RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Хохлов Дмитрий Ремович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 14
Научных статей: 14
Цитированных статей: 12
Ссылок в Math-Net.Ru: 265

Статистика просмотров:
Эта страница:732
Страницы публикаций:1690
Полные тексты:536
Списки литературы:188
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person45625
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру
А. В. Галеева, А. И. Артамкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017),  156–160
2. Терагерцовая фотогенерация в PbTe(Ga), индуцированная магнитным полем
А. В. Галеева, С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, С. Н. Данилов, А. В. Никорич, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016),  64–67
3. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов
УФН, 184:10 (2014),  1033–1044
4. Особенности электронной структуры и фотоэмиссионных спектров органических молекулярных полупроводников: молекулы металл-фталоцианинов и PTCDA
Е. В. Тихонов, Ю. А. Успенский, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 98:1 (2013),  17–22
5. Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного терагерцового излучения
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 97:12 (2013),  825–831
6. Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую фотопроводимость в Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)
Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 97:9 (2013),  607–610
7. Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в ближней ИК-области
И. А. Белогорохов, Д. А. Мамичев, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 92:10 (2010),  746–750
8. Частотные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости органических полупроводников на основе бутилзамещенных молекул монофталоцианина эрбия
И. А. Белогорохов, М. А. Дронов, Е. В. Тихонов, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  676–679
9. Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) в терагерцовой спектральной области
А. В. Галеева, Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Д. Ганичев, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 91:1 (2010),  37–39
10. Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия
И. А. Белогорохов, М. Н. Мартышов, Е. В. Тихонов, М. О. Бреусова, В. Е. Пушкарев, П. А. Форш, А. В. Зотеев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 85:12 (2007),  791–794
11. Поглощение ИК излучения полярными оптическими фононами в массиве нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и квантовых нитей
А. И. Белогорохов, И. А. Белогорохов, М. И. Василевский, С. А. Гаврилов, Р. П. Миранда, Х. Диттрих, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 84:3 (2006),  152–155
12. Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов
Д. Р. Хохлов
УФН, 176:9 (2006),  983–987
13. Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов
Письма в ЖЭТФ, 80:2 (2004),  143–149
14. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца
Б. А. Волков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов
УФН, 172:8 (2002),  875–906

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017