RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Физико-технологический институт РАН, г. Москва, Россия
Адрес: Россия, 117218, г. Москва, Нахимовский пр-т, 36/1
Телефон: +7 (495) 125 77 09
Факс: +7 (495) 129 31 41
E-mail:
Сайт: http://www.ftian.ru
Персоналий: 38
Авторов: 47
Публикаций: 58

Персоналии: Б В Г Ж И К Л М Н О П Р С Т Ф Ц Ч Ш
полный список

Физико-технологический институт РАН, г. Москва, РоссияФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.

Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники. Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. В настоящее время К. А. Валиев является советником РАН и научным руководителем института. Директором ФТИАН избран А. А. Орликовский. В составе Института работают один академик, два члена-корреспондента РАН, 12 докторов и 22 кандидатов наук. Общая численность сотрудников института 100 чел.

Источник информации: http://www.ftian.ru


Подразделения:



Другие названия организации:
  • Физико-технологический институт АН СССР
  • Институт микроэлектроники и информатики РАН
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019