RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Пихтин Никита Александрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 9
Научных статей: 9

Статистика просмотров:
Эта страница:112
Страницы публикаций:951
Полные тексты:118
Списки литературы:138
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person103266
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин
Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
2. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин
Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
3. Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян
Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781
4. Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров
В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов
Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097
5. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов
Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
6. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов
Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
7. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов
Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
8. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
Д. А. Веселов, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов
Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
9. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков
В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, К. В. Бахвалов, Я. В. Лубянский, М. Г. Растегаева, И. С. Тарасов
Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018