Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Грехов Игорь Всеволодович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 54
Научных статей: 49

Статистика просмотров:
Эта страница:332
Страницы публикаций:2594
Полные тексты:918
Списки литературы:61
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person44991
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2005
1. И. В. Грехов, Г. А. Месяц, “Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов”, УФН, 175:7 (2005),  735–744  mathnet; I. V. Grekhov, G. A. Mesyats, “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching”, Phys. Usp., 48:7 (2005), 703–712  isi
1992
2. М. И. Векслер, И. В. Грехов, А. Ф. Шулекин, “Ударная ионизация в транзисторах с туннельно-тонким МОП-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 18:21 (1992),  1–5  mathnet  isi
1991
3. И. В. Грехов, С. В. Зазулин, А. Ф. Кардо-Сысоев, “Ударная ионизация в кремнии в слабых полях”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  885–892  mathnet
4. В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  208–216  mathnet
5. И. В. Грехов, Е. В. Остроумова, А. А. Рогачев, А. Ф. Шулекин, “Кремниевый Оже-транзистор с туннельным МОП-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 17:13 (1991),  44–48  mathnet  isi
1990
6. И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Шубников, “Влияние гидростатического сжатия на рекомбинационные свойства золота в Si”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2203–2205  mathnet
7. В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях необеспыленной воздушной среды”, Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  61–65  mathnet  isi
8. И. В. Грехов, В. М. Ефанов, “О возможности генерации стимулированного излучения с помощью ударно-ионизационных волн в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  9–14  mathnet  isi
9. В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Прямая ВАХ диодов, полученных методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  6–9  mathnet  isi
10. И. В. Грехов, С. В. 3азулин, А. Ф. Кардо-Сысоев, “Ударная ионизация глубокого уровня Au в Si”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  63–67  mathnet  isi
1989
11. В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Формирование $p{-}n$ переходов методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  59–63  mathnet  isi
12. И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Кожух, O. K. Семчинова, В. В. Третьяков, “Толстые пленки в системе Y$-$Ba$-$Cu$-$O на подложках BaF$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  77–80  mathnet  isi
1988
13. И. В. Грехов, Л. А. Делимова, И. К. Мешковский, А. Ф. Новиков, М. Л. Татаринова, В. В. Сологуб, “Электропроводность пористых стекол с углеродистым наполнителем”, Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1856–1859  mathnet  isi
14. В. И. Брылевский, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. Г. Чашников, Д. И. Шеметило, “Эффект быстрого восстановления обратного напряжения на симметричной $p^{+}pnn^{+}$-структуре”, ЖТФ, 58:11 (1988),  2244–2247  mathnet  isi
15. Л. С. Берман, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, И. М. Котина, К. Ш. Кушашвили, “Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых $p{-}n$ диодах с примесью лития”, ЖТФ, 58:7 (1988),  1436–1439  mathnet  isi
16. И. В. Грехов, В. М. Ефанов, “О возможности быстрой генерации плотной электронно-дырочной плазмы большого объема в арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2121–2124  mathnet  isi
17. Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975  mathnet  isi
1987
18. В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, Г. М. Гусинский, В. А. Козлов, В. О. Найденов, “Оптимизация частотных и статических характеристик силовых полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной рекомбинации в базовых областях”, ЖТФ, 57:10 (1987),  1925–1929  mathnet  isi
19. Н. В. Боровикова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. Н. Глыгало, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, “О возможности изготовления низкоомного нейтронно-легированного кремния на реакторе РБМК-1000”, ЖТФ, 57:6 (1987),  1127–1129  mathnet  isi
20. И. В. Грехов, С. В. Коротков, К. В. Муковников, Н. С. Яковчук, “Неоднородное распределение тока по площади мощных кремниевых полупроводниковых приборов большого диаметра, обусловленное собственным магнитным полем”, Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1318–1322  mathnet  isi
21. Ж. И. Алфёров, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, М. Н. Степанова, “Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093  mathnet  isi
1986
22. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, С. В. Коротков, К. В. Муковников, “О влиянии электродинамических эффектов на однородность коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах большой мощности”, ЖТФ, 56:9 (1986),  1860–1861  mathnet  isi
23. В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. Н. Глыгало, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, В. А. Козлов, “Нейтронно-легированный высокоомный кремний (НЛК) Получение, свойства”, ЖТФ, 56:6 (1986),  1174–1179  mathnet  isi
24. И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин, “Мощный прибор ключевого типа — реверсивно-управляемый транзистор (РУТ)”, ЖТФ, 56:2 (1986),  341–345  mathnet  isi
25. И. В. Грехов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, С. В. Шендерей, В. С. Юферев, “Быстрые ионизационные волны в полупроводнике, связанные с переизлучением”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1335–1337  mathnet
26. Р. Э. Аязян, И. В. Грехов, Л. С. Костина, О. К. Семчинова, “Основные электрические характеристики гетеродиодов в системе Si$-$Mg$_{(1-x)}$SiP$_{2(1-x)}$”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  431–434  mathnet
27. И. В. Грехов, Е. В. Остроумова, “Инжекционная способность МОП-эмиттера с туннельнотонким слоем окисла при больших плотностях тока”, Письма в ЖТФ, 12:19 (1986),  1209–1212  mathnet  isi
1985
28. В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Сильноточный микросекундный тиристорный коммутатор, переключаемый импульсом света”, ЖТФ, 55:8 (1985),  1570–1575  mathnet  isi
29. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Шубников, “Влияние гидростатического сжатия на время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1288–1293  mathnet  isi
30. И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, “Полупроводниковые мощные субнаносекундные коммутаторы с большим временем удержания в проводящем состоянии”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  901–904  mathnet  isi
31. И. В. Грехов, С. В. Коротков, Л. С. Костина, “Мощный реверсивно включаемый динистор субмегагерцового диапазона”, Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  588–591  mathnet  isi
1984
32. И. В. Грехов, А. Е. Отблеск, “Нестационарная локализация тепла и тока в прямосмещенном кремниевом диоде”, ЖТФ, 54:9 (1984),  1787–1792  mathnet  isi
33. И. В. Грехов, А. Е. Отблеск, “Определение электрофизических параметров сильно легированных слоев в $p^{+}{-}s{-}n^{+}$-структуре”, ЖТФ, 54:8 (1984),  1590–1595  mathnet  isi
34. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. В. Добровенский, А. И. Шагун, “Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов”, ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928  mathnet  isi
35. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, Ю. А. Карпов, Б. М. Туровский, “Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского”, ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208  mathnet  isi
36. А. М. Аллахвердиев, В. М. Андреев, И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  121–125  mathnet
37. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, В. А. Козлов, “Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882  mathnet  isi
1983
38. И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, С. В. Коротков, Н. С. Яковчук, “Мощный переключатель микросекундного диапазона — реверсивно-включаемый динистор”, ЖТФ, 53:9 (1983),  1822–1826  mathnet  isi
39. И. В. Грехов, Л. А. Делимова, “О возможности улучшения параметров мощных быстродействующих кремниевых приборов, подвергнутых облучению $\gamma$-квантами Co$^{60}$”, ЖТФ, 53:6 (1983),  1143–1146  mathnet  isi
40. И. В. Грехов, Е. М. Гейфман, Л. С. Костина, “Исследование переходного процесса переключения силового диода с накоплением заряда”, ЖТФ, 53:4 (1983),  726–729  mathnet  isi
41. И. В. Грехов, А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова, С. В. Шендерей, “Начальная стадия развития волн ударной ионизации в перенапряженных $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1380–1385  mathnet
42. И. В. Грехов, А. Е. Отблеск, “Рекомбинация через глубокие центры при электронно-дырочном рассеянии в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1275–1278  mathnet
43. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, А. В. Наливкин, “Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее импульсном инжекционном возбуждении”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1271–1275  mathnet
44. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин, “Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1217–1221  mathnet
45. И. В. Грехов, В. И. Земский, И. К. Мешковский, “Сенсибилизация селективных фотоприемников с помощью твердотельных растворов красителей”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  695–698  mathnet
46. И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, С. В. Шендерей, “Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  435–439  mathnet
47. И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, К. В. Муковников, И. А. Смирнова, “Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой тиристор (ИПТ)”, Письма в ЖТФ, 9:1 (1983),  18–21  mathnet
48. О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, В. Г. Сергеев, А. А. Сливицкий, “Лазер на парах меди с поперечным разрядом, коммутируемым полупроводниковыми переключателями со световым управлением”, Квантовая электроника, 10:1 (1983),  186–189  mathnet [O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, V. G. Sergeev, A. A. Slivitskiǐ, “Transverse-discharge copper vapor laser utilizing an optically controlled semiconductor switch”, Sov J Quantum Electron, 13:1 (1983), 115–117  isi]
1981
49. В. М. Александров, О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, А. И. Мошкунов, В. Г. Сергеев, “Многоканальный полупроводниковый коммутатор наносекундного диапазона для возбуждения паров меди поперечным разрядом”, Квантовая электроника, 8:1 (1981),  191–193  mathnet [V. M. Aleksandrov, O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, A. I. Moshkunov, V. G. Sergeev, “Multichannel semiconductor nanosecond switch for excitation of copper vapor by a transverse discharge”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 111–113  isi]

2020
50. В. М. Агранович, Е. Б. Александров, С. Н. Багаев, И. В. Грехов, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, В. В. Кведер, Б. В. Новиков, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, И. А. Щербаков, “Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)”, УФН, 190:12 (2020),  1343–1344  mathnet; V. M. Agranovich, E. B. Aleksandrov, S. N. Bagayev, I. V. Grekhov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, V. V. Kveder, B. V. Novikov, R. A. Suris, V. B. Timofeev, I. A. Shcherbakov, “Aleksandr Aleksandrovich Kaplyanskii (on his 90th birthday)”, Phys. Usp., 63:12 (2020), 1264–1265  isi
2019
51. И. В. Грехов, В. Н. Кисель, А. Г. Литвак, Е. А. Микрин, С. А. Никитов, О. Ф. Петров, М. А. Погосян, В. П. Смирнов, А. Н. Старостин, В. Е. Фортов, Б. Ю. Шарков, И. А. Щербаков, “Андрей Николаевич Лагарьков (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 189:10 (2019),  1129–1130  mathnet; I. V. Grekhov, V. N. Kisel', A. G. Litvak, E. A. Mikrin, S. A. Nikitov, O. F. Petrov, M. A. Pogosyan, V. P. Smirnov, A. N. Starostin, V. E. Fortov, B. Yu. Sharkov, I. A. Shcherbakov, “Andrei Nikolaevich Lagarkov (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 62:10 (2019), 1056–1057  isi
52. А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, Е. П. Велихов, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, А. А. Каплянский, П. С. Копьев, Г. Я. Красников, Р. А. Сурис, В. Е. Фортов, “Памяти Жореса Ивановича Алферова”, УФН, 189:8 (2019),  899–900  mathnet; A. L. Aseev, D. A. Varshalovich, E. P. Velikhov, I. V. Grekhov, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, A. A. Kaplyanskii, P. S. Kop'ev, G. Ya. Krasnikov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “In memory of Zhores Ivanovich Alferov”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 839–840  isi
2016
53. Е. Б. Александров, Ж. И. Алфёров, А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Г. Забродский, А. А. Каплянский, О. Н. Крохин, В. Б. Тимофеев, А. В. Чаплик, И. А. Щербаков, “Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 186:12 (2016),  1381–1382  mathnet  elib; E. B. Aleksandrov, Zh. I. Alferov, A. L. Aseev, D. A. Varshalovich, I. V. Grekhov, Yu. V. Gulyaev, A. G. Zabrodskii, A. A. Kaplyanskii, O. N. Krokhin, V. B. Timofeev, A. V. Chaplik, I. A. Shcherbakov, “Robert Arnoldovich Suris (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 59:12 (2016), 1271–1272  isi
2009
54. И. В. Грехов, В. Н. Кисель, М. А. Погосян, Ф. Г. Рутберг, А. К. Сарычев, В. П. Смирнов, О. Н. Фаворский, А. И. Федоренко, В. Е. Фортов, В. Ю. Хомич, А. Е. Шейндлин, И. Т. Якубов, “Андрей Николаевич Лагарьков (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 179:8 (2009),  919–920  mathnet; I. V. Grekhov, V. N. Kisel', M. A. Pogosyan, F. G. Rutberg, A. K. Sarychev, V. P. Smirnov, O. N. Favorskii, A. I. Fedorenko, V. E. Fortov, V. Yu. Khomich, A. E. Sheindlin, I. T. Yakubov, “Andrei Nikolaevich Lagar'kov (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 52:8 (2009), 865–866  isi

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021