
37 |
| 8. |
В. И. Шаховцов |
35 |
| 9. |
Б. В. Царенков |
34 |
| 10. |
В. М. Глазов |
32 |
| 11. |
В. В. Емцев |
32 |
|
40 авторов с наибольшим числом публикаций в журнале |
|
| Наиболее популярные статьи журнала "Физика и техника полупроводников" |
|
|
| 1. |
Акустическая неустойчивость в полупроводниках с неравновесной
электронно-дырочной плазмой
А. С. Бугаев, Ю. В. Гуляев, А. А. Захарова, В. И. Рыжий
Физика и техника полупроводников, 1984, 18:12, 2155–2159 | 9 |
| 2. |
Резонансное усиление звука вблизи порога автоколебаний
в полупроводниках при примесном и межзонном пробое
А. А. Захарова, Ю. И. Балкарей, А. С. Бугаев, Ю. В. Гуляев
Физика и техника полупроводников, 1983, 17:3, 413–417 | 9 |
| 3. |
Высокочастотные свойства биполярных гетеротранзисторов
при диффузионном переносе горячих электронов в базе
В. И. Рыжий, А. А. Захарова, С. Н. Панасов
Физика и техника полупроводников, 1985, 19:3, 480–485 | 8 |
| 4. |
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
В. Б. Сандомирский, М. Б. Федорова, А. Л. Филатов
Физика и техника полупроводников, 1988, 22:12, 2209–2213 | 8 |
| 5. |
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе
гетеропереходов второго типа
А. А. Захарова, В. И. Рыжий
Физика и техника полупроводников, 1992, 26:7, 1182–1190 | 7 |
| 6. |
Влияние иттербия на образование радиационных дефектов
в $p{-}n$-структурах из фосфида галлия
А. А. Гринсон, А. А. Гуткин, В. А. Касаткин, В. Г. Сидоров, С. Н. Шлихтов
Физика и техника полупроводников, 1984, 18:10, 1890–1892 | 6 |
| 7. |
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых
растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
В. И. Зубков, А. Н. Пихтин, А. В. Соломонов
Физика и техника полупроводников, 1989, 23:1, 64–67 | 6 |
| 8. |
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
М. Ю. Ершов, А. А. Захарова, В. И. Рыжий
Физика и техника полупроводников, 1990, 24:7, 1265–1271 | 6 |
| 9. |
Подпороговое дефектообразование при мощной импульсной фотонной
обработке кремния
В. И. Белявский, Ю. А. Капустин, В. В. Свиридов
Физика и техника полупроводников, 1991, 25:7, 1204–1208 | 6 |
| 10. |
Уширение уровней Ландау двумерного электронного газа в сильном
электрическом поле
В. И. Рыжий, Р. А. Сурис, Б. С. Щамахалова
Физика и техника полупроводников, 1986, 20:8, 1404–1409 | 5 |
|
| Публикаций: |
4897 |
| Научных статей: |
4845 |
| Авторов: |
1409 |
|
Пользовательское соглашение