RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Терещенко Олег Евгеньевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 10
Научных статей: 10

Статистика просмотров:
Эта страница:396
Страницы публикаций:2367
Полные тексты:671
Списки литературы:310
кандидат физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person54683
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2015
1. И. П. Русинов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, А. Р. Шахмаметова, И. А. Азаров, Е. В. Чулков, “Роль анизотропии и спин-орбитального взаимодействия в оптических и диэлектрических свойствах соединений BiTeI и BiTeCl”, Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015),  563–568  mathnet  elib; I. P. Rusinov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, A. R. Shakhmametova, I. A. Azarov, E. V. Chulkov, “Role of anisotropy and spin-orbit interaction in the optical and dielectric properties of BiTeI and BiTeCl compounds”, JETP Letters, 101:8 (2015), 507–512  isi  elib  scopus
2013
2. Ю. С. Поносов, Т. В. Кузнецова, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Е. В. Чулков, “Динамика решетки BiTeI при высоких давлениях”, Письма в ЖЭТФ, 98:9 (2013),  626–630  mathnet  elib; Yu. S. Ponosov, T. V. Kuznetsova, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, E. V. Chulkov, “Dynamics of the BiTeI lattice at high pressures”, JETP Letters, 98:9 (2013), 557–561  isi  elib  scopus
2011
3. О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011),  500–503  mathnet; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468  isi  scopus
4. О. Е. Терещенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  647–652  mathnet; O. E. Tereshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “Surfactant properties of cesium in molecular beam epitaxy of GaAs(100)”, JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590  isi  scopus
2010
5. О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  511–516  mathnet; O. E. Tereshchenko, S. V. Eremeev, A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Reconstruction dependence of the etching and passivation of the GaAs(001) surface”, JETP Letters, 91:9 (2010), 466–470  isi  scopus
2009
6. О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 89:4 (2009),  209–214  mathnet; O. E. Tereshchenko, K. V. Toropetskiy, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “New Ga-enriched reconstructions on the GaAs(001) surface”, JETP Letters, 89:4 (2009), 185–190  isi  scopus
2008
7. К. В. Торопецкий, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов, “Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)”, Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008),  597–600  mathnet; K. V. Toropetskiy, O. E. Tereshchenko, A. S. Terekhov, “Energy threshold of Cs-induced chemisorption of oxygen on a GaAs(Cs, O) surface”, JETP Letters, 88:8 (2008), 520–523  isi  scopus
8. О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, В. Л. Альперович, “Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия”, Письма в ЖЭТФ, 87:1 (2008),  41–44  mathnet; O. E. Tereshchenko, K. V. Toropetskiy, V. L. Alperovich, “Reversible superstructural transitions on the GaAs(001) surface under the selective effect of iodine and cesium”, JETP Letters, 87:1 (2008), 35–38  isi  scopus
2004
9. А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В. Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004),  592–596  mathnet; A. A. Pakhnevich, V. V. Bakin, A. V. Yaz'kov, G. È. Shaibler, S. V. Shevelev, O. E. Tereshchenko, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Energy distributions of photoelectrons emitted from $p$-GaN(Cs, O) with effective negative electron affinity”, JETP Letters, 79:10 (2004), 479–483  scopus
10. О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия”, Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004),  163–167  mathnet; O. E. Tereshchenko, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, “Decrease in the bond energy of arsenic atoms on the GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) surface due to the effect of adsorbed cesium”, JETP Letters, 79:3 (2004), 131–135  scopus

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020