| Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
|
2019 |
| 1. |
С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, А. А. Блохин, Ю. А. Гусева, А. М. Оспенников, М. В. Петренко, А. Г. Гладышев, А. Ю. Егоров, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов”, Квантовая электроника, 49:2 (2019), 187–190   [S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190   ] |
|
2016 |
| 2. |
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131 ; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124 |
|
2010 |
| 3. |
А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, “Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке”, Квантовая электроника, 40:7 (2010), 579–582 [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, “Stimulated emission from optically pumped quantum dots”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 579–582 ] |
|
2006 |
| 4. |
Е. В. Андреева, А. Е. Жуков, В. В. Прохоров, В. М. Устинов, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками”, Квантовая электроника, 36:6 (2006), 527–531 [E. V. Andreeva, A. E. Zhukov, V. V. Prokhorov, V. M. Ustinov, S. D. Yakubovich, “Superluminescent InAs/AlGaAs/GaAs quantum dot heterostructure diodes emitting in the 1100—1230-nm spectral range”, Quantum Electron., 36:6 (2006), 527–531 ] |
|
2005 |
| 5. |
В. К. Калевич, Е. Л. Ивченко, М. М. Афанасьев, А. Ю. Ширяев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, Б. Пал, Я. Масумото, “Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 509–512 ; V. K. Kalevich, E. L. Ivchenko, M. M. Afanas'ev, A. Yu. Shiryaev, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, B. Pal, Ya. Masumoto, “Spin-dependent recombination in GaAsN solid solutions”, JETP Letters, 82:7 (2005), 455–458 |
|
2002 |
| 6. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 420–424 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364 |
| 7. |
Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И. П. Сошников, В. М. Устинов, “Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002), 211–216 ; G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183 |
|
2001 |
| 8. |
В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001), 855–857 ; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 |
|
1999 |
| 9. |
Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Н. Тулупенко, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, В. М. Устинов, Ю. М. Шерняков, Ж. И. Алфёров, “Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами”, УФН, 169:4 (1999), 459–464 ; L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396 |
|
1996 |
| 10. |
Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996), 423–428 ; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398 |
|
1995 |
| 11. |
Ж. И. Алфёров, Д. Бимберг, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И. Хейденрайх, “Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками”, УФН, 165:2 (1995), 224–225 ; Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216 |
|
1992 |
| 12. |
Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs
на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1715–1722 |
| 13. |
А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света
эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 614–628 |
|
1991 |
| 14. |
А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 908–912 |
|
1990 |
| 15. |
А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных
колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1539–1549 |
| 16. |
П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии
гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 717–719 |
| 17. |
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей
в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО
лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 152–158 |
| 18. |
А. В. Бобыль, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, А. М. Минтаиров, В. М. Устинов, “Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы
в одиночных селективно-легированных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990), 90–95 |
| 19. |
A. M. Васильев, П. С. Копьев, B. C. Лысенко, А. Н. Назаров, Г. А. Наумовец, В. Б. Попов, А. С. Ткаченко, В. М. Устинов, “Влияние водорода на оптические и транспортные свойства эпитаксиальных
слоев AlGaAs : Si”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990), 1–5 |
| 20. |
А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Двумерный электронный газ в гетероструктурах
In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As,
выращенных жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 16:8 (1990), 47–50 |
|
1989 |
| 21. |
А. М. Васильев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре
фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2133–2137 |
| 22. |
П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных
гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1382–1385 |
| 23. |
П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “О «нулевых осцилляциях» в структурах с двумерным
электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1110–1113 |
| 24. |
В. П. Евтихиев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно
легированных двойных гетероструктурах
GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 845–848 |
| 25. |
В. М. Андреев, Н. С. Зимогорова, Л. Б. Карлина, Л. П. Никитин, В. М. Устинов, А. М. Васильев, “Фотолюминесцентные свойства твердых растворов
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 612–615 |
| 26. |
П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице
AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным
$\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 68–71 |
|
1988 |
| 27. |
Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах
($J_{n}=52 А\cdotсм^{-2}$,
$T=300$ K)
при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой
с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1803–1807 |
|
1986 |
| 28. |
А. М. Васильев, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, В. М. Устинов, Д. Р. Яковлев, “Собственная люминесценция резкого гетероперехода
GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 353–356 |
| 29. |
Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 562–565 |
|
1985 |
| 30. |
Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные
слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985), 142–147 |
| 31. |
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах
$N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1199–1203 |
|
1984 |
| 32. |
П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные
эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 270–274 |
|
1983 |
| 33. |
В. Н. Власов, А. С. Васильчиков, А. Ю. Кожухарь, В. М. Устинов, “Вклад переходного слоя в коэрцитивность эпитаксиальных
феррит-гранатовых пленок”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1376–1378 |
| 34. |
Л. А. Иевенко, А. Ю. Кожухарь, В. М. Устинов, “Особенности динамических свойств периодических доменных структур”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1358–1360 |
|
Пользовательское соглашение