RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Устинов Виктор Михайлович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 34
Научных статей: 34

Статистика просмотров:
Эта страница:219
Страницы публикаций:1735
Полные тексты:586
Списки литературы:214
член-корреспондент РАН
доктор физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person62812
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2019
1. С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, А. А. Блохин, Ю. А. Гусева, А. М. Оспенников, М. В. Петренко, А. Г. Гладышев, А. Ю. Егоров, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов”, Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190  mathnet  elib [S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190  isi  scopus]
2016
2. И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131  mathnet  elib; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124  isi  scopus
2010
3. А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, “Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке”, Квантовая электроника, 40:7 (2010),  579–582  mathnet  elib [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, “Stimulated emission from optically pumped quantum dots”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 579–582  isi  scopus]
2006
4. Е. В. Андреева, А. Е. Жуков, В. В. Прохоров, В. М. Устинов, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками”, Квантовая электроника, 36:6 (2006),  527–531  mathnet  elib [E. V. Andreeva, A. E. Zhukov, V. V. Prokhorov, V. M. Ustinov, S. D. Yakubovich, “Superluminescent InAs/AlGaAs/GaAs quantum dot heterostructure diodes emitting in the 1100—1230-nm spectral range”, Quantum Electron., 36:6 (2006), 527–531  isi  scopus]
2005
5. В. К. Калевич, Е. Л. Ивченко, М. М. Афанасьев, А. Ю. Ширяев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, Б. Пал, Я. Масумото, “Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005),  509–512  mathnet; V. K. Kalevich, E. L. Ivchenko, M. M. Afanas'ev, A. Yu. Shiryaev, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, B. Pal, Ya. Masumoto, “Spin-dependent recombination in GaAsN solid solutions”, JETP Letters, 82:7 (2005), 455–458  isi  scopus
2002
6. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  420–424  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364  scopus
7. Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И. П. Сошников, В. М. Устинов, “Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  211–216  mathnet; G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183  scopus
2001
8. В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001),  855–857  mathnet; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815
1999
9. Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Н. Тулупенко, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, В. М. Устинов, Ю. М. Шерняков, Ж. И. Алфёров, “Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами”, УФН, 169:4 (1999),  459–464  mathnet; L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396  isi
1996
10. Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996),  423–428  mathnet; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  isi
1995
11. Ж. И. Алфёров, Д. Бимберг, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И. Хейденрайх, “Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками”, УФН, 165:2 (1995),  224–225  mathnet; Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216  isi
1992
12. Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
13. А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  614–628  mathnet
1991
14. А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  908–912  mathnet
1990
15. А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1539–1549  mathnet
16. П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719  mathnet
17. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158  mathnet
18. А. В. Бобыль, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, А. М. Минтаиров, В. М. Устинов, “Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы в одиночных селективно-легированных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  90–95  mathnet  isi
19. A. M. Васильев, П. С. Копьев, B. C. Лысенко, А. Н. Назаров, Г. А. Наумовец, В. Б. Попов, А. С. Ткаченко, В. М. Устинов, “Влияние водорода на оптические и транспортные свойства эпитаксиальных слоев AlGaAs : Si”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  1–5  mathnet  isi
20. А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Двумерный электронный газ в гетероструктурах In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, выращенных жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  47–50  mathnet  isi
1989
21. А. М. Васильев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2133–2137  mathnet
22. П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1382–1385  mathnet
23. П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “О «нулевых осцилляциях» в структурах с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1110–1113  mathnet
24. В. П. Евтихиев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848  mathnet
25. В. М. Андреев, Н. С. Зимогорова, Л. Б. Карлина, Л. П. Никитин, В. М. Устинов, А. М. Васильев, “Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  612–615  mathnet
26. П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71  mathnet  isi
1988
27. Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52 А\cdotсм^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807  mathnet  isi
1986
28. А. М. Васильев, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, В. М. Устинов, Д. Р. Яковлев, “Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356  mathnet
29. Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565  mathnet  isi
1985
30. Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147  mathnet  isi
31. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
1984
32. П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
1983
33. В. Н. Власов, А. С. Васильчиков, А. Ю. Кожухарь, В. М. Устинов, “Вклад переходного слоя в коэрцитивность эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок”, ЖТФ, 53:7 (1983),  1376–1378  mathnet  isi
34. Л. А. Иевенко, А. Ю. Кожухарь, В. М. Устинов, “Особенности динамических свойств периодических доменных структур”, ЖТФ, 53:7 (1983),  1358–1360  mathnet  isi

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021