RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Мармалюк Александр Анатольевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 57
Научных статей: 55

Статистика просмотров:
Эта страница:699
Страницы публикаций:11631
Полные тексты:3475
Списки литературы:777
доктор технических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person47948
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2020
1. К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492  mathnet [K. Yu. Telegin, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, N. A. Volkov, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, A. N. Aparnikov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492]
2. О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков, “Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146  mathnet [O. O. Bagaeva, R. R. Galiev, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, V. V. Shishkov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power single-frequency semiconductor lasers”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 143–146  isi  scopus]
2019
3. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013  mathnet [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013  isi  scopus]
4. Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  931–935  mathnet [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes based on asymmetric double-quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 931–935  isi  scopus]
5. М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева, “Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  905–908  mathnet [M. A. Ladugin, N. V. Gul'tikov, A. A. Marmalyuk, V. P. Konyaev, A. V. Solov'eva, “Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 905–908  isi  scopus]
6. А. С. Аникеев, Т. А. Багаев, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами”, Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813  mathnet  elib [A. S. Anikeev, T. A. Bagaev, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes of the 770–790-nm range based on semiconductor nanostructures with narrow quantum wells”, Quantum Electron., 49:9 (2019), 810–813  isi  scopus]
7. О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Экспериментальные исследования мощных многомодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 49:7 (2019),  649–652  mathnet  elib [O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetric-waveguide multimode lasers”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 649–652  isi  scopus]
8. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, “Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  529–534  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, “Effect of (Al)GaAs/AlGaAs quantum confinement region parameters on the threshold current density of laser diodes”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 529–534  isi  scopus]
9. А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521  isi  scopus]
10. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, В. А. Стрелец, М. В. Богданович, П. В. Шпак, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, V. A. Strelets, M. V. Bogdanovich, P. V. Shpak, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500–1600 nm”, Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492  isi  scopus]
2018
11. М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995  mathnet  elib [M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, Yu. P. Koval', V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, A. V. Lobintsov, V. A. Simakov, “Compact laser diode array based on epitaxially integrated AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995  isi  scopus]
12. П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 48:6 (2018),  495–501  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetricwaveguide single-mode lasers”, Quantum Electron., 48:6 (2018), 495–501  isi  scopus]
13. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200  isi  scopus]
2017
14. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62”, Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, V. A. Simakov, “Laser diode arrays based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 62”, Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695  isi  scopus]
15. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70”, Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, E. I. Davydova, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, E. B. Ivanova, V. A. Simakov, “Laser diode bars based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 70”, Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293  isi  scopus]
16. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274  isi  scopus]
2016
17. И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450  mathnet  elib [I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450  isi  scopus]
2015
18. А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Беляков, И. В. Ладенков, А. Г. Фефелов, “Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239  mathnet  elib; A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “Stimulated emission at transitions between Wannier–Stark ladders in semiconductor superlattices”, JETP Letters, 102:4 (2015), 207–211  isi  scopus
19. Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. Ю. Чаморовский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в “ближайшем” ИК диапазоне спектра”, Квантовая электроника, 45:8 (2015),  697–700  mathnet  elib [Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. Yu. Chamorovsky, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Semiconductor lasers with a continuous tuning range above 100 nm in the nearest IR spectral region”, Quantum Electron., 45:8 (2015), 697–700  isi  scopus]
20. Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, “Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  601–603  mathnet  elib [N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, D. V. Peregudov, V. B. Studenov, A. V. Mazalov, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, “Pulsed electron-beam-pumped laser based on AlGaN/InGaN/GaN quantum-well heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 601–603  isi  scopus]
2013
21. Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм”, Квантовая электроника, 43:11 (2013),  994–998  mathnet  elib [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Broadband semiconductor optical amplifiers of the spectral range 750 – 1100 nm”, Quantum Electron., 43:11 (2013), 994–998  isi  scopus]
22. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью”, Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897  isi  scopus]
23. П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823  isi  scopus]
24. П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821  isi  scopus]
25. Е. В. Андреева, С. Н. Ильиченко, Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды диапазона 800 – 900 нм с колоколообразной формой спектра”, Квантовая электроника, 43:8 (2013),  751–756  mathnet  elib [E. V. Andreeva, S. N. Il'ichenko, Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes with bell-shaped spectra emitting in the range from 800 to 900 nm”, Quantum Electron., 43:8 (2013), 751–756  isi  scopus]
26. Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511  mathnet  elib [N. S. Degtyareva, S. A. Kondakov, G. T. Mikayelyan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, I. V. Yarotskaya, “High-power cw laser bars of the 750 – 790-nm wavelength range”, Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511  isi  scopus]
27. М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк, В. А. Петровский, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409  mathnet  elib [M. A. Ladugin, Yu. P. Koval', A. A. Marmalyuk, V. A. Petrovskii, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “High-power 850–870-nm pulsed lasers based on heterostructures with narrow and wide waveguides”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 407–409  isi  scopus]
2012
28. С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды “ближайшего” ИК диапазона с шириной спектра 100 нм”, Квантовая электроника, 42:11 (2012),  961–963  mathnet  elib [S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Nearest-IR superluminescent diodes with a 100-nm spectral width”, Quantum Electron., 42:11 (2012), 961–963  isi  scopus]
29. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений”, Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, V. A. Panarin, G. T. Mikaelyan, “Laser diode bars based on strain-compensated AlGaPAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 42:1 (2012), 15–17  isi  scopus]
2011
30. А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. А. Мармалюк, Н. А. Волков, В. С. Жолнеров, “Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты”, Квантовая электроника, 41:8 (2011),  692–696  mathnet  elib [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. A. Marmalyuk, N. A. Volkov, V. S. Zholnerov, “Spectral characteristics of a laser emitter designed for pumping and detecting a reference quantum transition of a caesium frequency standard”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 692–696  isi  scopus]
31. С. Н. Ильченко, Ю. О. Костин, И. А. Кукушкин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм”, Квантовая электроника, 41:8 (2011),  677–680  mathnet  elib [S. N. Il'chenko, Yu. O. Kostin, I. A. Kukushkin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes and semiconductor optical amplifiers for the spectral range 750 — 800 nm”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 677–680  isi  scopus]
2010
32. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699  isi  scopus]
33. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684  isi  scopus]
34. А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Усиление терагерцевого излучения на переходах между “лестницами” Ванье–Штарка в сверхрешетках со слабыми барьерами”, Квантовая электроника, 40:5 (2010),  400–405  mathnet  elib [A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Amplification of terahertz radiation on transitions between Wannier–Stark ladders in weak-barrier superlattices”, Quantum Electron., 40:5 (2010), 400–405  isi  scopus]
35. И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян, “Квантовый каскадный лазер (λ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97  mathnet  elib [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, G. T. Mikaelyan, “An 8-μm quantum cascade laserproduced by the metalorganic vapour phase epitaxy method”, Quantum Electron., 40:2 (2010), 95–97  isi  scopus]
2009
36. Р. Х. Акчурин, Л. Б. Берлинер, А. А. Малджы, А. А. Мармалюк, “Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs”, Матем. моделирование, 21:5 (2009),  114–126  mathnet
37. Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726  mathnet  elib [E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726  isi  scopus]
38. А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. Н. Яблонский, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, “Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке”, Квантовая электроника, 39:3 (2009),  247–250  mathnet  elib [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. N. Yablonskii, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, “Stimulated-emission wavelength switching in optically pumped InGaAs/AlGaInAs laser heterostructures”, Quantum Electron., 39:3 (2009), 247–250  isi  scopus]
39. Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20  mathnet  elib [E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20  isi]
2008
40. М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, “Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992  mathnet  elib [M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992  isi  scopus]
41. Е. В. Андреева, Н. А. Волков, Ю. О. Костин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 38:8 (2008),  744–746  mathnet  elib [E. V. Andreeva, N. A. Volkov, Yu. O. Kostin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, D. R. Sabitov, S. D. Yakubovich, “Broadband near-IR double quantum-well heterostructure superluminescent diodes”, Quantum Electron., 38:8 (2008), 744–746  isi  scopus]
42. В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе”, Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102  mathnet  elib [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102  isi  scopus]
2007
43. А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, Р. В. Чернов, “Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs”, Квантовая электроника, 37:6 (2007),  545–548  mathnet  elib [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, R. V. Chernov, “Refractive indices of solid AlGaInAs solutions”, Quantum Electron., 37:6 (2007), 545–548  isi  scopus]
2006
44. П. И. Лапин, Д. С. Мамедов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. Д. Якубович, “Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм”, Квантовая электроника, 36:4 (2006),  315–318  mathnet  elib [P. I. Lapin, D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. D. Yakubovich, “High-power broadband superluminescent diodes emitting in the 1000–1100-nm spectral range”, Quantum Electron., 36:4 (2006), 315–318  isi  scopus]
2005
45. В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм”, Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911  mathnet [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911  isi]
2004
46. Е. И. Давыдова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы”, Квантовая электроника, 34:9 (2004),  805–808  mathnet [E. I. Davydova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Single-mode ridge lasers fabricated in an inductively coupled plasma source”, Quantum Electron., 34:9 (2004), 805–808  isi]
47. Д. С. Мамедов, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, С. Д. Якубович, В. В. Прохоров, “Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 34:3 (2004),  206–208  mathnet [D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, S. D. Yakubovich, V. V. Prokhorov, “Double-pass superluminescent multilayer quantum-well (GaAl)As heterostructure diodes with a reduced power consumption”, Quantum Electron., 34:3 (2004), 206–208  isi]
2003
48. А. А. Андронов, М. Н. Дроздов, Д. И. Зинченко, А. А. Мармалюк, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Падалица, А. В. Соснин, А. В. Устинов, В. И. Шашкин, “Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора”, УФН, 173:7 (2003),  780–783  mathnet; A. A. Andronov, M. N. Drozdov, D. I. Zinchenko, A. A. Marmalyuk, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Padalitsa, A. V. Sosnin, A. V. Ustinov, V. I. Shashkin, “Transport in weak barrier superlattices and the problem of the terahertz Bloch oscillator”, Phys. Usp., 46:7 (2003), 755–758  isi
2002
49. В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, “Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода”, Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104  mathnet [V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104  isi]
50. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, M. Sh. Kobyakova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Low-frequency intensity fluctuations in high-power single-mode ridge quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814  isi]
51. П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218  mathnet [P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218  isi]
52. П. В. Булаев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Д. Б. Никитин, А. В. Петровский, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, В. В. Оськин, М. В. Зверков, В. А. Симаков, Г. М. Зверев, “Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения”, Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215  mathnet [P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215  isi]
2001
53. А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660  mathnet [A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660  isi]
1999
54. В. В. Безотосный, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Шишкин, “Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу”, Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2  mathnet [V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the p — n junction”, Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284  isi]
1998
55. А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин, В. А. Горбылев, “Расчетная оценка температуры Дебая и температурной зависимости теплоемкости нитридов алюминия, галлия и индия”, ТВТ, 36:5 (1998),  839–842  mathnet; A. A. Marmalyuk, R. Kh. Akchurin, V. A. Gorbylev, “Theoretical calculation of the Debye temperature and temperature dependence of heat capacity of aluminum, gallium and indium nitrides”, High Temperature, 36:5 (1998), 817–819  isi

2018
56. О. Н. Крохин, Ю. В. Гуляев, А. С. Сигов, И. А. Щербаков, М. Г. Васильев, В. П. Дураев, А. Г. Забродский, Г. М. Зверев, И. Б. Ковш, Ю. А. Кротов, Е. В. Кузнецов, А. А. Мармалюк, Ю. М. Попов, А. С. Семенов, В. А. Симаков, “Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)”, Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290  mathnet  elib [O. N. Krokhin, Yu. V. Gulyaev, A. S. Sigov, I. A. Shcherbakov, M. G. Vasil'ev, V. P. Duraev, A. G. Zabrodskii, G. M. Zverev, I. B. Kovsh, Yu. A. Krotov, E. V. Kuznetsov, A. A. Marmalyuk, Yu. M. Popov, A. S. Semenov, V. A. Simakov, “In memory of Vasilii Ivanovich Shveikin (4 February 1935 – 4 January 2018)”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 290  isi]
2002
57. П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564  mathnet

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020