RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Мармалюк Александр Анатольевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 46
Научных статей: 44

Статистика просмотров:
Эта страница:475
Страницы публикаций:6973
Полные тексты:1879
Списки литературы:476
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person47948
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов
Квантовая электроника, 48:6 (2018),  495–501
2. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин
Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
3. Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков
Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695
4. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков
Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
5. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин
Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
6. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии
И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк
Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
7. Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках
А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Беляков, И. В. Ладенков, А. Г. Фефелов
Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239
8. Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в "ближайшем" ИК диапазоне спектра
Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. Ю. Чаморовский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 45:8 (2015),  697–700
9. Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN
Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк
Квантовая электроника, 45:7 (2015),  601–603
10. Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм
Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 43:11 (2013),  994–998
11. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков
Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897
12. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков
Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
13. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков
Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
14. Широкополосные суперлюминесцентные диоды диапазона 800 – 900 нм с колоколообразной формой спектра
Е. В. Андреева, С. Н. Ильиченко, Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 43:8 (2013),  751–756
15. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая
Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511
16. Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами
М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк, В. А. Петровский, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, А. А. Падалица, В. А. Симаков
Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409
17. Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм
С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 42:11 (2012),  961–963
18. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17
19. Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. А. Мармалюк, Н. А. Волков, В. С. Жолнеров
Квантовая электроника, 41:8 (2011),  692–696
20. Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм
С. Н. Ильченко, Ю. О. Костин, И. А. Кукушкин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 41:8 (2011),  677–680
21. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая
Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
22. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая
Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
23. Усиление терагерцевого излучения на переходах между "лестницами" Ванье–Штарка в сверхрешетках со слабыми барьерами
А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица
Квантовая электроника, 40:5 (2010),  400–405
24. Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97
25. Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
Р. Х. Акчурин, Л. Б. Берлинер, А. А. Малджы, А. А. Мармалюк
Матем. моделирование, 21:5 (2009),  114–126
26. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм
Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский
Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
27. Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке
А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. Н. Яблонский, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан
Квантовая электроника, 39:3 (2009),  247–250
28. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом
Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин
Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
29. Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм
М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев
Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992
30. Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур
Е. В. Андреева, Н. А. Волков, Ю. О. Костин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 38:8 (2008),  744–746
31. Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев
Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102
32. Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, Р. В. Чернов
Квантовая электроника, 37:6 (2007),  545–548
33. Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм
П. И. Лапин, Д. С. Мамедов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 36:4 (2006),  315–318
34. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев
Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911
35. Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы
Е. И. Давыдова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин
Квантовая электроника, 34:9 (2004),  805–808
36. Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры
Д. С. Мамедов, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, С. Д. Якубович, В. В. Прохоров
Квантовая электроника, 34:3 (2004),  206–208
37. Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора
А. А. Андронов, М. Н. Дроздов, Д. И. Зинченко, А. А. Мармалюк, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Падалица, А. В. Соснин, А. В. Устинов, В. И. Шашкин
УФН, 173:7 (2003),  780–783
38. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода
В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников
Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104
39. Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица
Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814
40. Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский
Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218
41. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
П. В. Булаев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Д. Б. Никитин, А. В. Петровский, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, В. В. Оськин, М. В. Зверков, В. А. Симаков, Г. М. Зверев
Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215
42. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин
Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
43. Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу
В. В. Безотосный, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Шишкин
Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2
44. Расчетная оценка температуры Дебая и температурной зависимости теплоемкости нитридов алюминия, галлия и индия
А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин, В. А. Горбылев
ТВТ, 36:5 (1998),  839–842

45. Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)
О. Н. Крохин, Ю. В. Гуляев, А. С. Сигов, И. А. Щербаков, М. Г. Васильев, В. П. Дураев, А. Г. Забродский, Г. М. Зверев, И. Б. Ковш, Ю. А. Кротов, Е. В. Кузнецов, А. А. Мармалюк, Ю. М. Попов, А. С. Семенов, В. А. Симаков
Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290
46. Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский
Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018