RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Попов Юрий Михайлович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 115
Научных статей: 107
Цитированных статей: 21
Ссылок в Math-Net.Ru: 58

Статистика просмотров:
Эта страница:444
Страницы публикаций:6327
Полные тексты:3104
Списки литературы:118
главный научный сотрудник
доктор физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person45289
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм
В. В. Безотосный, А. А. Козырев, Н. С. Кондакова, С. А. Кондаков, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 47:1 (2017),  5–6
2. Особенности спектров генерации и тепловое сопротивление непрерывных лазерных диодов с длиной волны излучения 976 нм и мощностью до 15 Вт
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 46:8 (2016),  679–681
3. Лазерные диоды на длине волны 980 нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунтов
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1088–1090
4. Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 44:10 (2014),  899–902
5. Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм
В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 44:2 (2014),  145–148
6. Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме
Е. Е. Ашкинази, В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. И. Коваленко, В. И. Конов, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, А. Ф. Попович, В. Г. Ральченко, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 42:11 (2012),  959–960
7. Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт
В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 39:3 (2009),  241–243
8. Модификация структуры металлических пленок излучением твердотельного лазера с диодной накачкой для повышения выходных параметров мощных лазерных диодов
В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. И. Коваленко, О. Н. Крохин, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, В. Н. Токарев, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1055–1059
9. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра
И. П. Казаков, В. И. Козловский, В. П. Мартовицкий, Я. К. Скасырский, Ю. М. Попов, П. И. Кузнецов, Г. Г. Якущева, А. О. Забежайлов, Е. М. Дианов
Квантовая электроника, 37:9 (2007),  857–862
10. Лазерная электронно-лучевая трубка с монолитным лазерным экраном
В. Ю. Бондарев, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, Ю. М. Попов, Д. Е. Свиридов, Я. К. Скасырский
Квантовая электроника, 37:9 (2007),  853–856
11. Высокоэффективный компактный Nd3+:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором
В. В. Безотосный, Н. Ф. Глущенко, И. Д. Залевский, Ю. М. Попов, В. П. Семенков, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 35:6 (2005),  507–510
12. Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры GaInP/AlGaInP с резонансно-периодическим усилением
В. Ю. Бондарев, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, Ю. М. Попов, Я. К. Скасырский
Квантовая электроника, 34:10 (2004),  919–923
13. Об истории создания инжекционного лазера
Ю. М. Попов
УФН, 174:10 (2004),  1142–1144
14. Использование потенциалов нулевого радиуса в качестве алгоритма решения квантовой задачи рассеяния
В. В. Соколовский, Ю. М. Попов, А. А. Гусев, С. И. Виницкий
Выч. мет. программирование, 5:1 (2004),  83–95
15. Порог и КПД генерации в лазерной электронно-лучевой трубке, работающей при комнатной температуре
В. И. Козловский, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 33:1 (2003),  48–56
16. Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки
В. И. Козловский, Х. Х. Кумыков, И. В. Малышев, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 32:4 (2002),  297–302
17. Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50%
В. В. Безотосный, П. В. Булаев, В. А. Горбылев, И. Д. Залевский, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, А. А. Падалица
Квантовая электроника, 25:4 (1998),  303–304
18. Полупроводниковые лазеры
П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 24:12 (1997),  1067–1079
19. Излучательные характеристики двумерных матриц инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs на длине волны 0.81 мкм для систем накачки твердотельных активных элементов
А. С. Адливанкин, В. В. Безотосный, Н. В. Маркова, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов, С. Н. Порезанов
Квантовая электроника, 23:11 (1996),  974–976
20. Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K
Н. Г. Басов, Е. М. Дианов, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, А. С. Насибов, Ю. М. Попов, A. М. Прохоров, П. А. Трубенко, Е. А. Щербаков
Квантовая электроника, 22:8 (1995),  756–758
21. Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров
В. В. Безотосный, Ю. П. Коваль, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, М. Н. Грудень, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 22:2 (1995),  101–104
22. Энергетические и временные характеристики излучения стримерного лазера с продольным выходом излучения
А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. А. Фролов
Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1790–1792
23. Стримерный лазер на сульфиде цинка
А. З. Обидин, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. А. Фролов, Ю. В. Коростелин, П. В. Шапкин
Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1764–1766
24. Ширина линии генерации инжекционных лазеров в квазиодночастотном режиме
В. Н. Морозов, Р. Ф. Набиев, Ю. М. Попов, В. Р. Шидловский
Квантовая электроника, 15:1 (1988),  203–207
25. Влияние легирования на пороговые характеристики лазеров на основе GaAs
Б. М. Лаврушин, Р. Ф. Набиев, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 15:1 (1988),  78–84
26. Спектрально-временная динамика излучения стримерного полупроводникового лазера
Р. Ф. Набиев, А. З. Обидин, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1230–1234
27. Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)
Н. Г. Басов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев
Квантовая электроника, 14:3 (1987),  437–451
28. Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда
М. В. Долгов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, И. В. Ербен, В. Шарф, А. Вольф
Квантовая электроника, 14:1 (1987),  190–192
29. Измерение частотного сдвига в пикосекундном импульсе инжекционного лазера с синхронизацией мод
П. П. Васильев, В. Н. Морозов, Г. Т. Пак, Ю. М. Попов, А. Б. Сергеев
Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1297–1299
30. Монокристаллы твердых растворов ZnSe1–xTex, Zn1–xCdxSe, ZnxCd1–xS для лазеров с накачкой электронным пучком
А. М. Ахекян, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, Ю. М. Попов, П. В. Шапкин
Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1113–1116
31. Влияние экранированного кулоновского взаимодействия на спектры оптического усиления в CdS
Б. М. Лаврушин, Р. Ф. Набиев, А. С. Насибов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1084–1086
32. Полупроводниковый лазер на переходах между уровнями размерного квантования с раздельными электронным и оптическим ограничениями
Ал. Г. Алексанян, А. Г. Алексанян, Г. Э. Мирзабекян, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1885–1887
33. Электроразрядный (стримерный) лазер на InP
В. Д. Дубров, И. Исмаилов, А. З. Обидин, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. А. Фролов
Квантовая электроника, 11:3 (1984),  611–613
34. Оптическая накачка лазера на CdS0,5Se0,5 излучением стримерного лазера на CdS
А. З. Обидин, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. А. Фролов
Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1942–1943
35. Возбуждение поверхностных плазменных колебаний и их излучение в структурах с пространственно-неоднородными граничными условиями
Э. М. Беленов, А. Ю. Быковский, И. Н. Компанец, А. В. Парфенов, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, С. И. Сагитов, Е. М. Соболева, А. Г. Соболев, А. В. Усков
Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1927–1929
36. Исследование генерации света в направлении стримерного канала в полупроводниках А2В6
А. З. Обидин, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. А. Фролов
Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1165–1170
37. Исследование свечения структур металл – барьер – металл
Э. М. Беленов, И. Н. Компанец, А. А. Крохоткин, А. В. Лежнев, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, С. И. Сагитов, Е. М. Соболева, А. Г. Соболев, А. В. Усков, В. Г. Цуканов
Квантовая электроника, 10:4 (1983),  729–735
38. Влияние поляризации излучения инжекционных лазеров на эффективность акустооптического взаимодействия в анизотропных кристаллах
В. А. Кондратьев, В. Н. Морозов, Ю. М. Попов, Г. И. Семенов
Квантовая электроника, 10:3 (1983),  638–640
39. Интегрально-оптический фотоприемник на внешнем фотоэффекте через барьер Шоттки
В. А. Караванский, В. Н. Морозов, Л. Ф. Плавич, Ю. М. Попов, В. Л. Смирнов
Квантовая электроника, 10:2 (1983),  449–452
40. Увеличение эффективности излучения поверхностных плазменных колебаний в структуре металл – барьер – металл – жидкий кристалл
Э. М. Беленов, И. Н. Компанец, А. В. Парфенов, Ю. М. Попов, И. А. Полуэктов, С. И. Сагитов, Е. М. Соболева, А. Г. Соболев, А. В. Усков, В. Г. Цуканов
Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2306–2307
41. Генерация электромагнитных колебаний МБМБМ-структурами
А. Г. Алексанян, Э. М. Беленов, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов, И. А. Полуэктов, А. Г. Соболев, А. В. Усков, В. Г. Цуканов
Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1700–1702
42. Пространственно-временные и мощностные характеристики стримерного полупроводникового лазера на CdS
А. З. Обидин, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. А. Фролов, Р. Ф. Набиев
Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1530–1535
43. Усиление поверхностных плазменных колебаний в сложных структурах металл–барьер–металл
Э. М. Беленов, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов, И. А. Полуэктов, С. И. Сагитов, Е. М. Соболева, А. Г. Соболев, А. В. Усков, В. Г. Цуканов
Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1463–1464
44. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы поглощения и индуцированного излучения в CdS
В. И. Козловский, Р. Ф. Набиев, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 9:4 (1982),  806–810
45. Лазерные экраны из монокристаллических пленок ZnSe и ZnTe, выращенных на сапфире
А. В. Дуденкова, А. С. Насибов, Э. А. Сенокосов, С. Д. Скорбун, Ю. М. Попов, А. Н. Усатый, В. М. Царан
Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1380–1382
46. Регистрация света с помощью МДП-структуры, работающей в режиме лавинного умножения
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Э. Шубин
Квантовая электроника, 8:4 (1981),  785–792
47. Исследование решетчатых структур в составных волноводах
A. M. Андриеш, Ю. Н. Иващенко, В. А. Караванский, В. Н. Морозов, В. А. Плетнев, Ю. М. Попов, В. Л. Смирнов
Квантовая электроника, 8:4 (1981),  732–736
48. К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки
П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 8:1 (1981),  206–209
49. Запись голограмм излучением полупроводникового лазера с голографическим селектором
А. В. Воробьев, В. А. Елхов, И. И. Климов, В. Н. Морозов, Г. Т. Пак, Ю. М. Попов, Р. П. Шидловский, И. В. Яшумов
Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2654–2656
50. Запись бинарных сигналов во внешнем голографическом запоминающем устройстве с помощью управляемого одномерного транспаранта на основе ЦТСЛ-керамики
П. Варга, Ч. Захар, Г. Киш, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов, П. Н. Семочкин, А. Г. Соболев
Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2568–2572
51. О методике измерения коэффициента оптического усиления полупроводниковых материалов
А. Г. Зверев, Р. Ф. Набиев, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, С. Д. Скорбун
Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2011–2014
52. Влияние спектра внешней подсветки на переходные и автомодуляционные процессы в инжекционном лазере
В. Н. Морозов, Ю. М. Попов, А. Б. Сергеев, И. А. Скопин
Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1995–1998
53. Запись и считывание информации излучением инжекционных лазеров для голографических запоминающих устройств
С. П. Калашников, В. И. Молочев, В. А. Пилипович, Ю. М. Попов, Г. И. Семенов, С. Г. Шматин
Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1826–1827
54. Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ
В. И. Козловский, С. В. Кучаев, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, Р. М. Саввина, В. Н. Селезнев
Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1585–1588
55. Исследование мультиплексора каналов передачи информации с частотным уплотнением
В. А. Караванский, В. Н. Морозов, Ю. М. Попов, В. Л. Смирнов
Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1360–1362
56. Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092
57. Исследование деградации лазерного экрана электронно-лучевой трубки
А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. И. Решетов
Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1058–1062
58. Пространственная модуляция света в фоточувствительных высокоразрешающих структурах МДП с жидким кристаллом
А. В. Парфенов, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 7:2 (1980),  290–298
59. Регистрация фурье-голограмм в оптической системе с синтезированной апертурой
А. Н. Малов, В. Н. Морозов, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 7:2 (1980),  282–289
60. Исследование условий согласования полупроводниковых излучателей с тонкопленочными планарными и полосковыми волноводами
В. А. Караванский, В. И. Молочев, В. Н. Морозов, В. В. Пономарь, Ю. М. Попов, В. Л. Смирнов
Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2262–2264
61. Когерентное взаимодействие мощных импульсов света с экситонно-примесными центрами в молекулярных кристаллах
Л. Валкунас, Э. Гайжаускас, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 6:9 (1979),  1971–1976
62. Пространственная модуляция света в фоточувствительной структуре жидкий кристалл – изолированный кристалл арсенида галлия
И. Н. Компанец, А. В. Парфенов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1810–1812
63. Цифровая обработка информации на оптоэлектронных устройствах (обзор)
Э. А. Мнацаканян, В. Н. Морозов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1125–1147
64. К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах
П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1057–1061
65. Сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком
А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. И. Решетов, Я. К. Скасырский
Квантовая электроника, 6:3 (1979),  603–604
66. О механизме генерации в лазерных экранах, выполненных из полупроводниковых соединений AIIBVI
В. И. Козловский, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 6:1 (1979),  189–196
67. О распространении через полупроводник мощных световых импульсов, индуцирующих переходы между зонами с различными эффективными массами
Ю. П. Лисовец, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 6:1 (1979),  120–126
68. Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, Е. Г. Сухов, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2408–2415
69. Влияние режима работы инжекционного лазера на эффективность ввода его излучения в волоконный световод
П. Г. Елисеев, В. Н. Лавров, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2038–2041
70. Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации равновесных носителей тока
Л. Н. Борович, А. В. Дуденкова, В. М. Леонов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин
Квантовая электроника, 5:3 (1978),  642–646
71. Способы реализации оптического процессора с переменными операторами
Н. Г. Басов, В. Г. Волчков, И. Н. Компанец, Ю. М. Кулибанов, С. К. Ли, Э. А. Мнацаканян, В. Н. Морозов, А. В. Парфенов, С. А. Попов, Ю. М. Попов, В. Б. Смолов
Квантовая электроника, 5:3 (1978),  533–542
72. Принципы построения оптических процессоров с переменными операторами
Н. Г. Басов, И. Н. Компанец, С. К. Ли, Э. А. Мнацаканян, В. Н. Морозов, С. А. Попов, Ю. М. Попов, В. Б. Смолов
Квантовая электроника, 5:3 (1978),  526–532
73. О распространении мощных световых импульсов через полупроводник в условиях междузонного взаимодействия
А. С. Александров, В. Ф. Елесин, Ю. П. Лисовец, В. Г. Михайлов, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 5:2 (1978),  359–370
74. Влияние поверхностной рекомбинации на порог генерации полупроводниковых лазеров
Е. Ф. Лощенкова, А. Г. Молчанов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 5:1 (1978),  148–150
75. Получение генерации в телевизионном режиме работы лазерной электронно-лучевой трубки при комнатной температуре лазерного экрана
В. И. Козловский, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, П. В. Резников
Квантовая электроника, 4:10 (1977),  2246–2248
76. Формирование изображения в когерентной системе с синтезированной апертурой
А. Н. Малов, В. Н. Морозов, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 4:9 (1977),  1981–1989
77. Кинетика генерации эксимерного излучения инертных газов в несамостоятельном электрическом разряде
М. Г. Войтик, А. Г. Молчанов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1722–1731
78. Восьмиканальная волоконно-оптическая линия связи между устройствами ЭВМ
Б. В. Алябьев, Н. Г. Басов, А. А. Зарецкий, М. А. Карцев, И. И. Климов, В. Д. Курносов, А. А. Мацвейко, В. Н. Морозов, Ю. М. Попов, Д. К. Саттаров, С. С. Сафиулина, А. С. Семенов, А. Б. Сергеев, М. Ф. Стельмах, Р. П. Шидловский, И. В. Яшумов
Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1610–1613
79. Повышение разрешающей способности когерентных оптических систем методом апертурного синтеза
А. Н. Малов, В. Н. Морозов, И. Н. Компанец, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1608–1610
80. Когерентное двухфотонное взаимодействие лазерного излучения с экситонами Френкеля
Э. Гайжаускас, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1578–1581
81. Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия
И. В. Акимова, Л. Н. Борович, И. П. Василищева, А. В. Дуденкова, А. В. Егоров, А. С. Насибов, О. Н. Таленский, Ю. М. Попов, П. В. Шапкин
Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1357–1359
82. О влиянии фазовой модуляции на двухбайтовое когерентное взаимодействие световых импульсов с резонансными средами
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 4:3 (1977),  651–653
83. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdSxSe1–x, ZnSe
В. И. Козловский, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин
Квантовая электроника, 4:2 (1977),  351–354
84. Влияние поверхностной обработки на катодолюминесценцию монокристаллов CdS
Л. Н. Борович, А. В. Дуденкова, Ю. М. Попов, Г. X. Талат, Л. Ф. Комолова, Г. В. Сапарин, Г. В. Спивак
Квантовая электроника, 4:1 (1977),  58–62
85. Голографическая память большой емкости с синтезированной апертурой
В. Н. Морозов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2325–2336
86. Влияние релаксационных процессов на когерентность двухквантового взаимодействия импульса света с резонансными средами
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 2:12 (1975),  2621–2624
87. Реверсивная запись оптической информации на структурах металл – диэлектрик – полупроводник
И. В. Коробов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев
Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2013–2018
88. Когерентные эффекты, возникающие при распространении ультракоротких импульсов света в среде в условиях двухквантового взаимодействия
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1147–1152
89. К теории распространения коротких и ультракоротких импульсов света в полупроводнике в условиях междузонного поглощения
A. С. Александров, В. Ф. Елесин, Ю. П. Лисовец, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, B. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 2:2 (1975),  332–336
90. К расчету согласования инжекционного лазера с диэлектрическим волноводом
Ю. М. Попов, Н. Н. Шуйкин
Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1780–1784
91. Когерентные эффекты при распространении ультракоротких импульсов света в резонансных средах. Часть II (обзор)
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 1:6 (1974),  1309–1344
92. Усиление света в полупроводниках при рекомбинации экситонов высокой концентрации
А. Г. Молчанов, Ю. М. Попов, А. М. Трунилин
Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1258–1261
93. Когерентные эффекты при распространении ультракоротких импульсов света в резонансных средах. Часть I (обзор)
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 1:4 (1974),  757–785
94. Фотолюминесцентные свойства и коэффициент усиления монокристаллов CdS, CdSe при возбуждении электронным пучком
Л. Н. Борович, А. В. Дуденкова, В. М. Леонов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин, В. К. Якушин, В. К. Якушин
Квантовая электроника, 1:3 (1974),  653–659
95. Модуляция излучения в полупроводниках с помощью эффекта Ганна
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 1:1 (1974),  155–158
96. К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1:1 (1974),  62–68
97. Оптическая память на основе структуры металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл
Г. М. Гуро, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1:1 (1974),  48–53
98. Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 1:1 (1974),  43–47
99. Возможность построения арифметического устройства с помощью управляемых световых транспарантов
Л. А. Орлов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1:1 (1974),  27–34
100. О вычислении квазиуровней Ферми и характеристик спонтанного излучения в сильнолегированных полупроводниках
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  117–119
101. Запоминающая система металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл с записью и считыванием лучом света
Н. Ф. Ковтонюк, В. А. Морозов, В. В. Никитин, Ю. М. Попов, В. Г. Фадин
Квантовая электроника, 1972, № 5(11),  58–62
102. Распространение ультракороткого импульса света в полупроводнике в условиях двухфотонного резонанса
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 1972, № 4(10),  111–113
103. Коэффициент усиления света в сильно легированных полупроводниках
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  77–83
104. Усиление фотосигнала в структурах металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл
Н. Ф. Ковтонюк, В. А. Морозов, В. В. Никитин, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1971, № 6,  113–114
105. Прохождение когерентного ультракороткого импульса света через полупроводник
Ю. П. Лисовец, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Квантовая электроника, 1971, № 5,  28–36
106. О влиянии концентрации примесей на пороговые характеристики полупроводниковых квантовых генераторов
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1971, № 3,  15–22
107. Вынужденное излучение в области вакуумного ультрафиолета
Н. Г. Басов, В. А. Данилычев, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 1971, № 1,  29–34
108. Полупроводниковый квантовый генератор на $p$$n$-переходе в $\mathrm{GaAs}$
В. С. Багаев, Н. Г. Басов, Б. М. Вул, Б. Д. Копыловский, О. Н. Крохин, Е. П. Маркин, Ю. М. Попов, А. Н. Хвощев, А. П. Шотов
Докл. АН СССР, 150:2 (1963),  275–278

109. История создания инжекционного лазера
Ю. М. Попов
УФН, 181:1 (2011),  102–107
110. Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (Звенигород, 27 — 29 ноября 2007 г.)
И. Н. Завестовская, О. Н. Крохин, Ю. М. Попов, А. С. Семенов
Квантовая электроника, 38:3 (2008),  294–297
111. Памяти Анатолия Николаевича Ораевского
Г. А. Месяц, С. Н. Багаев, Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, О. Н. Крохин, И. И. Собельман, И. А. Щербаков, В. С. Зуев, Н. А. Ирисова, И. Б. Ковш, А. А. Маненков, А. Г. Молчанов, Ю. М. Попов, Е. Д. Проценко, А. С. Семенов, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 33:9 (2003),  845–846
112. Поправка к статье: Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки
В. И. Козловский, Х. Х. Кумыков, И. В. Малышев, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564
113. Олег Николаевич Крохин
(к семидесятилетию со дня рождения)

Ж. И. Алферов, А. Ф. Андреев, С. Н. Багаев, А. А. Боярчук, В. Л. Гинзбург, Н. С. Кардашев, Л. В. Келдыш, Ю. В. Копаев, Г. А. Месяц, Ю. М. Попов, И. И. Собельман, Е. Л. Фейнберг
УФН, 172:6 (2002),  723–724
114. Памяти Николая Геннадиевича Басова
A. М. Прохоров, Л. В. Келдыш, О. Н. Крохин, М. А. Васильев, Н. С. Кардашев, Ю. В. Копаев, А. Н. Лебедев, И. И. Собельман, А. Н. Стародуб, Н. А. Борисевич, М. Д. Галанин, А. И. Исаков, В. С. Летохов, С. И. Никольский, В. П. Силин, В. Я. Файнберг, Л. П. Феоктистов, В. А. Исаков, Р. В. Амбарцумян, Ю. В. Афанасьев, А. В. Виноградов, А. З. Грасюк, М. А. Губин, И. Г. Зубарев, В. С. Зуев, А. Д. Клементов, Ю. Л. Кокурин, И. Б. Ковш, П. Г. Крюков, В. В. Никитин, А. Н. Ораевский, А. Л. Петров, Ю. М. Попов, В. Б. Розанов, А. С. Семенов, Г. В. Склизков
Квантовая электроника, 31:8 (2001),  751
115. Памяти Олега Владимировича Богданкевича
Н. Г. Басов, И. Б. Ковш, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 31:5 (2001),  470
116. Виталий Сергеевич Зуев (к пятидесятилетию со дня рождения)
Н. Г. Басов, Ф. В. Бункин, А. З. Грасюк, В. А. Данилычев, Е. М. Земсков, И. Г. Зубарев, Н. В. Карлов, В. А. Катулин, И. Б. Ковш, Ю. Л. Кокурин, А. Д. Клементов, О. Н. Крохин, П. Г. Крюков, В. С. Летохов, Л. Д. Михеев, О. Ю. Носач, А. Н. Ораевский, В. К. Орлов, Ю. М. Попов, В. А. Сауткин, Г. В. Склизков, И. И. Собельман, Ю. Ю. Стойлов, Ф. С. Файзуллов
Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1520

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017