Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Мельцер Б Я

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 23
Научных статей: 23

Статистика просмотров:
Эта страница:85
Страницы публикаций:838
Полные тексты:402
Списки литературы:102

http://www.mathnet.ru/rus/person71659
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2004
1. Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, П. С. Копьев, “Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов”, Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004),  674–679  mathnet; Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, P. S. Kop'ev, “Effect of the spin-orbit interaction on the cyclotron resonance of two-dimensional electrons”, JETP Letters, 79:11 (2004), 545–549  scopus
2002
2. S. A. Emel'yanov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Observation of a light-induced nonohmic current in a toroidal-moment-possessive nanostructure”, Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002),  547–549  mathnet  scopus; JETP Letters, 76:7 (2002), 469–471  scopus
3. А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262  mathnet; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226  scopus
4. Ю. Б. Васильев, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Ю. Л. Иванов, П. С. Копьев, “Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода”, Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466  mathnet; Yu. B. Vasil'ev, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu. L. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures”, JETP Letters, 75:8 (2002), 391–394  scopus
1996
5. Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996),  423–428  mathnet; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  isi
1992
6. Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
1990
7. П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719  mathnet
8. Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363  mathnet
9. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  359–361  mathnet
10. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203  mathnet
11. Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158  mathnet
1989
12. П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71  mathnet  isi
1988
13. Е. Л. Ивченко, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. А. Калитиевский, “Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  784–788  mathnet
14. Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52 А\cdotсм^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807  mathnet  isi
1987
15. А. В. Акимов, А. А. Каплянский, В. И. Козуб, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Воздействие акустических фононных импульсов на примесную люминесценцию полупроводниковых структур с квантовыми ямами”, Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1843–1847  mathnet  isi
1986
16. П. С. Копьев, В. Д. Кулаковский, Б. Я. Мельцер, Б. Н. Шепель, “Внутрибарьерное рекомбинационное излучение многослойных структур GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1184–1189  mathnet
17. А. М. Васильев, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, В. М. Устинов, Д. Р. Яковлев, “Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356  mathnet
18. Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565  mathnet  isi
1985
19. Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147  mathnet  isi
20. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
21. Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721  mathnet
1984
22. П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
1983
23. Б. Я. Бер, А. Э. Гольберг, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  751–754  mathnet

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022