RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Конников Семен Григорьевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 53
Научных статей: 53

Статистика просмотров:
Эта страница:72
Страницы публикаций:380
Полные тексты:146
Списки литературы:26
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук

http://www.mathnet.ru/rus/person82015
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2013
1. А. В. Емельянов, Е. А. Константинова, П. А. Форш, А. Г. Казанский, М. В. Хенкин, Н. Н. Петрова, Е. И. Теруков, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, С. Г. Конников, П. К. Кашкаров, “Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540  mathnet  elib; A. V. Emelyanov, E. A. Konstantinova, P. A. Forsh, A. G. Kazanskii, M. V. Khenkin, N. N. Petrova, E. I. Terukov, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, S. G. Konnikov, P. K. Kashkarov, “Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films”, JETP Letters, 97:8 (2013), 466–469  isi  elib  scopus
1992
2. Н. А. Берт, Д. 3. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, Ю. Г. Мусихин, “Электронно-микроскопические исследования ЖФЭ структур InGaAsP/InGaP/GaAs с тонкими (${<10}$ нм) слоями”, ЖТФ, 62:2 (1992),  105–111  mathnet  isi
3. С. Г. Конников, Г. Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, “Поляриметрические свойства поверхностно-барьерных структур Ni${-}n{-}$GaAs”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  32–37  mathnet  isi
4. С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов, Ж. Ханов, “Наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов ITO$-$A$^{3}$B$^{5}$ (GaP, GaP$_{x}$As$_{1-x}$)”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  11–15  mathnet  isi
5. С. Г. Конников, С. А. Соловьев, В. А. Соловьев, М. Э. Гаевский, “Определение локальных параметров ($T_{c}$$\Delta T_{c}$) ВТСП пленок”, Письма в ЖТФ, 18:21 (1992),  20–23  mathnet  isi
6. С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, “Поляриметрический эффект в структурах Au${-}n$-GaAs”, Письма в ЖТФ, 18:12 (1992),  39–42  mathnet  isi
7. С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, Л. М. Федоров, “Фотоплеохроизм многослойных GaP поверхностно-барьерных структур”, Письма в ЖТФ, 18:12 (1992),  11–15  mathnet  isi
8. В. К. Еремин, Е. М. Вербицкая, С. Г. Конников, Л. С. Медведев, Н. Б. Строкан, “Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов”, Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  91–94  mathnet
1991
9. П. Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С. Г. Конников, В. Г. Никитин, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, “Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga$-$Bi”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  338–342  mathnet
1990
10. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, К. Ю. Погребицкий, Б. В. Царенков, “Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания супертонких слоев $A^{3}B^{5}$”, ЖТФ, 60:1 (1990),  165–169  mathnet  isi
11. С. Г. Конников, М. И. Свердлов, Ф. Я. Филипченко, А. А. Хазанов, “Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2010–2016  mathnet
12. П. Н. Брунков, В. П. Евтихиев, С. Г. Конников, Е. Ю. Котельников, М. Г. Папенцев, М. М. Соболев, “Обнаружение нового метастабильного уровня $DX$-центра в тонких легированных Si слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1978–1982  mathnet
13. П. Н. Брунков, В. С. Калиновский, С. Г. Конников, М. М. Соболев, О. В. Сулима, “Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1320–1322  mathnet
14. С. Г. Конников, В. А. Поссе, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  271–275  mathnet
15. С. Г. Конников, С. А. Соловьев, В. Е. Уманский, С. Ф. Карманенко, О. В. Косогов, “Прямое наблюдение пространственной неоднородности сверхпроводимости ВТСП пленок методом низкотемпературной растровой электронной микроскопии”, Письма в ЖТФ, 16:10 (1990),  47–51  mathnet  isi
1989
16. П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, М. Н. Степанова, “Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1689–1691  mathnet
17. С. Г. Конников, О. В. Салата, В. А. Соловьев, М. А. Синицын, В. Е. Уманский, Д. А. Винокуров, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1416–1419  mathnet
18. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1411–1415  mathnet
19. М. М. Соболев, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, В. Г. Никитин, В. П. Улин, А. Ш. Долбая, Т. Д. Камушадзе, Р. М. Майсурадзе, “Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1058–1065  mathnet
20. С. Г. Конников, С. К. Павлов, К. Д. Цэндин, Е. И. Шифрин, В. Х. Шпунт, “Эффект скачкообразного увеличения проводимости стимулированного электронным пучком в легированных стеклообразных полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  48–51  mathnet  isi
21. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19  mathnet  isi
1988
22. С. Г. Конников, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, И. И. Лодыженский, “Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1803–1807  mathnet
23. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675  mathnet  isi
24. Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова, “Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1651–1655  mathnet  isi
25. Н. А. Берт, С. Г. Конников, А. В. Корольков, К. Ю. Погребицкий, “Изменение состава арсенида галлия вблизи поверхности при бомбардировке Ar$^{+}$-ионами”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  673–676  mathnet  isi
26. И. Н. Арсентьев, Н. А. Берт, А. В. Васильев, Д. З. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, А. В. Кочергин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597  mathnet  isi
27. Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176  mathnet  isi
1987
28. В. А. Елюхин, С. Ю. Карпов, С. Г. Конников, Т. Б. Попова, С. А. Руколайне, Г. В. Чернева, М. К. Эбаноидзе, “Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом”, ЖТФ, 57:4 (1987),  747–754  mathnet  isi
29. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках A$^{III}$B$^{V}$ при возбуждении электронным пучком”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2028–2032  mathnet
30. С. Г. Конников, О. В. Коваленков, К. Ю. Погребицкий, М. А. Синицын, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, Б. С. Явич, “Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749  mathnet
31. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. А. Хусаинов, В. М. Чистяков, И. Н. Яссиевич, “Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1648–1653  mathnet
32. С. Г. Конников, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, М. М. Соболев, Б. С. Явич, “Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1327–1329  mathnet
33. С. Г. Конников, М. М. Соболев, “Определение параметров безызлучательной рекомбинации в $p{-}n$-структурах с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  938–941  mathnet
34. С. Г. Конников, “Информационное сообщение”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  770  mathnet; S. G. Konnikov, “Information”, Semiconductors, 21:4 (1987), 473–474  isi
35. С. Г. Конников, В. Е. Уманский, И. И. Лодыжинский, “Пикосекундная растровая электронная микроскопия быстродействующих полупроводниковых приборов”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1183–1186  mathnet  isi
36. К. Ю. Кижаев, С. Г. Конников, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In Ga As P$, обусловленное упругими напряжениями”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136  mathnet  isi
1986
37. С. Г. Конников, Б. А. Матвеев, Т. Б. Попова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, В. Е. Уманский, “Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs”, Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792  mathnet  isi
38. И. Н. Арсентьев., Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, А. Е. Свелокузов, Н. Н. Фалеев, А. В. Чудинов, “Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211  mathnet
39. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. В. Чудинов, А. А. Хусаинов, “Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1049–1054  mathnet
40. Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al Ga As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093  mathnet  isi
41. Н. Л. Баженов, Н. З. Жингарев, В. И. Иванов-Омский, С. Г. Конников, М. С. Никитин, В. К. Огородников, В. И. Процык, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd Te-Cd_{x} Hg_{1-x} Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)”, Письма в ЖТФ, 12:16 (1986),  976–979  mathnet  isi
42. В. М. Андреев, О. О. Ивентьева, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, Э. Пурон, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, “Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al Ga As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537  mathnet  isi
1985
43. С. Г. Конников, “Рецензия на книгу Б.А. Тхорика и Л.С. Хазана «Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах»”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1341–1342  mathnet
44. Н. А. Берт, В. И. Васильев, С. Г. Конников, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, “Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga In Sb As/Ga Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197  mathnet  isi
1984
45. В. А. Елюхин, С. Г. Конников, М. И. Неменов, Л. П. Сорокина, Н. Н. Фалеев, “Кристаллизация гетероструктур из переохлажденных растворов–расплавов”, ЖТФ, 54:10 (1984),  2077–2079  mathnet  isi
46. С. И. Желудева, М. В. Ковальчук, С. Г. Конников, “Влияние глубины залегания $p{-}n$ перехода на кривые рентгеновской эдс в условиях брэгговской дифракции”, ЖТФ, 54:3 (1984),  655–657  mathnet  isi
47. С. Г. Конников, А. О. Константинов, В. И. Литманович, “Исследование лавинного умножения в карбиде кремния с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1556–1560  mathnet
48. М. М. Соболев, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, “Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  383–385  mathnet
49. А. Н. Баранов, Н. А. Берт, С. Г. Конников, В. И. Литманович, Т. С. Рогунова, Ю. П. Яковлев, “Неоднородное умножение в лавинных фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице”, Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1360–1364  mathnet  isi
50. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах”, Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  149–153  mathnet
1983
51. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP”, ЖТФ, 53:2 (1983),  411–412  mathnet  isi
52. В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, Е. А. Поссе, В. Е. Уманский, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176  mathnet
53. А. Н. Баранов, С. Г. Конников, Т. Е. Попова, Ю. П. Яковлев, “Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  645–648  mathnet

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021