RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Адрес: Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7 (383) 333 27 66
Факс: +7 (383) 333 27 71
E-mail:
Сайт: http://www.isp.nsc.ru
Персоналий: 244
Авторов: 271
Публикаций: 467

Персоналии: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
полный список

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, РоссияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР.

В настоящее время Институт является исследовательским центром с широким фронтом деятельности в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой микро-, опто-, нано- и акустоэлектроники, информационных технологий и квантовой электроники.

Основные достижения Института связаны с исследованиями атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела фаз, квантовых эффектов в полупроводниковых системах пониженной размерности: сверхрешетках, гетероструктурах с квантовыми ямами, квантовыми проволоками и точками. На основе полученных фундаментальных результатов в Институте осуществлены разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, квантовых интерферометров, нанотранзисторов. Многолетние усилия Института по разработке и созданию оборудования молекулярно-лучевой эпитаксии и обеспечению современными диагностическими системами стали основой развития нанотехнологии для полупроводниковой электроники нового поколения.

Источник информации: http://www.sbras.ru


Подразделения:



Другие названия организации:
  • Институт физики полупроводников СО АН СССР
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020