RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Пчеляков Олег Петрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:288
Страницы публикаций:2139
Полные тексты:509
Списки литературы:179
E-mail:
Сайт: http://lib.isp.nsc.ru/16/index_r.html

http://www.mathnet.ru/rus/person44854
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2008
1. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, “Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок”, УФН, 178:5 (2008),  459–480  mathnet; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering”, Phys. Usp., 51:5 (2008), 437–456  isi  scopus
2005
2. Д. В. Гриценко, С. C. Шаймеев, М. А. Ламин, О. П. Пчеляков, В. А. Гриценко, В. Г. Лифшиц, “Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖЭТФ, 81:11 (2005),  721–723  mathnet; D. V. Gritsenko, S. S. Shaimeev, M. A. Lamin, O. P. Pchelyakov, V. A. Gritsenko, V. G. Lifshits, “Two-band conductivity of ZrO<sub>2</sub> synthesized by molecular beam epitaxy”, JETP Letters, 81:11 (2005), 587–589  isi  scopus
3. Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков, “Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005),  415–418  mathnet; D. A. Orekhov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, O. P. Pchelyakov, “Phonon localization in Ge nanoislands and its manifestation in Raman spectra”, JETP Letters, 81:7 (2005), 331–334  isi  scopus
4. А. Г. Милехин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, А. Г. Родригес, Ж. К. Гальзерани, Д. Р. Т. Цан, “Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi”, Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005),  33–36  mathnet; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, A. G. Rodrigues, J. C. Galzerani, D. R. T. Zahn, “Resonant Raman scattering in GeSi/Si superlattices with GeSi quantum dots”, JETP Letters, 81:1 (2005), 30–33  isi  scopus
2001
5. А. Г. Милёхин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, С. Шульце, Д. Р. Т. Цан, “Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001),  521–525  mathnet; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, Sh. Shul'tse, D. R. T. Tsan, “Phonons in Ge/Si superlattices with Ge quantum dots”, JETP Letters, 73:9 (2001), 461–464  scopus
6. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев, “Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур”, УФН, 171:7 (2001),  689–715  mathnet; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, S. I. Chikichev, “Silicon – germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures”, Phys. Usp., 44:7 (2001), 655–680  isi
2000
7. О. П. Пчеляков, “Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология”, УФН, 170:9 (2000),  993–995  mathnet; O. P. Pchelyakov, “Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technology”, Phys. Usp., 43:9 (2000), 923–925  isi

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020