RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Никифоров А И

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 13
Научных статей: 13

Статистика просмотров:
Эта страница:112
Страницы публикаций:1527
Полные тексты:437
Списки литературы:240

http://www.mathnet.ru/rus/person56801
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2019
1. В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, М. Штоффель, Э. Риннерт, М. Вернья, “Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  371–374  mathnet  elib; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Vibrational and light-emitting properties of Si/Si$_{1-x}$Sn$_x$ heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 368–371  isi  scopus
2017
2. В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, “Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия”, Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  305–310  mathnet  elib; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, “Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers”, JETP Letters, 105:5 (2017), 327–331  isi  scopus
2016
3. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848  mathnet  elib; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. V. Mudryi, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures”, JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826  isi  scopus
2013
4. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, “Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe”, Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013),  180–184  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, “Intraband optical transitions of holes in strained SiGe quantum wells”, JETP Letters, 97:3 (2013), 159–162  isi  elib  scopus
2011
5. А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Antibonding ground state of holes in double vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 94:10 (2011), 744–747  isi  elib  scopus
2007
6. А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  549–552  mathnet; A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Bonding state of a hole in Ge/Si double quantum dots”, JETP Letters, 86:7 (2007), 478–481  isi  scopus
2005
7. Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков, “Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005),  415–418  mathnet; D. A. Orekhov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, O. P. Pchelyakov, “Phonon localization in Ge nanoislands and its manifestation in Raman spectra”, JETP Letters, 81:7 (2005), 331–334  isi  scopus
8. А. Г. Милехин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, А. Г. Родригес, Ж. К. Гальзерани, Д. Р. Т. Цан, “Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi”, Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005),  33–36  mathnet; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, A. G. Rodrigues, J. C. Galzerani, D. R. T. Zahn, “Resonant Raman scattering in GeSi/Si superlattices with GeSi quantum dots”, JETP Letters, 81:1 (2005), 30–33  isi  scopus
2004
9. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, Г. Ю. Михалев, “Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  367–371  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, G. Yu. Mikhalev, “The Meyer – Neldel rule in the processes of thermal emission and hole capture in Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 80:5 (2004), 321–325  scopus
2003
10. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081  mathnet; N. P. Stepina, A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Hopping photoconduction and its long-time kinetics in a heterosystem with Ge quantum dots in Si”, JETP Letters, 78:9 (2003), 587–591  scopus
11. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, “Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, “Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots”, JETP Letters, 77:7 (2003), 376–380  scopus
2002
12. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, “Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  113–117  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, “Barrier height and tunneling current in Schottky diodes with embedded layers of quantum dots”, JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106  scopus
2001
13. А. Г. Милёхин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, С. Шульце, Д. Р. Т. Цан, “Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001),  521–525  mathnet; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, Sh. Shul'tse, D. R. T. Tsan, “Phonons in Ge/Si superlattices with Ge quantum dots”, JETP Letters, 73:9 (2001), 461–464  scopus

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020