RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Аверкиев Никита Сергеевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 47
Научных статей: 47

Статистика просмотров:
Эта страница:271
Страницы публикаций:1396
Полные тексты:522
Списки литературы:169
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person55354
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2016
1. К. Ю. Голеницкий, А. М. Монахов, Н. И. Саблина, Н. С. Аверкиев, “Продольные моды шепчущей галереи в металлических микрорезонаторах”, Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016),  637–639  mathnet  elib; K. Yu. Golenitskii, A. M. Monakhov, N. I. Sablina, N. S. Averkiev, “Longitudinal whispering-gallery modes in metal microcavities”, JETP Letters, 104:9 (2016), 615–617  isi  scopus
2015
2. И. А. Кокурин, Н. С. Аверкиев, “Ориентация электронных спинов током в квазиодномерной системе”, Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015),  627–630  mathnet  elib; I. A. Kokurin, N. S. Averkiev, “Orientation of electron spins by the current in a quasi-one-dimensional system”, JETP Letters, 101:8 (2015), 568–571  isi  elib  scopus
2014
3. К. С. Денисов, Н. С. Аверкиев, “Особенности намагниченности двумерного разбавленного магнитного полупроводника с сильным спин-орбитальным взаимодействием”, Письма в ЖЭТФ, 99:7 (2014),  467–471  mathnet  elib; K. S. Denisov, N. S. Averkiev, “Singularities of the magnetization of a two-dimensional diluted magnetic semiconductor with strong spin-orbit interaction”, JETP Letters, 99:7 (2014), 400–404  isi  elib  scopus
2013
4. А. А. Донцов, А. М. Монахов, Н. С. Аверкиев, “Расчет спектра мод шепчущей галереи в цилиндрических резонаторах с возмущенными граничными условиями”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  414–417  mathnet  elib [A. A. Dontsov, A. M. Monakhov, N. S. Averkiev, “Calculation of the spectrum of whispering gallery modes in cylindrical resonators with perturbed boundary conditions”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 414–417  isi  scopus]
5. Л. А. Кулакова, Н. С. Аверкиев, А. Н. Даринский, Э. З. Яхкинд, “Диагностика тонкого спектра в квантовой яме лазерных гетероструктур ультразвуковой деформацией”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  410–413  mathnet  elib [L. A. Kulakova, N. S. Averkiev, A. N. Darinskii, È. Z. Yakhkind, “Diagnostics of the fine spectrum of a quantum well in laser heterostructures using ultrasonic deformation”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 410–413  isi  scopus]
2012
6. Н. С. Аверкиев, К. А. Барышников, И. Б. Берсукер, В. В. Гудков, И. В. Жевстовских, В. Ю. Маякин, А. М. Монахов, М. Н. Сарычев, В. Е. Седов, “Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими центрами в кристалле GaAs:Cu”, Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  252–256  mathnet  elib; N. S. Averkiev, K. A. Baryshnikov, I. B. Bersuker, V. V. Gudkov, I. V. Zhevstovskikh, V. Yu. Mayakin, A. M. Monakhov, M. N. Sarychev, V. E. Sedov, “Relaxation and resonance ultrasound attenuation by Jahn–Teller centers in a GaAs:Cu crystal”, JETP Letters, 96:4 (2012), 236–239  isi  elib  scopus
2010
7. Н. С. Аверкиев, “Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках”, УФН, 180:7 (2010),  777–780  mathnet; N. S. Averkiev, “Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductors”, Phys. Usp., 53:7 (2010), 742–745  isi  scopus
2002
8. С. А. Тарасенко, Н. С. Аверкиев, “Интерференция спиновых расщеплений в магнитоосцилляционных явлениях в двумерных системах”, Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002),  669–672  mathnet; S. A. Tarasenko, N. S. Averkiev, “Interference of spin splittings in magneto-oscillation phenomena in two-dimensional systems”, JETP Letters, 75:11 (2002), 552–555  scopus
1992
9. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Р. Сосновский, “Симметрия комплекса $V_{Ga}Te_{As}$ в GaAs и его переориентация при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1269–1281  mathnet
1991
10. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, Н. А. Смирнов, А. Ф. Цацульников, “Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1976–1985  mathnet
11. Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений акцептора Au$^{0}_{Ga}$ в GaAs при низких температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1967–1975  mathnet
12. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский, “Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления на фотолюминесценцию центра”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  58–66  mathnet
13. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский, “Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  50–57  mathnet
14. Н. С. Аверкиев, Р. Н. Кютт, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Е. И. Чайкина, “Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{III}$B$^{V}$ с профилированной подложкой”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16  mathnet
1990
15. Н. С. Аверкиев, В. С. Вихнин, “Механизм спиновой поляризации заряженных парамагнитных центров в полупроводниках при взаимодействии с носителями тока”, Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3480–3489  mathnet  isi
16. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs”, Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676  mathnet  isi
17. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, О. Г. Максимова, Е. Б. Осипов, “Влияние центров Mn$_{Ga}$ в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1632–1637  mathnet
1989
18. Н. С. Аверкиев, Ю. В. Илисавский, Е. Б. Осипов, В. М. Стернин, “Акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках со сложной структурой зон”, Физика твердого тела, 31:3 (1989),  241–251  mathnet  isi
19. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Ag$_{Ga}$ — новый ян-теллеровский акцептор в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2072–2074  mathnet
20. Н. С. Аверкиев, Е. Д. Белорусец, Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане, “Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1193–1198  mathnet
21. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, О. Г. Красикова, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, “Влияние случайных полей на спектр ЭПР акцепторов Mn$_{Ga}$ в $p$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  73–78  mathnet
22. Н. С. Аверкиев, А. Н. Именков, A. M. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Релаксация излучения и неравновесной заселенности в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  79–83  mathnet  isi
1988
23. Н. С. Аверкиев, Г. Е. Пикус, М. Л. Шматов, “Поверхностные экситоны и акцепторы в МПД структурах”, Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3276–3285  mathnet  isi
24. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{Ga}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]”, Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465  mathnet  isi
25. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, “Влияние обменного взаимодействия дырки с $3d$-электронами на свойства глубокого акцептора Mn в арсениде галлия”, Физика твердого тела, 30:3 (1988),  765–774  mathnet  isi
1987
26. Н. С. Аверкиев, Ю. В. Илисавский, В. М. Стернин, “Электронный ангармонизм в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны”, Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1450–1455  mathnet  isi
27. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, “Роль обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических эффектах, связанных с центром Mn в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1847–1853  mathnet
28. Н. С. Аверкиев, Г. Е. Пикус, “Поверхностный экситон в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1493–1495  mathnet
29. О. А. Мезрин, О. В. Константинов, Н. С. Аверкиев, “Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  504–513  mathnet
30. Н. С. Аверкиев, З. А. Адамия, Д. И. Аладашвили, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние ян-теллеровского центра Cu$_{Ga}$ в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  421–426  mathnet
31. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  415–420  mathnet
32. Н. С. Аверкиев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. П. Яковлев, “Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337  mathnet  isi
1986
33. Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими ян-теллеровскими центрами Cu”, Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2959–2963  mathnet  isi
34. Н. С. Аверкиев, В. А. Ветров, А. А. Гуткин, И. А. Меркулов, Л. П. Никитин, И. И. Решина, Л. Г. Романов, “Нейтральное состояние глубокого акцептора Cu$_{Ga}$ в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1617–1622  mathnet
1985
35. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, А. А. Исаков, Э. М. Магеррамов, В. Е. Седов, “Исследование полосы фотолюминесценции с максимумом около 1.3 эВ в GaAs : Те : Сu пьезоспектроскопическим методом”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  893–898  mathnet
36. Н. С. Аверкиев, Ю. Т. Ребане, И. Н. Яссиевич, “Потенциалы ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  96–100  mathnet
37. Н. С. Аверкиев, С. Ш. Егембердиева, Б. Н. Калинин, О. В. Константинов, А. А. Рогачев, А. С. Филипченко, “Фотолюминесценция сильно легированных кристаллов антимонида индия $n$-типа”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1326–1330  mathnet  isi
1984
38. Н. С. Аверкиев, Ю. В. Илисавский, В. М. Стернин, “Взаимодействие звука с дырками в $p$-Si”, Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2005–2012  mathnet  isi
39. Н. С. Аверкиев, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798  mathnet
40. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Н. М. Колчанова, М. А. Рещиков, “Влияние одноосной деформации на связанную с Mn полосу примесной фотолюминесценции в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1629–1633  mathnet
41. Н. С. Аверкиев, “К вопросу о температурной зависимости индуцированной током оптической активности в теллуре”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  724–727  mathnet
42. Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, А. М. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, “Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре II.  Эксперимент”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  648–654  mathnet
43. Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, А. М. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, “Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре I.  Теория”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  639–647  mathnet
1983
44. Н. С. Аверкиев, С. А. Обухов, А. А. Рогачев, Н. А. Рудь, “О природе линий излучения сильно легированного арсенида галлия $p$-типа в присутствии одноосной деформации”, Физика твердого тела, 25:2 (1983),  343–345  mathnet  isi
45. Н. С. Аверкиев, А. Т. Гореленок, И. С. Тарасов, “Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  997–1002  mathnet
46. Н. С. Аверкиев, М. И. Дьяконов, “Ток, обусловленный неоднородностью спиновой ориентации электронов в полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  629–632  mathnet
47. Н. С. Аверкиев, Т. К. Ангаров, А. А. Гуткин, “Примесная фотолюминесценция GaAs$\langle$Cu$\rangle$ около 1.36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению [111]”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  97–102  mathnet

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021