RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Звонков Борис Николаевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 16
Научных статей: 16

Статистика просмотров:
Эта страница:148
Страницы публикаций:3072
Полные тексты:1211
Списки литературы:297
ведущий научный сотрудник
кандидат физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person54898
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2018
1. А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями”, Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394  mathnet  elib [A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  isi  scopus]
2015
2. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке”, Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206  isi  scopus]
2014
3. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  isi  scopus]
2013
4. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406  isi  scopus]
2012
5. С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933  mathnet  elib [S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933  isi  scopus]
2010
6. С. И. Дорожкин, М. О. Скворцова, А. В. Кудрин, Б. Н. Звонков, Ю. А. Данилов, О. В. Вихрова, “Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA ”, Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010),  312–317  mathnet; S. I. Dorozhkin, M. O. Skvortsova, A. V. Kudrin, B. N. Zvonkov, Yu. A. Danilov, O. V. Vikhrova, “Beatings of Shubnikov-de Haas oscillations in a two-dimensional hole system in an InGaAs quantum well”, JETP Letters, 91:6 (2010), 292–296  isi  scopus
7. В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010),  855–857  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, V. I. Nekorkin, “Leaky-wave semiconductor laser with improved energetic characteristics and very narrow dirrectional pattern”, Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857  isi  scopus]
2009
8. С. В. Зайцев, М. В. Дорохин, А. С. Бричкин, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, В. Д. Кулаковский, “Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  730–735  mathnet; S. V. Zaitsev, M. V. Dorokhin, A. S. Brichkin, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, V. D. Kulakovskii, “Ferromagnetic effect of a Mn delta layer in the GaAs barrier on the spin polarization of carriers in an InGaAs/GaAs quantum well”, JETP Letters, 90:10 (2009), 658–662  isi  scopus
2008
9. В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Д. В. Козлов, “Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP”, Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, D. V. Kozlov, “Impurity photoconductivity in strained p -InGaAs/GaAsP heterostructures”, JETP Letters, 88:3 (2008), 197–200  isi  scopus
10. Б. А. Аронзон, А. С. Лагутин, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, В. Н. Меньшов, А. В. Лейскул, Р. Лайхо, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, “Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$”, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  192–198  mathnet; B. A. Aronzon, A. S. Lagutin, V. V. Ryl'kov, V. V. Tugushev, V. N. Men'shov, A. V. Lashkul, R. Laiho, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, “Magnetic properties of $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$ quantum wells”, JETP Letters, 87:3 (2008), 164–169  isi
2007
11. Б. А. Аронзон, В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин, А. Б. Давыдов, В. В. Рыльков, А. Б. Грановский, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39  mathnet; B. A. Aronzon, V. A. Kul'bachinskii, P. V. Gurin, A. B. Davydov, V. V. Ryl'kov, A. B. Granovskii, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Anomalous hall effect in Mn $\delta$-doped GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs quantum wells with high hole mobility”, JETP Letters, 85:1 (2007), 27–33  isi  scopus
2001
12. Б. Н. Звонков, К. Е. Зиновьев, Д. Х. Нурлигареев, И. Ф. Салахутдинов, В. В. Светиков, В. А. Сычугов, “Перестраиваемый широкоапертурный полупроводниковый лазер с внешним волноводно-решеточным зеркалом”, Квантовая электроника, 31:1 (2001),  35–38  mathnet [B. N. Zvonkov, K. E. Zinov'ev, J. Kh. Nurligareev, I. F. Salakhutdinov, V. V. Svetikov, V. A. Sychugov, “Tunable wide-aperture semiconductor laser with an external waveguide – grating mirror”, Quantum Electron., 31:1 (2001), 35–38  isi]
1999
13. Н. Б. Звонков, С. А. Ахлестина, А. В. Ершов, Б. Н. Звонков, Г. А. Максимов, Е. А. Ускова, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами”, Квантовая электроника, 26:3 (1999),  217–218  mathnet [N. B. Zvonkov, S. A. Akhlestina, A. V. Ershov, B. N. Zvonkov, G. A. Maksimov, E. A. Uskova, “Semiconductor lasers with broad tunnel-coupled waveguides, emitting at a wavelength of 980 nm”, Quantum Electron., 29:3 (1999), 217–218  isi]
1998
14. Н. Б. Звонков, Б. Н. Звонков, А. В. Ершов, Е. А. Ускова, Г. А. Максимов, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 25:7 (1998),  622–624  mathnet [N. B. Zvonkov, B. N. Zvonkov, A. V. Ershov, E. A. Uskova, G. A. Maksimov, “Semiconductor lasers emitting at the 0.98 μm wavelength with radiation coupling-out through the substrate”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 605–607  isi]
1997
15. И. А. Авруцкий, Е. М. Дианов, Б. Н. Звонков, Н. Б. Звонков, И. Г. Малкина, Г. А. Максимов, Е. А. Ускова, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами”, Квантовая электроника, 24:2 (1997),  123–126  mathnet [I. A. Avrutskiǐ, E. M. Dianov, B. N. Zvonkov, N. B. Zvonkov, I. G. Malkina, G. A. Maksimov, E. A. Uskova, “Semiconductor lasers with tunnel-coupled waveguides emitting at the wavelength of 980 nm”, Quantum Electron., 27:2 (1997), 118–121  isi]
1994
16. И. А. Авруцкий, Л. М. Батукова, Е. М. Дианов, Б. Н. Звонков, Н. Б. Звонков, Г. А. Максимов, И. Г. Малкина, Л. В. Медведева, Т. Н. Янькова, “Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 21:10 (1994),  921–924  mathnet [I. A. Avrutskiǐ, L. M. Batukova, E. M. Dianov, B. N. Zvonkov, N. B. Zvonkov, G. A. Maksimov, I. G. Malkina, L. V. Medvedeva, T. N. Yan'kova, “Lasers emitting at a wavelength of 0.98 μm, constructed from InGaP/GaAs heterostructures grown by MOCVD method”, Quantum Electron., 24:10 (1994), 859–862  isi]

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020