RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Хохлов Дмитрий Ремович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 15
Научных статей: 15

Статистика просмотров:
Эта страница:1043
Страницы публикаций:3156
Полные тексты:940
Списки литературы:406
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person45625
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2018
1. А. В. Галеева, А. Е. Парафин, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Л. Панкратов, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности терагерцовой фотопроводимости в YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ вблизи температуры сверхпроводящего перехода”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018),  810–813  mathnet  elib; A. V. Galeeva, A. E. Parafin, D. V. Masterov, S. A. Pavlov, A. L. Pankratov, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Features of the terahertz photoconductivity in YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ near the superconducting transition temperature”, JETP Letters, 107:12 (2018), 785–788  isi  elib  scopus
2017
2. А. В. Галеева, А. И. Артамкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру”, Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017),  156–160  mathnet  elib; A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Terahertz photoconductivity in Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te near the transition from the direct to inverted spectrum”, JETP Letters, 106:3 (2017), 162–166  isi  scopus
2016
3. А. В. Галеева, С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, С. Н. Данилов, А. В. Никорич, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотогенерация в PbTe(Ga), индуцированная магнитным полем”, Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016),  64–67  mathnet  elib; A. V. Galeeva, S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, L. I. Ryabova, S. N. Danilov, A. V. Nikorici, D. R. Khokhlov, “Magnetic-field-induced terahertz photogeneration in PbTe(Ga)”, JETP Letters, 104:1 (2016), 68–70  isi  scopus
2014
4. Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца”, УФН, 184:10 (2014),  1033–1044  mathnet  elib; L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductors”, Phys. Usp., 57:10 (2014), 959–969  isi  elib  scopus
2013
5. Е. В. Тихонов, Ю. А. Успенский, Д. Р. Хохлов, “Особенности электронной структуры и фотоэмиссионных спектров органических молекулярных полупроводников: молекулы металл-фталоцианинов и PTCDA”, Письма в ЖЭТФ, 98:1 (2013),  17–22  mathnet  elib; E. V. Tikhonov, Yu. A. Uspenskii, D. R. Khokhlov, “Features in the electronic structure and photoemission spectra of organic molecular semiconductors: The molecules of metal-phthalocyanines and PTCDA”, JETP Letters, 98:1 (2013), 14–18  isi  elib  scopus
6. Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного терагерцового излучения”, Письма в ЖЭТФ, 97:12 (2013),  825–831  mathnet  elib; L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Probing of local electron states in Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) narrow-gap semiconductors by laser terahertz radiation”, JETP Letters, 97:12 (2013), 720–726  isi  elib  scopus
7. Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов, “Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую фотопроводимость в Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)”, Письма в ЖЭТФ, 97:9 (2013),  607–610  mathnet  elib; L. I. Ryabova, A. V. Nikorich, S. N. Danilov, D. R. Khokhlov, “Influence of electric current and magnetic field on terahertz photoconductivity in Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)”, JETP Letters, 97:9 (2013), 607–610  isi  elib  scopus
2010
8. И. А. Белогорохов, Д. А. Мамичев, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в ближней ИК-области”, Письма в ЖЭТФ, 92:10 (2010),  746–750  mathnet; I. A. Belogorohov, D. A. Mamichev, V. E. Pushkarev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Luminescent properties of semiconductor composite systems composed of erbium triphthalocyanine molecules and a silicon slot structure in the near-infrared region”, JETP Letters, 92:10 (2010), 676–680  isi  scopus
9. И. А. Белогорохов, М. А. Дронов, Е. В. Тихонов, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Частотные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости органических полупроводников на основе бутилзамещенных молекул монофталоцианина эрбия”, Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  676–679  mathnet; I. A. Belogorohov, M. A. Dronov, E. V. Tikhonov, V. E. Pushkarev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Frequency dependences of the imaginary and real parts of the permittivity of organic semiconductors based on butyl-substituted erbium monophthalocyanine molecules”, JETP Letters, 91:11 (2010), 607–610  isi  scopus
10. А. В. Галеева, Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Д. Ганичев, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) в терагерцовой спектральной области”, Письма в ЖЭТФ, 91:1 (2010),  37–39  mathnet; A. V. Galeeva, L. I. Ryabova, A. V. Nikorich, S. D. Ganichev, S. N. Danilov, V. V. Bel'kov, D. R. Khokhlov, “Photoconductivity of the narrow-gap Pb<sub>1 − x</sub>Sn<sub>x</sub>Te(In) semiconductors in the terahertz spectral range”, JETP Letters, 91:1 (2010), 35–37  isi  scopus
2007
11. И. А. Белогорохов, М. Н. Мартышов, Е. В. Тихонов, М. О. Бреусова, В. Е. Пушкарев, П. А. Форш, А. В. Зотеев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия”, Письма в ЖЭТФ, 85:12 (2007),  791–794  mathnet; I. A. Belogorohov, M. N. Martyshov, E. V. Tikhonov, M. O. Breusova, V. E. Pushkarev, P. A. Forsh, A. V. Zoteev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Vibronic and electric properties of semiconductor structures based on butyl-substituted mono-and triphthalocyanine containing erbium ions”, JETP Letters, 85:12 (2007), 655–657  isi  scopus
2006
12. А. И. Белогорохов, И. А. Белогорохов, М. И. Василевский, С. А. Гаврилов, Р. П. Миранда, Х. Диттрих, Д. Р. Хохлов, “Поглощение ИК излучения полярными оптическими фононами в массиве нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и квантовых нитей”, Письма в ЖЭТФ, 84:3 (2006),  152–155  mathnet; A. I. Belogorokhov, I. A. Belogorohov, M. I. Vasilevskii, S. A. Gavrilov, R. P. Miranda, T. Dittrich, D. R. Khokhlov, “Infrared absorption by polar optical phonons in a CdS nanocrystal array consisting of quantum dots and quantum wires”, JETP Letters, 84:3 (2006), 124–126  isi  scopus
13. Д. Р. Хохлов, “Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов”, УФН, 176:9 (2006),  983–987  mathnet; D. R. Khokhlov, “High-sensitivity terahertz radiation detectors based on a new class of semiconductor materials”, Phys. Usp., 49:9 (2006), 955–959  isi  scopus
2004
14. Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца”, Письма в ЖЭТФ, 80:2 (2004),  143–149  mathnet; L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Problem of impurity states in narrow-gap lead telluride-based semiconductors”, JETP Letters, 80:2 (2004), 133–139  scopus
2002
15. Б. А. Волков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца”, УФН, 172:8 (2002),  875–906  mathnet; B. A. Volkov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Mixed-valence impurities in lead telluride-based solid solutions”, Phys. Usp., 45:8 (2002), 819–846  isi

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020