| Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
|
2020 |
| 1. |
Г. Г. Зегря, Д. М. Самосват, А. Я. Вуль, “Энергетический спектр электронов глубоких примесных центров в широкозонных полупроводниках мезоскопических размеров”, Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020), 807–812  |
|
2019 |
| 2. |
S. V. Kidalov, M. V. Zamoryanskaya, V. A. Kravez, L. V. Sharonova, F. M. Shahov, E. B. Yudina, T. O. Artamonova, M. A. Khodorkovskii, A. Ya. Vul, “Photoand cathodoluminescence spectra of diamond single crystals formed by sintering of detonation nanodiamond”, Наносистемы: физика, химия, математика, 10:1 (2019), 12–17   |
|
2018 |
| 3. |
S. V. Kidalov, V. V. Shnitov, M. V. Baidakova, M. M. Brzhezinskaya, A. T. Dideikin, M. S. Shestakov, D. A. Smirnov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, V. V. Sokolov, N. I. Tatarnikov, A. Ya. Vul', “Chemical composition of surface and structure of defects in diamond single crystals produced from detonation nanodiamonds”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 21–24 |
|
2009 |
| 4. |
П. Г. Баранов, И. В. Ильин, А. А. Солтамова, А. Я. Вуль, С. В. Кидалов, Ф. М. Шахов, Г. В. Мамин, С. Б. Орлинский, М. Х. Салахов, “Обнаружение и идентификация азотных центров в наноалмазах методами электронного парамагнитного резонанса”, Письма в ЖЭТФ, 89:8 (2009), 473–477 ; P. G. Baranov, I. V. Il'in, A. A. Soltamova, A. Ya. Vul', S. V. Kidalov, F. M. Shahov, G. V. Mamin, S. B. Orlinskii, M. Kh. Salahov, “Electron spin resonance detection and identification of nitrogen centers in nanodiamonds”, JETP Letters, 89:8 (2009), 409–413  |
|
1992 |
| 5. |
А. Я. Вуль, “Рецензия на книгу Я.А. Федотова «Интегральная электроника
сверхвысоких частот»”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1156 |
| 6. |
А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, В. Ю. Осипов, С. К. Бойцов, Ю. С. Зинчик, Т. Л. Макарова, “Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики кремниевых ПДП структур
с толщиной диэлектрика менее 50 ангстрем”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 146–149 |
| 7. |
А. Я. Вуль, Т. Л. Макарова, В. Ю. Осипов, Ю. С. Зинчик, С. К. Бойцов, “Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной
менее 50 ангстрем”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 111–121 |
|
1991 |
| 8. |
С. К. Бойцов, А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, В. Ю. Осипов, Т. Л. Макарова, “Процессы токопрохождения сквозь туннельно-прозрачный диэлектрик ПТДП-структуры”, Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1784–1791 |
| 9. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, И. И. Сайдашев, П. Г. Петросян, “Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе
твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1718–1720 |
| 10. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, “Влияние потока водорода на параметры слоев GaAs, выращенных методом
жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:13 (1991), 76–81 |
|
1990 |
| 11. |
А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, А. И. Косарев, “Стационарное лавинное умножение фототока в структурах
металл$-$проводящий диэлектрик$-$полупроводник”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990), 15–18 |
|
1988 |
| 12. |
А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, “Вольт-амперная характеристика
МТДП структур в режиме стационарного
лавинного пробоя”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1729–1732 |
|
1987 |
| 13. |
А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, “Фотодиоды на анизотипных кремниевых ПДП структурах”, ЖТФ, 57:4 (1987), 810–812 |
| 14. |
А. Я. Вуль, С. В. Кидалов, “Влияние неоднородного распределения примесей
на фотоэлектрические
характеристики резисторных структур
на основе твердых растворов
GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 804–809 |
| 15. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых
растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 662–665 |
| 16. |
А. Я. Вуль, Р. С. Габараев, С. Г. Петросян, “Фотомагнитный “нуль”-датчик на основе варизонного полупроводника”, Письма в ЖТФ, 13:10 (1987), 591–593 |
|
1986 |
| 17. |
А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, А. В. Саченко, “Кинетика фотоответа и механизм протекания тока в кремниевых
структурах полупроводник–тонкий диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1444–1450 |
| 18. |
А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, С. П. Вуль, “Корреляционное распределение примесей в нелегированных эпитаксиальных
слоях твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1227–1233 |
| 19. |
А. Я. Вуль, С. В. Кидалов, “Анализ обратных ветвей вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов
в твердых растворах соединений A$^{III}$B$^{V}$”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 451–456 |
| 20. |
С. П. Вуль, А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga As_{1-x-y} Sb_{x} P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 12:15 (1986), 912–916 |
| 21. |
Ю. Ф. Бирюлин, А. Я. Вуль, В. Н. Каряев, С. В. Кидалов, Ю. В. Шмарцев, “Р-П структуры на основе твердых растворов $Al As-Ga$, $As-Ga Sb$ с управляемой полосой спектральной чувствительности”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 764–767 |
| 22. |
А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, А. В. Саченков, “Усиление фототока в кремниевых структурах полупроводник–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 520–524 |
| 23. |
А. Я. Вуль, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 257–261 |
|
1985 |
| 24. |
А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, “Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов
GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1081–1086 |
| 25. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, Ю. В. Шмарцев, “Высокоселективный фоторезистор на основе твердых растворов в системе $Ga As-Ga Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:12 (1985), 717–720 |
| 26. |
Л. И. Антонова, Ю. Ф. Бирюлин, А. Я. Вуль, В. П. Денисов, Л. Г. Забелина, Р. Р. Ичкитидзе, А. И. Климин, С. Е. Козлов, Ю. В. Шмарцев, “Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью $3200$ мкА/лм”, Письма в ЖТФ, 11:10 (1985), 602–605 |
| 27. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Высокоэффективный быстродействующий фоторезистор большой площади на диапазон длин волн $0.9$–$1.1$ мкм”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 7–11 |
|
1983 |
| 28. |
А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, А. В. Саченко, “Кинетика фотоответа туннельных МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1471–1477 |
| 29. |
А. Я. Вуль, А. В. Саченко, “Фотоэлектрические свойства структур
металл–диэлектрик–полупроводник
с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1361–1376 |
| 30. |
А. Я. Вуль, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых
растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 134–138 |
|
|
|
2010 |
| 31. |
А. А. Солтамова, И. В. Ильин, Ф. М. Шахов, С. В. Кидалов, А. Я. Вуль, Б. В. Явкин, Г. В. Мамин, С. Б. Орлинский, П. Г. Баранов, “Обнаружение методом электронного парамагнитного резонанса гигантской концентрации азотно-вакансионных дефектов в детонационных наноалмазах, подвергнутых спеканию”, Письма в ЖЭТФ, 92:2 (2010), 106–110 ; A. A. Soltamova, I. V. Il'in, F. M. Shahov, S. V. Kidalov, A. Ya. Vul', B. V. Yavkin, G. V. Mamin, S. B. Orlinskii, P. G. Baranov, “Electron paramagnetic resonance detection of the giant concentration of nitrogen vacancy defects in sintered detonation nanodiamonds”, JETP Letters, 92:2 (2010), 102–106 |
|
Пользовательское соглашение