| Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
|
2011 |
| 1. |
Н. Н. Леденцов, Д. А. Лотт, “Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры”, УФН, 181:8 (2011), 884–890  ; N. N. Ledentsov, J. A. Lott, “New-generation vertically emitting lasers as a key factor in the computer communication era”, Phys. Usp., 54:8 (2011), 853–858   |
|
2002 |
| 2. |
Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И. П. Сошников, В. М. Устинов, “Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002), 211–216 ; G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183 |
|
2001 |
| 3. |
И. Л. Крестников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Д. А. Бедарев, Е. Е. Заварин, Ю. Г. Мусихин, Н. М. Шмидт, А. Ф. Цацульников, А. С. Усиков, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, “Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы”, УФН, 171:8 (2001), 857–858 ; I. L. Krestnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, E. E. Zavarin, Yu. G. Musikhin, N. M. Shmidt, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 815–816 |
| 4. |
В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001), 855–857 ; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 |
|
1999 |
| 5. |
Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Н. Тулупенко, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, В. М. Устинов, Ю. М. Шерняков, Ж. И. Алфёров, “Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами”, УФН, 169:4 (1999), 459–464 ; L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396 |
|
1997 |
| 6. |
Д. Бимберг, И. П. Ипатова, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, В. Г. Малышкин, В. А. Щукин, “Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур”, УФН, 167:5 (1997), 552–555 ; D. Bimberg, I. P. Ipatova, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, V. G. Malyshkin, V. A. Shchukin, “Spontaneous ordering of semiconductor nanostructures”, Phys. Usp., 40:5 (1997), 529–532 |
|
1996 |
| 7. |
Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996), 423–428 ; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398 |
|
1995 |
| 8. |
Ж. И. Алфёров, Д. Бимберг, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И. Хейденрайх, “Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками”, УФН, 165:2 (1995), 224–225 ; Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216 |
|
1992 |
| 9. |
Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs
на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1715–1722 |
|
1991 |
| 10. |
А. Ю. Егоров, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. В. Мамутин, “Выращивание соединений в системе Yb$-$Ba$-$Cu$-$O с использованием
молекулярного пучка BaO”, ЖТФ, 61:8 (1991), 106–114 |
|
1990 |
| 11. |
П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, “Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей
в квантово-размерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1691–1693 |
| 12. |
П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии
гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 717–719 |
| 13. |
Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 361–363 |
| 14. |
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As
напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 359–361 |
| 15. |
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$)
и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 201–203 |
| 16. |
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей
в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО
лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 152–158 |
| 17. |
А. В. Бобыль, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, А. М. Минтаиров, В. М. Устинов, “Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы
в одиночных селективно-легированных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990), 90–95 |
|
1988 |
| 18. |
Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах
($J_{n}=52 А\cdotсм^{-2}$,
$T=300$ K)
при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой
с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1803–1807 |
|
1986 |
| 19. |
А. М. Васильев, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, В. М. Устинов, Д. Р. Яковлев, “Собственная люминесценция резкого гетероперехода
GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 353–356 |
| 20. |
Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 562–565 |
|
1985 |
| 21. |
Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные
слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985), 142–147 |
| 22. |
Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах
с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 715–721 |
|
1984 |
| 23. |
П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные
эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 270–274 |
|
|
|
2010 |
| 24. |
А. Ф. Андреев, А. Л. Асеев, Е. П. Велихов, А. А. Горбацевич, Ю. В. Гуляев, А. Е. Жуков, Л. В. Келдыш, Г. Я. Красников, Н. Н. Леденцов, Ю. С. Осипов, Р. А. Сурис, В. Е. Фортов, “Жорес Иванович Алферов (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 180:3 (2010), 333–334 ; A. F. Andreev, A. L. Aseev, E. P. Velikhov, A. A. Gorbatsevich, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, L. V. Keldysh, G. Ya. Krasnikov, N. N. Ledentsov, Yu. S. Osipov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “Zhores Ivanovich Alferov (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 53:3 (2010), 319–320 |
|
2000 |
| 25. |
А. Ф. Андреев, Е. П. Велихов, В. Е. Голант, Ю. В. Гуляев, Б. П. Захарченя, Л. В. Келдыш, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Ю. А. Осипьян, A. М. Прохоров, Р. А. Сурис, “Жорес Иванович Алферов (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 170:3 (2000), 349–350 ; A. F. Andreev, E. P. Velikhov, V. E. Golant, Yu. V. Gulyaev, B. P. Zakharchenya, L. V. Keldysh, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, Yu. A. Osip'yan, A. M. Prokhorov, R. A. Suris, “Zhores Ivanovich Alferov (on his seventieth birthday)”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 307–308 |
|
Пользовательское соглашение