RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Щербаков Иван Александрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 178
Научных статей: 144
Цитированных статей: 42
Ссылок в Math-Net.Ru: 179

Статистика просмотров:
Эта страница:558
Страницы публикаций:13109
Полные тексты:6345
Списки литературы:219
академик РАН
Дата рождения: 11.04.1944
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person45285
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Влияние лазерного излучения на водные растворы бета-активных радионуклидов
Е. В. Бармина, А. В. Симакин, B. И. Стегайлов, С. И. Тютюнников, Г. А. Шафеев, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 47:7 (2017),  627–630
2. Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H63F4
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 46:3 (2016),  189–192
3. Лазерная генерация в кристалле Tm:Yb3Al5O12 при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 44:10 (2014),  895–898
4. Управление спектральными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов
А. А. Сироткин, В. И. Власов, А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, С. А. Кутовой, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 44:1 (2014),  7–12
5. Исследование Tm:Sc2SiO5 лазера c накачкой на переходе 3H63F4 ионов Tm3+
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 43:11 (2013),  989–993
6. Двухчастотные лазеры на кристаллах ванадатов сo взаимно параллельной и ортогональной поляризациями генерируемого излучения
А. А. Сироткин, С. В. Гарнов, В. И. Власов, А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, С. А. Кутовой, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 42:5 (2012),  420–426
7. Фемтосекундные лазеры для микрохирургии роговицы
С. К. Вартапетов, Д. В. Худяков, К. Э. Лапшин, А. З. Обидин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 42:3 (2012),  262–268
8. Интерференционные исследования дискового активного элемента из ГГГ : Nd при диодной накачке
Г. А. Буфетова, Д. А. Николаев, А. И. Трикшев, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 41:8 (2011),  681–686
9. Tm:Sc2SiO5-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 41:5 (2011),  420–422
10. Лазерные методы генерации мегавольтных терагерцовых импульсов
С. В. Гарнов, И. А. Щербаков
УФН, 181:1 (2011),  97–102
11. Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
А. Н. Алпатьев, Д. А. Лис, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 40:7 (2010),  604–614
12. Исследование Tm:Ho:YLF-лазера при накачке волоконным эрбиевым рамановским лазером на длине волны 1678 нм
Ю. Л. Калачев, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 40:4 (2010),  296–300
13. Особенности тепловых режимов лазерных активных элементов в форме прямоугольной пластины при стационарной накачке
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 40:1 (2010),  35–39
14. Лазерная физика в медицине
И. А. Щербаков
УФН, 180:6 (2010),  661–665
15. Новое высокопрочное неодимовое лазерное стекло на фосфатной основе
Б. И. Галаган, И. Н. Глущенко, Б. И. Денкер, Ю. Л. Калачев, Н. В. Кулешов, В. А. Михайлов, С. Е. Сверчков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 39:12 (2009),  1117–1120
16. Тепловые режимы и предельные интенсивности накачки дискового лазера при одномерном распределении температуры внутри диска
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 39:11 (2009),  1033–1040
17. Двухчастотные лазеры с диодной накачкой на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси c
А. А. Сироткин, С. В. Гарнов, А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, С. А. Кутовой, В. И. Власов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 39:9 (2009),  802–806
18. Распределение температуры и термоупругих напряжений в активном элементе в виде тонкого диска с произвольной оптической плотностью
В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1105–1109
19. Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов
А. И. Загуменный, П. А. Попов, Ф. Зерроук, Ю. Д. Заварцев, С. А. Кутовой, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 38:3 (2008),  227–232
20. Новые возможности кристаллов ванадатов с неодимом как активных сред лазеров с диодной накачкой
В. И. Власов, С. В. Гарнов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, С. А. Кутовой, А. А. Сироткин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 37:10 (2007),  938–940
21. Исследование возможности создания мультикиловаттного твердотельного лазера с многоканальной диодной накачкой на основе оптически плотных активных сред
С. В. Гарнов, В. А. Михайлов, Р. В. Серов, В. А. Смирнов, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 37:10 (2007),  910–915
22. Квазитрехуровневый Nd3+:Gd0.7Y0.3VO4-лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, А. А. Сироткин, И. А. Щербаков, Р. Реннер-Эрни, В. Люти, Т. Ферер
Квантовая электроника, 37:5 (2007),  440–442
23. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gd0.7Y0.3VO4-лазере с диодной накачкой
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, А. А. Сироткин, И. А. Щербаков, Р. Реннер-Эрни, В. Люти, Т. Ферер
Квантовая электроника, 37:4 (2007),  315–318
24. Изготовление и исследование эпитаксиальных пленок GGG:Cr4+ для пассивных затворов неодимовых лазеров
Г. А. Буфетова, М. Ю. Гусев, И. А. Иванов, Д. А. Николаев, В. Ф. Серегин, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 36:7 (2006),  620–623
25. Твердотельные неодимовые лазеры на основе монокристаллических волокон с поперечным градиентом показателя преломления
Г. А. Буфетова, В. В. Кашин, Д. А. Николаев, С. Я. Русанов, В. Ф. Серегин, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков, А. А. Яковлев
Квантовая электроника, 36:7 (2006),  616–619
26. Импульсная и непрерывная генерация на новом лазерном кристалле Cr3+ : Li : Mg2SiO4
А. В. Гайстер, Е. В. Жариков, В. Ф. Лебедев, А. С. Подставкин, С. Ю. Теняков, А. В. Шестаков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 34:8 (2004),  693–694
27. Твердотельные лазеры — одно из важнейших направлений квантовой электроники
И. А. Щербаков
УФН, 174:10 (2004),  1120–1124
28. Квазитрехуровневый Nd:GdVO4-лазер на λ = 456 нм с диодной накачкой
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ф. Зероук, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, А. А. Сироткин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 33:7 (2003),  651–654
29. Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO4:Nd3+
В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, П. А. Студеникин, И. А. Щербаков, Х. Висс, В. Люти, Х. П. Вебер
Квантовая электроника, 27:1 (1999),  19–20
30. Теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе
А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, П. А. Студеникин, В. И. Власов, И. А. Щербаков, Х. Висс, В. Люти, Х. П. Вебер, П. А. Попов
Квантовая электроника, 27:1 (1999),  16–18
31. Модуляция добротности в кристаллическом YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+-лазере на переходе 5I6 — 5I7 (λ = 2.92 мкм)
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Л. А. Кулевский, А. В. Лукашев, П. П. Пашинин, П. А. Студеникин, И. А. Щербаков, А. Ф. Умысков
Квантовая электроника, 27:1 (1999),  13–15
32. Релаксационные колебания излучения двухмикронного гольмиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 25:2 (1998),  151–154
33. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr3+, Tm3+ в стационарном и импульсном режимах
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 25:1 (1998),  11–15
34. Нелинейное поглощение в кристаллах КТР
В. А. Маслов, В. А. Михайлов, О. П. Шаунин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 24:4 (1997),  367–370
35. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, Т. Тзубой, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 24:3 (1997),  209–212
36. GdVO4:Tm3+ — новая эффективная среда для двухмикронных лазеров с диодной накачкой
В. А. Михайлов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, В. Г. Остроумов, П. А. Студеникин, Е. Хоманн, Г. Хубер, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 24:1 (1997),  15–16
37. GdVO4 – новая среда для твердотельных лазеров: некоторые оптические и тепловые характеристики кристаллов, легированных ионами Nd3+, Tm3+, Er3+
П. А. Студеникин, А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, П. А. Попов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1199–1202
38. Лазер с адаптивным петлевым резонатором
Г. А. Буфетова, И. В. Климов, Д. А. Николаев, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 22:8 (1995),  791–792
39. Лазер на кристалле GdVO4:Nd3+ с волоконным вводом диодной накачки
О. А. Власенко, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, В. А. Козлов, П. А. Студеникин, В. В. Тер-Микиртычев, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 22:8 (1995),  788–790
40. Природа переноса энергии электронного возбуждения от ионов Cr3+ к редкоземельным ионам в кристаллах гранатов
Т. Т. Басиев, Ю. В. Орловский, В. Г. Остроумов, Ю. С. Привис, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 22:8 (1995),  759–764
41. Ионы Cr4+ – новый эффективный сенсибилизатор для лазерных материалов на длины волн 1.5–3 мкм, активированных ионами Er3+, Tm3+, Ho3+, Dy3+
Е. В. Жариков, С. П. Калитин, Ю. М. Папин, A. М. Прохоров, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 21:11 (1994),  1035–1037
42. Лазер на кристалле GdVO4: Nd3+ с полупроводниковой накачкой
А. И. Загуменный, Н. В. Кравцов, О. Е. Наний, М. Ю. Никольский, A. М. Прохоров, В. В. Фирсов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 20:12 (1993),  1152–1154
43. Гольмиевые лазеры на кристаллах ИАГ и ИСГГ в импульсно-периодическом режиме генерации
Б. М. Антипенко, А. М. Забазнов, А. А. Никитичев, В. А. Письменный, А. А. Ставров, Ю. С. Типенко, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 20:12 (1993),  1149–1151
44. Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1105–1110
45. Изменение показателей преломления в кристалле КТР при воздействии моноимпульсов излучения с длиной волны 0.53 мкм
В. А. Маслов, В. А. Михайлов, О. П. Шаунин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 20:8 (1993),  801–804
46. ИСГГ:Cr:Er-лазер со светодиодной доставкой излучения для целей интракорпоральной литотрипсии
Г. И. Дьяконов, В. А. Михайлов, С. К. Пак, А. М. Суслов, С. Л. Федоровский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 20:2 (1993),  194–197
47. Кристаллы GdVO4:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой
А. И. Загуменный, В. Г. Остроумов, И. А. Щербаков, Т. Йенсен, Я. П. Мейен, Г. Хубер
Квантовая электроника, 19:12 (1992),  1149–1150
48. Пассивная модуляция добротности импульсных Nd3+-лазеров с помощью затворов на основе кристалла ИСГГ:Сг4+, обладающего фототропными свойствами
И. В. Климов, М. Ю. Никольский, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 19:7 (1992),  653–656
49. Сенсибилизация люминесценции ионов Ег3+ с ионами Се3+ в кристалле YAG
А. Л. Денисов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 19:2 (1992),  167–170
50. Межионные взаимодействия в лазерных кристаллах ИСГГ:Сг, Тm и ИСГГ:Сг, Тm, Но
Д. А. Зубенко, М. А. Ногинов, С. Г. Семенков, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 19:2 (1992),  150–156
51. Фотоиндуцированное короткоживущее поглощение в кристаллах ГСГГ:Сг3+, Nd3+ и ГСАГ:Сг3+, Nd3+
М. Х. Ашуров, С. П. Насельский, И. Р. Рустамов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1056–1059
52. Кросс-релаксационная дезактивация основного состояния ионов редкоземельных элементов в кристаллах
М. А. Ногинов, A. М. Прохоров, Г. К. Саркисян, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1042–1046
53. Генерация коротких наносекундных импульсов в ИАГ: Nd-лазере с модулятором добротности на основе кристалла ГСГГ: Cr, Nd
С. В. Гарнов, А. С. Епифанов, С. М. Климентов, А. А. Маненков, М. Ю. Никольский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1040–1041
54. ИСГГ:Cr, Nd-лазер с КПД 1,5–2 % на частоте излучения, удвоенной в кристалле КТР
Б. В. Андреев, Г. И. Дьяконов, В. Г. Лян, В. А. Маслов, В. А. Михайлов, Д. А. Николаев, С. К. Пак, О. П. Шаунин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1038–1040
55. Высокоэффективный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с поляризационно замкнутым резонатором
Г. И. Дьяконов, В. Г. Лян, В. А. Михайлов, С. К. Пак, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 18:7 (1991),  805–807
56. Моноимпульсный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с КПД 4 %
В. В. Лаптев, В. А. Михайлов, Д. А. Николаев, С. К. Пак, Е. В. Раевский, А. П. Фефелов, С. И. Хоменко, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 18:5 (1991),  579–581
57. Влияние спектрального состава возбуждающего света на генерационные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ИСГГ : Cr3+, Тm3+, Но3+ и ГСАГ:Сr3+, Тm3+, Но3+
А. Н. Алпатьев, М. Х. Ашуров, Е. В. Жариков, А. И. Загуменный, С. П. Калитин, Г. Б. Лутц, И. Р. Рустамов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 18:2 (1991),  166–169
58. Исследование лазера на ИАГ:Nd с поляризационно замкнутыми резонаторами
Г. И. Дьяконов, В. Г. Лян, В. А. Михайлов, С. К. Пак, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1637–1638
59. Пространственное усреднение коэффициента усиления в твердотельных активных элементах
Г. И. Дьяконов, В. Г. Лян, В. А. Михайлов, С. К. Пак, Н. В. Романовский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1559–1560
60. Влияние спектрального состава излучения накачки на генерационные и спектрально-люминесцентные характеристики кристалла YAlO3:Nd3+
М. Х. Ашуров, С. П. Насельский, И. Р. Рустамов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1445–1448
61. Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг3+, Ег3+ в области 3 мкм при комнатной температуре
М. А. Ногинов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, Г. Хубер, Х. Штанге, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1277–1281
62. Лазер двухмикрометрового диапазона на кристалле ИСГГ:Cr3+, Tm3+
А. Н. Алпатьев, А. Л. Денисов, Е. В. Жариков, Д. А. Зубенко, С. П. Калитин, М. А. Ногинов, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 17:7 (1990),  861–863
63. Влияние фототропных центров на эффективность энергосъема в ИСГГ:Cr, Nd
В. Л. Евстигнеев, Е. В. Жариков, Ю. Д. Заварцев, О. В. Неробов, П. А. Студеникин, И. А. Щербаков, В. Е. Юмашев
Квантовая электроника, 17:6 (1990),  723–724
64. Экспериментальное обнаружение неаддитивности различных каналов образования инверсной населенности на переходе 4I11/2 → 4I13/2 иона Ег3+ в кристалле ИСГГ:Cr3+, Er3+
М. А. Ногинов, Г. К. Саркисян, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 17:6 (1990),  716–717
65. Метод улучшения пространственной однородности излучения лазера с поляризационным выводом излучения
Г. И. Дьяконов, В. Г. Лян, В. А. Михайлов, С. К. Пак, Н. В. Романовский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 17:4 (1990),  453–454
66. Лазер трехмикронного диапазона на ZrO2–Y2O3:Er3+
В. И. Александров, М. А. Вишнякова, В. П. Войцицкий, Е. Е. Ломонова, М. А. Ногинов, В. В. Осико, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2421–2423
67. ГСГГ:Cr, Nd-лазер с высоким удельным энергосъемом
В. Г. Остроумов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2413–2415
68. Гольмиевый лазер (λ = 2,09 мкм) на кристалле ГСАГ:Cr3+–Tm3+–Ho3+, работающий при комнатной температуре
А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, А. И. Загуменный, Д. А. Зубенко, С. П. Калитин, Г. Б. Лутц, М. А. Ногинов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2176–2179
69. Высокоэффективный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с удвоением частоты излучения в кристалле КТР
Г. И. Дьяконов, В. А. Маслов, В. А. Михайлов, С. К. Пак, В. Н. Семененко, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1601–1604
70. Лазеры на ИСГГ:Cr, Nd, ИЛФ:Nd и ИАГ:Nd как задающие генераторы для усилителя на фосфатном стекле
И. В. Васильев, В. М. Гармаш, Е. В. Жариков, С. В. Зиновьев, А. А. Кольцов, А. М. Онищенко, А. В. Шестаков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1140–1142
71. Лазер с активными элементами из кристаллов ИСГГ : Cr, Nd и ИСГГ : Cr, Tm, Ho, излучающий на длинах волн 1,06 и 2,088 мкм
А. Н. Алпатьев, В. И. Конов, A. М. Прохоров, А. С. Силенок, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:4 (1989),  673–675
72. Генерация гигантского импульса в моде TEM00 (λ = 2,088 мкм) на кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой
А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:4 (1989),  672–673
73. Экспериментальные проявления эффекта сглаживания термооптических неоднородностей в активных средах твердотельных лазеров
А. А. Данилов, М. Ю. Никольский, A. М. Прохоров, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:3 (1989),  517–519
74. Мощный лазер на гадолиний–скандий–алюминиевом гранате, активированном хромом и неодимом с автомодуляцией добротности
А. А. Данилов, Е. В. Жариков, А. И. Загуменный, Г. Б. Лутц, М. Ю. Никольский, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:3 (1989),  474–477
75. Лазер на ИСГГ: Cr3+, Nd3+ с волноводным активным элементом
А. А. Данилов, Е. В. Жариков, Ю. Д. Заварцев, М. Ю. Никольский, П. А. Студеникин, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 16:1 (1989),  28–31
76. Автокомпенсация термооптических неоднородностей в импульсно-периодических твердотельных лазерах на основе оптически плотных активных сред
А. А. Данилов, Е. В. Жариков, Ю. Д. Заварцев, М. Ю. Никольский, Ю. С. Привис, A. М. Прохоров, П. А. Студеникин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2323–2328
77. Фотоиндуцированные потери в кристалле ГСГГ:Cr3+, Nd3+
М. Х. Ашуров, И. Р. Рустамов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2071–2077
78. Лазер на гадолиний-скандий-алюминиевом гранате с хромом и неодимом
А. А. Данилов, А. Л. Денисов, Е. В. Жариков, А. И. Загуменный, Г. Б. Лутц, М. Ю. Никольский, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1760–1761
79. Лазер на ионах гольмия в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с модуляцией добротности
А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:5 (1988),  960–961
80. Низкопороговый ИСГГ:Cr, Er-лазер трехмикронного диапазона с высокой частотой повторения импульсов
П. Альберс, В. Г. Остроумов, А. Ф. Умысков, С. Шнелл, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:5 (1988),  871–872
81. Коэффициенты усиления в области 1,5 и 3 мкм кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
З. С. Саидов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:3 (1988),  497–499
82. Возможности волноводных активных элементов из различных материалов для твердотельных лазеров высоких средних мощностей
А. А. Данилов, В. В. Осико, A. М. Прохоров, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:3 (1988),  486–489
83. ИСГГ:Сг, Nd-лазер с КПД 3,6 %, энергией линейно поляризованного излучения в моноимпульсе 0,46 Дж и частотой повторения импульсов 50 Гц
Г. И. Дьяконов, Г. Н. Егоров, Е. В. Жариков, В. А. Михайлов, С. К. Пак, A. М. Прохоров, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 15:1 (1988),  67–69
84. Термическая деполяризация оптического излучения в лазерном активном элементе из кристалла ГСГГ:Cr3+:Nd3+
А. А. Данилов, М. Ю. Никольский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1663–1665
85. ИСГГ:Cr3+, Nd3+ – новая эффективная среда для импульсных твердотельных лазеров
А. А. Данилов, Е. В. Жариков, Ю. Д. Заварцев, М. А. Ногинов, М. Ю. Никольский, В. Г. Остроумов, В. А. Смирнов, П. А. Студеникин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1651–1652
86. Спектрально-ограниченные пикосекундные импульсы лазера на ИСГГ:Cr3+, Er3+ (λ = 2,79 мкм) с активной синхронизацией мод
К. Л. Водопьянов, Л. А. Кулевский, П. П. Пашинин, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1219–1224
87. Распад сверхкороткого импульса при самопереключении света в туннельно-связанных волноводах
А. А. Майер, Ю. Н. Сердюченко, К. Ю. Ситарский, М. Я. Щелев, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1157–1159
88. Экспериментальное наблюдение самопереключения излучения в туннельно-связанных оптических волноводах
Д. Д. Гусовский, Е. М. Дианов, А. А. Майер, В. Б. Неуструев, В. В. Осико, A. М. Прохоров, К. Ю. Ситарский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1144–1147
89. Эффективный лазер (λ = 2,088 мкм) на иттрий-скандий-галлиевом гранате с ионами хрома, тулия и гольмия при комнатной температуре
А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:5 (1987),  922–923
90. Лазер на ГСГГ:Cr, Nd с эффективной накачкой и модуляцией добротности
А. Д. Гондра, В. М. Градов, А. А. Данилов, В. В. Дыбко, Е. В. Жариков, Б. А. Константинов, М. Ю. Никольский, Ю. И. Рогальский, С. А. Смотряев, Ю. И. Терентьев, А. А. Щербаков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:5 (1987),  916–917
91. Корреляция конденсации спектра излучениях временными характеристиками импульса лазерной генерации
А. Н. Колеров, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:5 (1987),  909–910
92. Компактный лазер на основе ГСГГ:Cr3+, Nd3+ с пассивной модуляцией добротности
А. А. Данилов, В. Л. Евстигнеев, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, М. Ю. Никольский, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:5 (1987),  905–906
93. Короткоживущее поглощение в возбужденных кристаллах ГСГГ:Cr–Nd
Е. В. Жариков, С. П. Насельский, А. И. Рябов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:4 (1987),  836–837
94. ВРМБ-зеркало с плазменным затвором в двухпроходовом лазерном усилителе
С. Ю. Натаров, П. П. Пашинин, Е. И. Шкловский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:3 (1987),  477–480
95. Синхронизация мод неодимового лазера с затвором из гадолиний-скандий-галлиевого граната
М. И. Демчук, Е. В. Жариков, А. М. Забазнов, И. А. Маничев, В. П. Михайлов, A. М. Прохоров, А. П. Шкадаревич, А. Ф. Черняковский, И. А. Щербаков, К. В. Юмашев
Квантовая электроника, 14:2 (1987),  423–424
96. ГСГГ–Cr, Nd-лазер с призменным резонатором и поляризационным выводом излучения
В. Н. Григорьев, Г. Н. Егоров, Е. В. Жариков, В. А. Михайлов, С. К. Пак, Ю. А. Пинский, Е. И. Шкловский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2349–2350
97. Применение кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фотохромными центрами в качестве активных элементов твердотельных лазеров
Е. В. Жариков, А. М. Забазнов, A. М. Прохоров, А. П. Шкадаревич, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2347–2348
98. Температурная зависимость коэффициента усиления и эффективных поперечных сечений генерационного перехода ~1,06 мкм в кристаллах гадолиний-скандий-галлиевого граната с хромом и неодимом
В. А. Беренберг, В. А. Бученков, В. Л. Евстигнеев, В. Г. Остроумов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2203–2207
99. Генерация ионов гольмия на переходе5I75I8 при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия
А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, В. В. Осико, В. Г. Остроумов, A. М. Прохоров, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, И. Т. Сорокина, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2127–2129
100. Оптимизация условий съема запасенной энергии в режиме модулированной добротности для активных элементов ГСГГ:Cr, Nd
P. H. Архипов, В. Л. Евстигнеев, Е. В. Жариков, С. M. Пшеничников, И. А. Щербаков, В. Е. Юмашев
Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1048–1050
101. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:5 (1986),  973–979
102. Пикосекундный лазер на кристалле ГСГГ:Cr, Nd
А. В. Бабушкин, Н. С. Воробьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. В. Осико, A. М. Прохоров, Ю. Н. Сердюченко, М. Я. Щелев, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:3 (1986),  655–656
103. Двухпроходовый малогабаритный лазерный усилитель на кристалле ГСГГ:Cr3+, Nd3+
Т. Т. Басиев, Е. В. Жариков, С. Б. Миров, С. Ю. Натаров, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, Е. И. Шкловский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:2 (1986),  412–414
104. Кристаллы скандий-галлиевых гранатов с хромом как активные среды лазеров на ИК переходах Ho3+ и Tm3+
Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, В. Г. Остроумов, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:1 (1986),  216–219
105. Нелинейная перекачка света в туннельно-связанных оптических волноводах
Д. Д. Гусовский, Е. М. Дианов, А. А. Майер, В. Б. Неуструев, Е. И. Шкловский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2312–2316
106. Усиление моноимпульсов кристаллом ГСГГ – Cr3+, Nd3+
Е. В. Жариков, В. В. Лаптев, С. Ю. Натаров, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, Е. И. Шкловский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2198–2199
107. О лазерной прочности активных элементов из гадолиний-скандий-галлиевого граната
Ю. К. Данилейко, Е. В. Жариков, В. В. Лаптев, Ю. П. Минаев, В. Н. Николаев, А. В. Сидорин, Г. Н. Торопкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 12:2 (1985),  430–432
108. Исследование новой активной среды лазера – кристалла гадолиний – скандий – галлиевого граната, активированного хромом и неодимом
Е. В. Жариков, В. В. Лаптев, В. Г. Остроумов, Ю. С. Привис, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1565–1574
109. Новые возможности Cr3+ как активатора рабочих сред твердотельных лазеров
Е. В. Жариков, С. В. Лаврищев, В. В. Лаптев, В. Г. Остроумов, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 11:3 (1984),  487–492
110. Генерационные характеристики лазера на гадолиний-скандий-галлиевом гранате, работающего в частотном режиме
Е. В. Жариков, М. Б. Житкова, Г. М. Зверев, М. П. Исаев, С. П. Калитин, И. И. Куратев, В. Р. Кушнир, В. В. Лаптев, В. В. Осико, В. А. Пашков, А. С. Пименов, A. М. Прохоров, В. А. Смирнов, М. Ф. Стельмах, А. В. Шестаков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1961–1963
111. Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. В. Осико, В. Г. Остроумов, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1916–1919
112. Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La2S3 и стеклах La2S3·2Ga2O3
А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, А. А. Соболь, В. В. Соколов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1560–1564
113. Определение оптимальных концентраций рабочих частиц в лазерных средах
Ю. С. Привис, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1338–1343
114. Деградация электронного возбуждения состояния 4F3/2 ионов Nd3+ в монокристалле γ-La2S3
А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, В. В. Соколов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:3 (1983),  569–573
115. Особенности спектрально-люминесцентных свойств ионов Nd3+ полупроводника γ-La2S3
А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, В. В. Соколов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:3 (1983),  557–562
116. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната, активированных ионами неодима и хрома
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. Г. Остроумов, П. П. Пашинин, А. С. Пименов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:1 (1983),  140–144
117. Активные среды для высокоэффективных неодимовых лазеров с неселективной накачкой
Е. В. Жариков, В. А. Житнюк, Г. М. Зверев, С. П. Калитин, И. И. Куратев, В. В. Лаптев, А. М. Онищенко, В. В. Осико, В. А. Пашков, А. С. Пименов, A. М. Прохоров, В. А. Смирнов, М. Ф. Стельмах, А. В. Шестаков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2531–2533
118. Абсолютный квантовый выход люминесценции ионов Cr3+ в кристаллах гадолиний-галлиевого и гадолиний-скандий-галлиевого гранатов
Е. В. Жариков, В. В. Лаптев, Е. И. Сидорова, Ю. П. Тимофеев, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1740–1741
119. Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов γ-La2S3
А. Н. Георгобиани, М. В. Глушков, А. А. Камарзин, Е. С. Логозинская, Ю. Н. Маловицкий, Ж. А. Пухлий, В. В. Соколов, И. М. Тигиняну, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1515–1517
120. Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al5O12
А. Г. Аванесов, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. С. Пирумов, В. П. Сакун, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:6 (1982),  1180–1185
121. Сенсибилизация излучения и ее применение для повышения эффективности активных сред твердотельных лазеров
А. Г. Аванесов, Б. И. Денкер, В. В. Осико, В. Г. Остроумов, В. П. Сакун, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:4 (1982),  681–688
122. Измерение абсолютного квантового выхода люминесценции с верхнего лазерного уровня Nd3+ в кристалле NdP5O14
Ф. Лутц, Е. И. Сидорова, Ю. П. Тимофеев, Г. Хубер, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:3 (1982),  612–613
123. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристалле Gd3Ga5O12
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. Г. Остроумов, П. П. Пашинин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:3 (1982),  568–573
124. Исследование механизмов взаимодействия ионов хрома и неодима в фосфатных стеклах
А. Г. Аванесов, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, Г. В. Максимова, В. В. Осико, С. С. Пирумов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1442–1450
125. Синтез и исследование спектрально-люминесцентных и генерационных свойств кристаллов алюмоборатов, активированных ионами хрома и неодима
Е. М. Дианов, М. В. Дмитрук, А. Я. Карасик, Е. О. Кирпиченкова, В. В. Осико, В. Г. Остроумов, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2105–2111
126. Измерения абсолютного квантового выхода люминесценции неодима в высококонцентрированных стеклах, соактивированных хромом
А. Г. Аванесов, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, А. А. Кутьенков, Г. В. Максимова, В. В. Осико, Е. И. Сидорова, Ю. П. Тимофеев, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2253–2256
127. Дискриминация неоднородно-уширенных спектров излучения неодима методом резонансного лазерного возбуждения
М. В. Глушков, Ю. В. Косичкин, В. В. Осико, Ж. А. Пухлий, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2215–2219
128. Безызлучательная передача энергии от ионов Cr3+ к ионам Nd3+ в высококонцентрированных неодимовых стеклах
А. Г. Аванесов, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, Г. В. Максимова, В. В. Осико, A. М. Прохоров, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1583–1585
129. Безызлучательные потери на переходе 4I11/24I13/2 иона Er3+ в кристаллах Y3Al5O12, Gd3Sc2Al3O12, Y3Ga5O12, Gd3Ga5O12, CaF2
М. Х. Ашуров, Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1028–1033
130. Концентрационные зависимости квантового выхода люминесценции в лазерных матрицах, активированных неодимом, и микроскопический подход к их определению
Б. И. Денкер, В. В. Осико, А. М. Прохоров, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 5:4 (1978),  847–856
131. Корреляция эффективности кооперативной сенсибилизации люминесценции с интенсивностью релеевского рассеяния
А. В. Дмитрюк, Г. О. Карапетян, А. А. Маненков, В. В. Осико, А. И. Ритус, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1661–1665
132. Селективное возбуждение активаторных центров в конденсированных средах с неоднородным уширением спектральных линий
Е. М. Дианов, А. Я. Карасик, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1050–1055
133. Исследование безызлучательных потерь и импульсно-периодического режима генерации Li–Nd–La-фосфатного стекла
Б. И. Денкер, А. В. Кильпио, Г. В. Максимова, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, А. М. Прохоров, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 4:3 (1977),  688–691
134. Исследование эффекта аномально слабого тушения люминесценции ионов Nd3+ в кристаллах La1–xNdxP5O14
И. А. Бондарь, Б. И. Денкер, А. И. Доманский, Т. Г. Мамедов, Л. П. Мезенцева, В. В. Осико, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 4:2 (1977),  302–309
135. Сечение лазерного перехода 4I11/24I13/2 иона Er3+ в кристалле иттрий-эрбий-алюминиевого граната
Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 4:1 (1977),  198–201
136. Физико-химические, спектрально-люминесцентные и генерационные исследования фосфатных стекол с высокой концентрацией неодима
С. Х. Батыгов, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, А. А. Зленко, А. Я. Карасик, Г. В. Максимова, В. Б. Неуструев, В. В. Осико, В. А. Сычугов, И. А. Щербаков, Ю. С. Кузьминов
Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2243–2247
137. Излучательные и безызлучательные переходы Er3+ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах
Т. Т. Басиев, Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, А. М. Прохоров, Б. П. Стариков, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1471–1477
138. Спектроскопические свойства скандийсодержащих гранатов, активированных неодимом
Б. И. Денкер, В. В. Осико, Б. П. Стариков, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков, А. Я. Яблонский
Квантовая электроника, 3:3 (1976),  618–621
139. Коэффициенты Эйнштейна, сечения генерационного перехода и абсолютный квантовый выход люминесценции с метастабильного состояния Nd3+ 4F3/2 в лазерных стеклах и кристаллах граната
Е. М. Дианов, А. Я. Карасик, А. А. Кутьенков, В. Б. Неуструев, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 3:1 (1976),  168–173
140. Миграция энергии по ионам Yb3+ в кристаллах гранатов
Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, Т. Г. Мамедов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2172–2182
141. Измерение сечения генерационного перехода в неодимовых стеклах
Е. М. Дианов, А. Я. Карасик, Л. С. Корниенко, А. М. Прохоров, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 2:8 (1975),  1665–1670
142. Исследование механизма безызлучательной релаксации метастабильного состояния Nd3+ 4F3/2 в силикатном стекле
Т. Т. Басиев, Т. Г. Мамедов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1269–1277
143. Измерение вероятностей излучательных переходов из метастабильного состояния Nd3+ в силикатных стеклах
Е. М. Дианов, Т. Г. Мамедов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 2:1 (1975),  133–135
144. Синтез и исследование монокристаллов Ndx La1–xP5O14
И. А. Бондарь, Т. Г. Мамедов, Л. П. Мезенцева, И. А. Щербаков, А. И. Доманский
Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2625–2628

145. Памяти Михаила Яковлевича Щелева
С. Н. Багаев, Е. М. Дианов, В. И. Конов, О. Н. Крохин, Г. А. Месяц, В. В. Осико, П. П. Пашинин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1066
146. К 80-летию Валентина Георгиевича Дмитриева (15.11.1936–15.09.2011)
О. Н. Крохин, Г. М. Зверев, Ю. В. Гуляев, И. Б. Ковш, И. А. Щербаков, В. А. Макаров, А. С. Бугаев, Н. Н. Кудрявцев, С. М. Копылов, А. А. Фомичев, Ю. Д. Голяев, С. Р. Рустамов, С. Г. Гречин, А. В. Приезжев, А. С. Семенов
Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1065
147. К 75-летию Сергея Николаевича Багаева
Ж. И. Алфёров, А. Ф. Андреев, А. Л. Асеев, Е. А. Виноградов, Е. М. Дианов, О. Н. Крохин, Н. П. Лаверов, А. Г. Литвак, В. Я. Панченко, А. М. Сергеев, А. Н. Скринский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 46:10 (2016),  972
148. К 100-летию Александра Михайловича Прохорова
Е. М. Дианов, В. И. Конов, О. Н. Крохин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 46:7 (2016),  672–674
149. Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения)
Е. Б. Александров, Ж. И. Алфёров, А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Г. Забродский, А. А. Каплянский, О. Н. Крохин, В. Б. Тимофеев, А. В. Чаплик, И. А. Щербаков
УФН, 186:12 (2016),  1381–1382
150. Кев Минуллинович Салихов (к 80-летию со дня рождения)
А. Ф. Андреев, С. Н. Багаев, В. К. Воронкова, А. А. Калачёв, Ю. Н. Молин, Л. В. Мосина, И. В. Овчинников, Р. З. Сагдеев, В. Ф. Тарасов, В. В. Устинов, Ю. Д. Цветков, И. А. Щербаков
УФН, 186:12 (2016),  1377–1378
151. Памяти Фёдора Васильевича Бункина
С. Н. Багаев, А. В. Гапонов-Грехов, Е. М. Дианов, В. И. Конов, О. Н. Крохин, Г. А. Ляхов, Г. А. Месяц, В. В. Осико, П. П. Пашинин, О. В. Руденко, Г. А. Шафеев, И. А. Щербаков
УФН, 186:7 (2016),  799–800
152. Геннадий Андреевич Месяц (к 80-летию со дня рождения)
А. В. Гуревич, Л. М. Зелёный, К. П. Зыбин, Н. С. Кардашёв, Б. М. Ковальчук, Н. Н. Колачевский, Н. А. Ратахин, М. В. Садовский, В. Е. Фортов, В. Н. Чарушин, В. Г. Шпак, И. А. Щербаков
УФН, 186:2 (2016),  223–224
153. Евгений Михайлович Дианов (к 80-летию со дня рождения)
А. Ф. Андреев, М. М. Бубнов, Ф. В. Бункин, И. А. Буфетов, В. И. Конов, О. Н. Крохин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, А. Л. Томашук, В. Е. Фортов, И. А. Щербаков
УФН, 186:1 (2016),  111–112
154. Владимир Евгеньевич Фортов (к 70-летию со дня рождения)
А. Ф. Андреев, А. В. Гапонов-Грехов, С. С. Герштейн, В. Е. Захаров, Л. М. Зелёный, Г. А. Месяц, Ю. М. Михайлов, В. А. Рубаков, О. В. Руденко, В. А. Садовничий, И. М. Халатников, А. Е. Шейндлин, И. А. Щербаков
УФН, 186:1 (2016),  109–110
155. Валерий Анатольевич Рубаков (к 60-летию со дня рождения)
Д. С. Горбунов, Л. В. Келдыш, Л. В. Кравчук, Д. Г. Левков, М. В. Либанов, В. А. Матвеев, О. В. Руденко, М. В. Сажин, С. В. Троицкий, В. Е. Фортов, М. Е. Шапошников, И. А. Щербаков
УФН, 185:2 (2015),  221–222
156. Памяти Александра Алексеевича Маненкова (02.01.1930 – 26.03.2014)
Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, Г. М. Зверев, В. И. Конов, О. Н. Крохин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 44:6 (2014),  612
157. Памяти Тасолтана Тазретовича Басиева
О. Н. Крохин, В. В. Осико, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 42:4 (2012),  376
158. Памяти Александра Аполлоновича Казакова
О. Н. Крохин, Ю. В. Гуляев, А. С. Сигов, И. А. Щербаков, А. С. Бугаев, Н. Н. Кудрявцев, С. М. Копылов, Г. М. Зверев, И. Б. Ковш, В. А. Макаров, А. А. Фомичев
Квантовая электроника, 42:4 (2012),  375
159. Валентин Георгиевич Дмитриев (15 ноября 1936 г. — 15 сентября 2011 г.)
О. Н. Крохин, А. А. Казаков, Г. М. Зверев, Ю. В. Гуляев, И. Б. Ковш, И. А. Щербаков, В. А. Макаров, А. С. Бугаев, Н. Н. Кудрявцев, А. А. Фомичев, С. Г. Гречин, А. В. Приезжев, А. С. Семенов
Квантовая электроника, 41:10 (2011),  956
160. Сергей Николаевич Багаев (к 70-летию со дня рождения)
Ж. И. Алфёров, А. Ф. Андреев, А. Л. Асеев, А. А. Боярчук, Ф. В. Бункин, Е. А. Виноградов, А. В. Гапонов-Грехов, Е. М. Дианов, О. Н. Крохин, Э. П. Кругляков, А. Н. Скринский, И. А. Щербаков
УФН, 181:10 (2011),  1123–1124
161. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
Е. Б. Александров, Ж. И. Алферов, С. Н. Багаев, Т. Т. Басиев, А. Г. Забродский, В. В. Кведер, Л. В. Келдыш, Б. В. Новиков, В. В. Осико, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, И. А. Щербаков
УФН, 181:1 (2011),  115–116
162. К истории создания лазера
И. А. Щербаков
УФН, 181:1 (2011),  71–78
163. Поправка к статье: Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
А. Н. Алпатьев, Д. А. Лис, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 40:8 (2010),  752
164. К 80-летию А. А. Маненкова
С. Н. Багаев, Т. Т. Басиев, Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, Н. В. Карлов, В. И. Конов, П. П. Пашинин, И. А. Щербаков, В. В. Осико
Квантовая электроника, 40:2 (2010),  188
165. Памяти М. Ф. Стельмаха (1918 — 1993)
О. Н. Крохин, А. А. Казаков, И. Б. Ковш, Г. М. Зверев, В. Г. Дмитриев, И. А. Щербаков, А. В. Приезжев, А. С. Семенов
Квантовая электроника, 39:1 (2009),  110
166. Николай Васильевич Карлов (к 80-летию со дня рождения)
С. Н. Багаев, А. А. Боярчук, Ф. В. Бункин, А. В. Гапонов-Грехов, Е. М. Дианов, В. И. Конов, О. Н. Крохин, Г. А. Месяц, В. В. Осико, П. П. Пашинин, О. В. Руденко, И. А. Щербаков
УФН, 179:10 (2009),  1141–1142
167. Федор Васильевич Бункин (к 80-летию со дня рождения)
С. Н. Багаев, А. А. Боярчук, А. В. Гапонов-Грехов, Е. М. Дианов, Н. В. Карлов, В. И. Конов, О. Н. Крохин, Г. А. Месяц, В. В. Осико, П. П. Пашинин, О. В. Руденко, И. А. Щербаков
УФН, 179:1 (2009),  109–110
168. К 70-летию В. П. Макарова
О. Н. Крохин, И. А. Щербаков, А. А. Рухадзе
Квантовая электроника, 38:2 (2008),  204
169. Институту общей физики им. А. М. Прохорова РАН 25 лет
И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 37:10 (2007),  895–896
170. Памяти Сергея Ивановича Яковленко
И. А. Щербаков, Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, В. И. Конов, В. В. Осико, Т. Т. Басиев, В. П. Макаров, О. Н. Крохин, И. Г. Зубарев, И. Б. Ковш, А. С. Семенов
Квантовая электроника, 37:2 (2007),  204
171. А. М. Прохоров — основатель Института общей физики
Н. В. Карлов, В. И. Конов, В. В. Осико, И. А. Щербаков
УФН, 177:6 (2007),  684–689
172. Предисловие к юбилейному номеру
И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 36:7 (2006),  581
173. Евгений Михайлович Дианов
Ж. И. Алфёров, А. Ф. Андреев, А. А. Боярчук, Ф. В. Бункин, В. И. Конов, О. Н. Крохин, А. Л. Микаэлян, В. В. Осико, Ю. А. Осипьян, П. П. Пашинин, М. Ф. Чурбанов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 36:1 (2006),  94
174. Памяти Михаила Леоновича Тер-Микаеляна
Э. С. Варданян, В. Л. Гинзбург, Ю. М. Каган, Л. В. Келдыш, Б. В. Крыжановский, А. Л. Микаэлян, М. И. Рязанов, Ф. Т. Саркисян, В. Я. Файнберг, Е. Л. Фейнберг, Ю. Г. Шукурян, И. А. Щербаков
УФН, 174:9 (2004),  1029–1030
175. Памяти Анатолия Николаевича Ораевского
Г. А. Месяц, С. Н. Багаев, Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, О. Н. Крохин, И. И. Собельман, И. А. Щербаков, В. С. Зуев, Н. А. Ирисова, И. Б. Ковш, А. А. Маненков, А. Г. Молчанов, Ю. М. Попов, Е. Д. Проценко, А. С. Семенов, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 33:9 (2003),  845–846
176. Памяти Александра Михайловича Прохорова
Ж. И. Алферов, А. Ф. Андреев, А. А. Боярчук, Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, Н. В. Карлов, В. И. Конов, Г. А. Месяц, В. В. Осико, П. П. Пашинин, В. Е. Фортов, И. А. Щербаков
УФН, 172:7 (2002),  841–842
177. Игорь Ильич Собельман (к 70-летию со дня рождения)
Н. Г. Басов, А. М. Бонч-Бруевич, А. А. Боярчук, В. Л. Гинзбург, Н. С. Кардашов, Ю. В. Копаев, О. Н. Крохин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, В. П. Силин, И. А. Щербаков
УФН, 167:3 (1997),  343–344
178. Вячеслав Васильевич Осико (к пятидесятилетию со дня рождения)
В. И. Александров, Т. Т. Басиев, Ф. В. Бункин, В. Г. Веселаго, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, Е. В. Жариков, Н. В. Карлов, Ю. С. Кузьминов, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, И. Н. Сисакян, А. А. Соболь, В. М. Татаринцев, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:5 (1982),  1072

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017