RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Агринская Нина В

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 9
Научных статей: 9

Статистика просмотров:
Эта страница:122
Страницы публикаций:842
Полные тексты:252
Списки литературы:160
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person58704
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2019
1. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, А. В. Шумилин, “Динамические спиновые явления в сложных структурах на основе ферромагнитных металлов и полупроводников (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 110:7 (2019),  482–492  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, A. V. Shumilin, “Dynamic spin phenomena in complex structures based on ferromagnetic metals and semiconductors (scientific summary)”, JETP Letters, 110:7 (2019), 495–504  isi  scopus
2017
2. N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, “Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017),  477–478  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 105:8 (2017), 484–487  isi  scopus
2015
3. N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Ferromagnetism mediated by the upper Hubbard band in selectively doped GaAs/AlGaAs structures”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  250–252  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:4 (2015), 222–225  isi  scopus
2014
4. N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, “Positive magnetoresistance peaked at ferromagnetic transition in Mn-doped quantum wells GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014),  186–193  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 100:3 (2014), 167–173  isi  elib  scopus
2013
5. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, “Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных двумерных структур вблизи перехода металл–диэлектрик”, Письма в ЖЭТФ, 98:5 (2013),  342–350  mathnet  elib; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Features of the conductivity and magnetoresistance of doped two-dimensional structures near a metal-insulator transition”, JETP Letters, 98:5 (2013), 304–311  isi  elib  scopus
2011
6. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  120–124  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Suppression of the virtual anderson transition in the impurity band of doped quantum well structures”, JETP Letters, 94:2 (2011), 116–120  isi  scopus
2007
7. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007),  202–207  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Virtual Anderson transition in a narrow impurity band of doped $p$-GaAs/AlGaAs layers”, JETP Letters, 85:3 (2007), 169–173  isi  scopus
2004
8. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004),  36–40  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Transition from strong to weak localization in the split-off impurity band in two-dimensional p-GaAs/AlGaAs structures”, JETP Letters, 80:1 (2004), 30–34  scopus
2002
9. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  420–424  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364  scopus

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020