RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Алешкин Владимир Яковлевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 22
Научных статей: 22

Статистика просмотров:
Эта страница:220
Страницы публикаций:3519
Полные тексты:1182
Списки литературы:411
доцент
доктор физико-математических наук
E-mail: ;

http://www.mathnet.ru/rus/person55497
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2019
1. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, М. Орлита, М. Потемски, Б. Пио, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, “Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, M. Orlita, M. Potemski, B. A. Piot, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption in HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells in Tilted Magnetic Fields”, JETP Letters, 109:3 (2019), 191–197  isi  scopus
2. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, “Генерация терагерцевого излучения на разностной частоте в лазере на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 49:7 (2019),  689–692  mathnet  elib [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, “Generation of THz radiation at a difference frequency in a HgCdTe-based laser”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 689–692  isi  scopus]
3. М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558  mathnet  elib [M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558  isi  scopus]
2018
4. Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358  mathnet  elib; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Polarization-sensitive Fourier-transform Spectroscopy of HgTe/CdHgTe quantum wells in the far infrared range in a magnetic field”, JETP Letters, 108:5 (2018), 329–334  isi  scopus
5. А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями”, Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394  mathnet  elib [A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  isi  scopus]
2015
6. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке”, Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206  isi  scopus]
2014
7. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus
8. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, “Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах”, Письма в ЖЭТФ, 99:12 (2014),  824–826  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, “Near-field effect in the absorption spectrum of impurities in crystals”, JETP Letters, 99:12 (2014), 712–714  isi  elib  scopus
9. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288  mathnet  elib [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  isi  scopus]
2013
10. Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, В. Я. Алешкин, “Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям”, Квантовая электроника, 43:11 (2013),  999–1002  mathnet  elib [D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, V. Ya. Aleshkin, “Efficiency of GaInAs/GaAs quantum-well lasers upon inhomogeneous excitation of quantum wells”, Quantum Electron., 43:11 (2013), 999–1002  isi  scopus]
11. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406  isi  scopus]
2012
12. С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933  mathnet  elib [S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933  isi  scopus]
2011
13. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815  isi  elib  scopus
14. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441  mathnet; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398  isi  scopus
2010
15. А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761  isi  elib  scopus
16. В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010),  855–857  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, V. I. Nekorkin, “Leaky-wave semiconductor laser with improved energetic characteristics and very narrow dirrectional pattern”, Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857  isi  scopus]
2009
17. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Ryzhii, “Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  70–74  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 89:2 (2009), 63–67  isi  scopus
18. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцевого диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP-лазере с квантовыми ямами InGaAs”, Квантовая электроника, 39:8 (2009),  727–730  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Intracavity terahertz difference-frequency generation in an InGaAs-quantum-well two-frequency InGaAsP/InP laser”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 727–730  isi  scopus]
2008
19. В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789  isi  scopus
20. В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Д. В. Козлов, “Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP”, Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, D. V. Kozlov, “Impurity photoconductivity in strained p -InGaAs/GaAsP heterostructures”, JETP Letters, 88:3 (2008), 197–200  isi  scopus
21. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия с германиевой подложкой”, Квантовая электроника, 38:9 (2008),  855–858  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in the far- and mid-IR ranges in a two-chip laser based on gallium arsenide on a germanium substrate”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 855–858  isi  scopus]
22. В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 38:2 (2008),  149–153  mathnet  elib [V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in mid- and far-IR ranges by using subpicosecond and picosecond semiconductor lasers”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 149–153  isi  scopus]

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020