RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Емцев Вадим Валентинович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 36
Научных статей: 36

Статистика просмотров:
Эта страница:12
Страницы публикаций:140
Полные тексты:68
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person65095
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1992
1. В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев, “Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  574–577  mathnet
2. В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  22–44  mathnet
1991
3. В. В. Емцев, П. М. Клингер, В. И. Фистуль, Ю. В. Шмарцев, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  997–1003  mathnet
4. В. В. Емцев, П. М. Клингер, К. М. Миразизян, “Зависимость скорости образования вторичных дефектов в $p$-Si от интенсивности электронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  561–564  mathnet
5. В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  191–196  mathnet
6. В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец, “Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  45–49  mathnet
7. В. В. Емцев, Ю. Н. Далуда, “Образование дефектов в монокристаллических пленках Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ при «подпороговом» и «надпороговом» облучении”, Письма в ЖТФ, 17:20 (1991),  84–88  mathnet  isi
1990
8. В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец, К. М. Миразизян, “Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1209–1212  mathnet
9. В. В. Емцев, Ю. Н. Далуда, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. Б. Неймаш, Р. С. Антоненко, К. Шмальц, “Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем» $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  374–376  mathnet
1989
10. В. В. Михнович, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Н. А. Витовский, “Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения”, Физика твердого тела, 31:3 (1989),  306–308  mathnet  isi
11. А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2221–2223  mathnet
12. Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, Д. С. Полоскин, “Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  425–428  mathnet
13. Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  184–185  mathnet
1988
14. Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1483–1486  mathnet
15. В. В. Емцев, А. В. Дабагян, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  924–926  mathnet
16. А. В. Дабагян, В. В. Емцев, “Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии $n$-типа при низкотемпературном гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  747–750  mathnet
17. А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  502–504  mathnet
1987
18. В. В. Емцев, Т. В. Машовец, А. Г. Абдусаттаров, “Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии $n$-типа при электронном (импульсном) облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2106–2109  mathnet
19. В. В. Емцев, Т. В. Машовец, А. В. Дабагян, “Равновесный уровень заполнения вакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1888–1892  mathnet
20. Н. А. Витовский, А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов в $n$-германии при электронном и гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1826–1831  mathnet
21. Ю. Н. Далуда, В. В. Емцев, П. Д. Кервалишвили, В. И. Петров, К. Шмальц, “Влияние термообработки на перестройку кислородосодержащих дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1283–1288  mathnet
22. В. В. Емцев, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Энергетический спектр и процессы миграции компонентов пары Френкеля в германии”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  145–149  mathnet
1986
23. Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  840–843  mathnet
24. Н. Ю. Арутюнов, В. В. Емцев, В. Ю. Тращаков, Э. Э. Рубинова, “Анизотропия угловых распределений аннигиляционных гамма-квантов, обусловленная радиационными дефектами в нейтронно-облученном германии”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  552–555  mathnet
25. А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, В. Н. Ломасов, Т. В. Машовец, “Скорость образования $A$-центров в кремнии при электронном импульсном облучении”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  164–167  mathnet
26. А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Связывание доноров у группы в электрически неактивные комплексы при облучении П-германия электронами с энергией 1 МэВ”, Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1461–1464  mathnet  isi
1985
27. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей в $p$-кремнии при 6.5 и 78 K”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  296–299  mathnet
1984
28. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1516–1519  mathnet
29. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1505–1508  mathnet
30. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, “Точечные дефекты, возникающие в кремнии с примесью бора, галлия и индия при низкотемпературном гамма-облучении”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1063–1065  mathnet  isi
1983
31. Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1985–1990  mathnet
32. Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, “Рекомбинационные центры радиационного происхождения в германии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  724–725  mathnet
33. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец, “Об энергетическом спектре вакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  350–352  mathnet
34. Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, “Процессы дефектообразования в Ge$\langleHg\rangle$ при гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  173–176  mathnet
35. Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  52–56  mathnet
36. Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  35–39  mathnet

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021