| Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
|
1992 |
| 1. |
А. М. Андрухив, В. И. Иванов-Омский, П. Г. Сидорчук, “Микротвердость твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te”, Физика твердого тела, 34:11 (1992), 3610–3612   |
| 2. |
В. И. Иванов-Омский, В. А. Харченко, Д. И. Цыпишка, “Спектр мелкого акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном
поле”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1728–1736 |
| 3. |
А. М. Андрухив, О. А. Гадаев, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, Э. И. Цидильковский, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Zn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1288–1294 |
| 4. |
В. И. Иванов-Омский, Н. В. Кутехов, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, О. А. Гадаев, “Нейтронное облучение Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 420–426 |
| 5. |
В. И. Иванов-Омский, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, О. А. Гадаев, Р. А. Стрэдлинг, И. Фергюсон, “Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей
подложке $p$-InSb”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 413–419 |
| 6. |
В. И. Иванов-Омский, И. А. Петров, В. А. Смирнов, С. Г. Ястребов, “Магнитофотолюминесценция узкощелевого полупроводника
Hg$_{0.77}$Cd$_{0.23}$Te”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 305–309 |
| 7. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. А. Смирнов, К. Ф. Штельмах, “Структура примесного центра марганца в антимониде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 89–94 |
|
1991 |
| 8. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, К. Д. Мынбаев, “Темновые токи в $p{-}n$-переходах, созданных ионно-лучевым травлением
на кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991), 2196–2200 |
| 9. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Влияние концентрации марганца на спектр фотолюминесценции GaSb”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2024–2027 |
| 10. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Фотолюминесценция антимонида галлия, легированного марганцем”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1960–1966 |
| 11. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, Ф. М. Мунтяну, “О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида
галлия $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1589–1592 |
| 12. |
В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, К. Д. Мынбаев, В. В. Богобоящий, “Изменение дефектной структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при легировании
индием”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1423–1428 |
| 13. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, В. А. Смирнов, “Экситон-фотонная фотолюминесценция в широкозонных
сплавах Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1217–1227 |
| 14. |
Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов, “Квантовый выход фотолюминесценции в твердых
растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($0.4<x<0.74$)”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1103–1106 |
| 15. |
С. В. Белотелов, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов, “Люминесценция имплантированных слоев Cd$_{0.38}$Hg$_{0.62}$Te
и диодных структур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1058–1064 |
| 16. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мовилэ, Д. И. Цыпишка, “ИК магнитооптические резонансы в полумагнитных сплавах
Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 41–44 |
| 17. |
Б. Л. Гельмонт, Л. ван Бокстал, В. И. Иванов-Омский, В. А. Смирнов, Ф. Xерлах, “Субмиллиметровый ЭПР в HgCdMnTe”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 52–54 |
| 18. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. Ф. Мовилэ, “P$-$N переходы на основе эпитаксиальных слоев
Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 48–51 |
| 19. |
А. M. Андрухив, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, Д. И. Цыпишка, “Циклотронный резонанс в эпитаксиальных слоях $n$-ZnCdHgTe”, Письма в ЖТФ, 17:19 (1991), 55–58 |
| 20. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, А. Н. Титков, “Мелкий акцепторный уровень марганца в антимониде галлия”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 21–24 |
| 21. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мовилэ, Д. И. Цыпишка, “Магнитофотоэлектрическое наблюдение мелкого акцептора в полумагнитном
сплаве $p$-Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te”, Письма в ЖТФ, 17:14 (1991), 69–73 |
| 22. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, В. А. Смирнов, А. Н. Титков, “Особенности оптической ориентации электронов в сплавах
Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 32–35 |
| 23. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, “Избыточные обратные токи в $p{-}n$ переходах на основе
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, обусловленные флуктуациями концентрации примесей”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 9–13 |
|
1990 |
| 24. |
В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, К. Д. Мынбаев, “Электрофизические свойства
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутого ионно-лучевому травлению”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2222–2224 |
| 25. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. М. Погорлецкий, Т. Пиотровский, В. А. Смирнов, “Фотолюминесценция Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te, связанная с локальным
уровнем Mn$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2160–2166 |
| 26. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мовилэ, Д. И. Цыпишка, “Циклотронный и комбинированный резонансы в полумагнитных твердых
растворах Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1823–1826 |
| 27. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, Т. Пиотровский, В. А. Смирнов, “Фотопроводимость $p$-Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1732–1735 |
| 28. |
К. Е. Миронов, К. Д. Мынбаев, В. И. Иванов-Омский, “Диффузия индия в эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 582–585 |
| 29. |
В. П. Васильев, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов, “Зеемановское расщепление $3\Gamma_{8}^{-}$-состояния мелких
акцепторов в германии”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 196–198 |
| 30. |
Н. Л. Баженов, Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов, “Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 93–97 |
| 31. |
Е. И. Георгицэ, В. В. Дьяконов, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, Н. Г. Романов, В. А. Смирнов, “Оптически детектируемый магнитный резонанс в полумагнитном
полупроводнике”, Письма в ЖТФ, 16:18 (1990), 74–77 |
|
1989 |
| 32. |
Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов, “Магнитоспектроскопия литийсодержащих доноров в германии”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1874–1880 |
| 33. |
Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов, Ю. Э. Халлер, “Магнитоспектроскопия комплекса D(H, O) в германии”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1440–1447 |
| 34. |
С. Д. Барановский, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин, “Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации
примесей в высокочистом GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1434–1439 |
|
1988 |
| 35. |
Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, Э. И. Цидильковский, “Индуцированная светом спиновая поляризация в полумагнитных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1888–1892 |
| 36. |
В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, “Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1416–1421 |
| 37. |
Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. Ф. Мовилэ, “Электрические свойства эпитаксиальных слоев
Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1258–1261 |
| 38. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, В. К. Огородников, В. И. Процык, “Туннельно-рекомбинационные токи в $p{-}n$-переходах на основе
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${T>80}$ K”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 333–335 |
| 39. |
В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, И. А. Герко, В. К. Ергаков, В. Н. Меринов, “Рентгендифрактометрическая оценка структурного совершенства
монокристаллов теллурида кадмия”, Письма в ЖТФ, 14:15 (1988), 1410–1413 |
|
1987 |
| 40. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2201–2209 |
| 41. |
В. Г. Голубев, Ю. В. Жиляев, В. И. Иванов-Омский, Г. Р. Маркарян, А. В. Осутин, В. Е. Челноков, “Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров
в высокочистом GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1771–1777 |
| 42. |
В. В. Богобоящий, А. И. Елизаров, В. И. Иванов-Омский, В. А. Петряков, “Влияние отклонения состава кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
(${x\simeq 0.2}$)
от стехиометрического на скорость диффузии Hg”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1462–1464 |
| 43. |
В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин, Д. Г. Поляков, “$g$-факторы донорных уровней в GaAs. Спин-орбитальное взаимодействие
в поле примесного центра”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 30–36 |
|
1986 |
| 44. |
Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, И. Т. Постолаки, В. А. Смирнов, “Осцилляции интенсивности фотолюминесценции полумагнитного
полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 508–510 |
| 45. |
Б. Л. Гельмонт, Р. Р. Голонска, Э. М. Вахабова, В. И. Иванов-Омский, И. Т. Постолаки, В. А. Смирнов, “Фотолюминесценция и фотопроводимость узкощелевого полумагнитного полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 73–79 |
| 46. |
Н. Л. Баженов, Н. З. Жингарев, В. И. Иванов-Омский, С. Г. Конников, М. С. Никитин, В. К. Огородников, В. И. Процык, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd Te-Cd_{x} Hg_{1-x} Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)”, Письма в ЖТФ, 12:16 (1986), 976–979 |
|
1985 |
| 47. |
В. В. Богобоящий, А. И. Елизаров, В. И. Иванов-Омский, В. Р. Петренко, В. А. Петряков, “Кинетика приведения кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в равновесие
с парами ртути”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 819–824 |
| 48. |
Н. Л. Баженов, М. З. Жингарев, В. И. Иванов-Омский, М. С. Никитин, В. И. Процык, “Лавинные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Письма в ЖТФ, 11:22 (1985), 1359–1362 |
| 49. |
В. Г. Голубев, А. Т. Гореленок, В. И. Иванов-Омский, В. В. Мамутин, И. Г. Минервин, А. В. Осутин, “Наблюдение спектров фотовозбуждения мелких доноров и циклотронного резонанса свободных электронов в $In P$, легированном $Cd$ и $Yb$”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 347–351 |
| 50. |
В. И. Иванов-Омский, К. Р. Курбанов, В. Д. Лисовенко, В. Н. Меринов, К. Е. Миронов, В. К. Огородников, “Электрические свойства эпитаксиальных слоев $Hg_{1-x} Cd_x Te$ ($x\simeq 0.2$)”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 111–114 |
|
1984 |
| 51. |
В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. К. Огородников, Р. Б. Рустамов, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1681–1683 |
| 52. |
В. И. Иванов-Омский, К. Р. Курбанов, Р. Б. Рустамов, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Спонтанное и вынужденное излучение связанных экситонов
в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1509–1511 |
| 53. |
Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, “Аномалия электрических и фотоэлектрических свойств
в $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1458–1461 |
| 54. |
Л. А. Бовина, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. К. Огородников, М. В. Седнев, В. И. Стафеев, “Фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 327–329 |
| 55. |
А. И. Елизаров, В. И. Иванов-Омский, А. А. Корнияш, В. А. Петряков, “К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов
в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 201–205 |
| 56. |
В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, Р. Б. Рустамов, В. А. Смирнов, “Стимулированное излучение в эпитаксиальных слоях
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 1021–1023 |
|
1983 |
| 57. |
В. И. Иванов-Омский, С. И. Кохановский, P. П. Сейсян, В. А. Смирнов, В. А. Юкиш, Ш. У. Юлдашев, “Спектры поглощения и фотолюминесценции Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1214–1216 |
| 58. |
В. И. Иванов-Омский, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Обнаружение экситонной люминесценции в кристаллах антимонида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 532–534 |
| 59. |
О. З. Алекперов, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, “Влияние электрического поля на форму линии циклотронного резонанса
в $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 155–157 |
| 60. |
В. И. Иванов-Омский, К. Р. Курбанов, В. А. Мальцева, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Связанные экситоны в фотолюминесценции и в фотопроводимости
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 27–29 |
| 61. |
О. З. Алекперов, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, “Сужение линий фотовозбуждения мелких примесей в электрическом поле”, Письма в ЖТФ, 9:12 (1983), 742–744 |
| 62. |
Ю. Г. Ахроменко, Г. А. Ильчук, С. П. Павлишин, В. И. Иванов-Омский, “Электрические свойства эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te,
полученных методом химических транспортных реакций”, Письма в ЖТФ, 9:9 (1983), 564–567 |
|
1965 |
| 63. |
В. И. Иванов-Омский, Б. Т. Коломиец, В. К. Огородников, К. П. Смекалова, “Подвижность электронов в $\mathrm{HgTe}$”, Докл. АН СССР, 162:6 (1965), 1269–1270 |
| 64. |
В. И. Иванов-Омский, Б. Т. Коломиец, В. А. Смирнов, “Рекомбинационное излучение в $\mathrm{InSb}$ при магнитоконцентрационном эффекте”, Докл. АН СССР, 161:6 (1965), 1308–1309 |
|
Пользовательское соглашение