Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Табаров Т С

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 10
Научных статей: 10

Статистика просмотров:
Эта страница:4
Страницы публикаций:69
Полные тексты:28

http://www.mathnet.ru/rus/person159753
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1990
1. X. О. Абдуллаев, В. И. Корольков, М. В. Павловский, Е. В. Руссу, Т. С. Табаров, “Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым $p^{+}$-затвором”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1969–1972  mathnet
2. Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363  mathnet
1987
3. Ж. И. Алфров, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Электрические и фотоэлектрические свойства $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой в $n^{0}$-области”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  981–983  mathnet
1986
4. Ж. И. Алфёров, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором”, Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  183–186  mathnet  isi
1985
5. М. С. Богданович, Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1731–1735  mathnet
6. Л. А. Волков, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga As$”, Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  800–803  mathnet  isi
7. М. С. Богданович, В. И. Корольков, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, “Высокочувствительный вертикальный полевой фототранзистор на основе $Ga As$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  89–93  mathnet  isi
1984
8. В. И. Корольков, В. И. Литманович, А. В. Рожков, М. Н. Степанова, Т. С. Табаров, “Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом”, ЖТФ, 54:4 (1984),  859–862  mathnet  isi
9. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297  mathnet  isi
1983
10. Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, А. В. Каманин, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519  mathnet
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022