RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Красильник Захарий Фишелевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 8
Научных статей: 8

Статистика просмотров:
Эта страница:432
Страницы публикаций:1398
Полные тексты:266
Списки литературы:196
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail: , , ,

http://www.mathnet.ru/rus/person55813
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2014
1. К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasil’nikova, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, “Absorption cross section for the $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ transition of Er$^{3+}$ in Si:Er:O/SOI epitaxial layers”, JETP Letters, 100:12 (2014), 807–811  isi  elib  scopus
2. В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus
2011
3. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815  isi  elib  scopus
4. В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441  mathnet; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398  isi  scopus
2008
5. В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907  mathnet; V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789  isi  scopus
2005
6. М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617  mathnet; M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497  isi  scopus
2002
7. Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429  mathnet; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369  scopus
2000
8. З. Ф. Красильник, А. В. Новиков, “Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si<sub>1–<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub> и Si<sub>1–<i>x</i>–<i>y</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>C<sub><i>y</i></sub>”, УФН, 170:3 (2000),  338–341  mathnet; Z. F. Krasil'nik, A. V. Novikov, “Optical properties of strained Si<sub>1–<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub> and Si<sub>1–<i>x–y</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>C<sub><i>y</i></sub> heterostructures”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 295–298  isi

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019