| Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
|
1992 |
| 1. |
В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев, “Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78
и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 574–577  |
| 2. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 22–44 |
|
1991 |
| 3. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, В. И. Фистуль, Ю. В. Шмарцев, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия
с собственными дефектами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 997–1003 |
| 4. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, К. М. Миразизян, “Зависимость скорости образования вторичных дефектов в $p$-Si
от интенсивности электронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 561–564 |
| 5. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном
$\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 191–196 |
| 6. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец, “Влияние параметров электронного облучения на сечение образования
собственных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 45–49 |
| 7. |
В. В. Емцев, Ю. Н. Далуда, “Образование дефектов в монокристаллических пленках
Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ при «подпороговом» и «надпороговом» облучении”, Письма в ЖТФ, 17:20 (1991), 84–88  |
|
1990 |
| 8. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец, К. М. Миразизян, “Влияние условий электронного облучения на скорость образования
$A$-центров в $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1209–1212 |
| 9. |
В. В. Емцев, Ю. Н. Далуда, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. Б. Неймаш, Р. С. Антоненко, К. Шмальц, “Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии
при «горячем» $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 374–376 |
|
1989 |
| 10. |
В. В. Михнович, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Н. А. Витовский, “Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 306–308 |
| 11. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние параметров импульсного электронного облучения
на эффективность образования дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2221–2223 |
| 12. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, Д. С. Полоскин, “Эффективность образования точечных дефектов
в $n$- и $p$-Ge в условиях
облучения при 77 и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 425–428 |
| 13. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на
энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 184–185 |
|
1988 |
| 14. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы
в $n$-германии”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1483–1486 |
| 15. |
В. В. Емцев, А. В. Дабагян, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 924–926 |
| 16. |
А. В. Дабагян, В. В. Емцев, “Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии $n$-типа
при низкотемпературном гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 747–750 |
| 17. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние интенсивности импульсного электронного облучения
на образование дефектов в $p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 502–504 |
|
1987 |
| 18. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, А. Г. Абдусаттаров, “Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами
фосфора в кремнии $n$-типа при электронном (импульсном) облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2106–2109 |
| 19. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, А. В. Дабагян, “Равновесный уровень заполнения вакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1888–1892 |
| 20. |
Н. А. Витовский, А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов
в $n$-германии при электронном и гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1826–1831 |
| 21. |
Ю. Н. Далуда, В. В. Емцев, П. Д. Кервалишвили, В. И. Петров, К. Шмальц, “Влияние термообработки на перестройку кислородосодержащих дефектов
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1283–1288 |
| 22. |
В. В. Емцев, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Энергетический спектр и процессы миграции компонентов пары Френкеля
в германии”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 145–149 |
|
1986 |
| 23. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии
в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 840–843 |
| 24. |
Н. Ю. Арутюнов, В. В. Емцев, В. Ю. Тращаков, Э. Э. Рубинова, “Анизотропия угловых распределений аннигиляционных гамма-квантов,
обусловленная радиационными дефектами в нейтронно-облученном германии”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 552–555 |
| 25. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, В. Н. Ломасов, Т. В. Машовец, “Скорость образования $A$-центров в кремнии при электронном импульсном
облучении”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 164–167 |
| 26. |
А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Связывание доноров у группы в электрически неактивные комплексы при облучении П-германия электронами с энергией 1 МэВ”, Письма в ЖТФ, 12:23 (1986), 1461–1464 |
|
1985 |
| 27. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей
в $p$-кремнии при 6.5 и 78 K”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 296–299 |
|
1984 |
| 28. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии
как центра с отрицательной корреляционной энергией”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1516–1519 |
| 29. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием
гамма-лучей при 6.5 K”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1505–1508 |
| 30. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, “Точечные дефекты, возникающие в кремнии с примесью бора, галлия
и индия при низкотемпературном гамма-облучении”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984), 1063–1065 |
|
1983 |
| 31. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии
при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1985–1990 |
| 32. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, “Рекомбинационные центры радиационного происхождения в германии
$n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 724–725 |
| 33. |
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Об энергетическом спектре вакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 350–352 |
| 34. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, “Процессы дефектообразования в Ge$\langleHg\rangle$ при
гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 173–176 |
| 35. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота
с собственными дефектами в германии”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 52–56 |
| 36. |
Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии
при гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 35–39 |
|
Пользовательское соглашение