RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Богатов Александр Петрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 80
Научных статей: 80
Цитированных статей: 47
Ссылок в Math-Net.Ru: 151

Статистика просмотров:
Эта страница:304
Страницы публикаций:5182
Полные тексты:2503
Списки литературы:107
профессор
доктор физико-математических наук (1995)
Специальность ВАК: 01.04.21 (лазерная физика)
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person82819
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Фактор спонтанного излучения в моду оптического диэлектрического волновода
А. П. Богатов
Квантовая электроника, 47:4 (2017),  313–318
2. Флуктуации выходной мощности и фазы оптического пучка диодного усилителя, обусловленные собственным спонтанным излучением
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик
Квантовая электроника, 46:8 (2016),  699–702
3. Спектр усиленного спонтанного излучения на выходе диодного усилителя, насыщенного входной монохроматической волной
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик
Квантовая электроника, 46:8 (2016),  693–698
4. Экспериментальное исследование диодного усилителя модулированного пучка на основе AlGaAs/GaAs, работающего в режиме глубокого насыщения усиления
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 44:11 (2014),  1005–1011
5. Диодный усилитель мощности модулированного оптического пучка
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 44:11 (2014),  997–1004
6. Амплитудно-фазовая модуляция излучения в усилителе бегущей волны на основе лазерного диода
А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, А. Е. Дракин, Т. И. Гущик
Квантовая электроника, 43:8 (2013),  699–705
7. Измерение параметров Стокса излучения полупроводниковых лазеров
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 41:10 (2011),  869–874
8. Оценка надежности гетеролазеров при их старении в процессе облучения потоком быстрых частиц
А. П. Богатов, А. А. Кочетков, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 41:2 (2011),  99–102
9. Параметры Стокса излучения поперечно-одномодовых InGaAs/AlGaAs-лазеров с квантоворазмерной активной областью
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 41:1 (2011),  20–25
10. Быстродействие оптического усилителя-модулятора на основе диодного лазера
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков
Квантовая электроника, 40:9 (2010),  782–788
11. Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 2. Расчет пространственного распределения температуры и порога катастрофической оптической деградации
Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 40:7 (2010),  589–595
12. Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 1. Физическая модель
Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 40:7 (2010),  583–588
13. Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки
Д. Р. Мифтахутдинов, И. В. Акимова, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Поповичев, А. П. Некрасов
Квантовая электроника, 38:11 (2008),  993–1000
14. Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности
А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев
Квантовая электроника, 38:10 (2008),  935–939
15. Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. Р. Мифтахутдинов, Г. Т. Микаелян, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 38:9 (2008),  805–812
16. Моды полупроводникового прямоугольного микрорезонатора
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Д. Р. Мифтахутдинов
Квантовая электроника, 38:1 (2008),  16–22
17. Мощный многомодовый суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 840 нм
Е. В. Андреева, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, П. И. Лапин, В. В. Прохоров, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 37:11 (2007),  996–1000
18. Мощность полупроводникового лазера гребнёвого типа в одночастотном режиме генерации
Д. В. Батрак, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 37:8 (2007),  745–752
19. Моделирование излучательных характеристик и оптимизация волноводных параметров гребнёвого полупроводникового гетеролазера для получения максимальной яркости излучения
С. А. Плисюк, Д. В. Батрак, А. Е. Дракин, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 36:11 (2006),  1058–1064
20. Автокорреляционная функция и спектр излучения поперечно-одномодовых гетеролазеров в режиме самоподдерживающихся пульсаций интенсивности
Д. Р. Мифтахутдинов, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк
Квантовая электроника, 36:8 (2006),  751–757
21. Спектральные свойства резонатора полупроводникового α-DFB-лазера
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. В. Батрак, Р. Гютер, К. Пашке, Х. Венцель
Квантовая электроника, 36:8 (2006),  745–750
22. Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, Д. Р. Мифтахутдинов, В. И. Стадничук, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 36:4 (2006),  302–308
23. Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора
С. А. Плисюк, И. В. Акимова, А. Е. Дракин, А. В. Бородаенко, А. А. Стратонников, В. В. Поповичев, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 35:6 (2005),  515–519
24. Приближëнное условие ортогональности для мод открытого резонатора
Д. В. Батрак, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 35:4 (2005),  356–358
25. Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм
Д. В. Батрак, С. А. Богатова, А. В. Бородаенко, А. Е. Дракин, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 35:4 (2005),  316–322
26. Устойчивость и автостабилизация одночастотного режима генерации полупроводникового лазера
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, Ф. Ф. Каменец
Квантовая электроника, 33:11 (2003),  941–948
27. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода
В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников
Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104
28. Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица
Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814
29. Зависимость диаграммы направленности излучения квантоворазмерного гетеролазера, работающего на вытекающей моде, от тока накачки
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Лях, А. А. Стратонников
Квантовая электроника, 31:10 (2001),  847–852
30. Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом
А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 30:10 (2000),  878–880
31. Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In0.2Ga0.8As/GaAs-лазеров, работающих в непрерывном режиме
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 30:5 (2000),  401–405
32. Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs
А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 30:4 (2000),  315–320
33. Затухание оптической волны, распространяющейся в волноводе, образованном слоями полупроводниковой гетероструктуры, из-за рассеяния на неоднородностях
А. П. Богатов, И. С. Бурмистров
Квантовая электроника, 27:3 (1999),  223–227
34. Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на вытекающей моде
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, Ю. С. Алавердян, А. В. Устинов, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 27:2 (1999),  131–133
35. Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде
В. И. Швейкин, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Ю. В. Курнявко
Квантовая электроника, 26:1 (1999),  33–36
36. Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 26:1 (1999),  28–32
37. Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур
И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 25:7 (1998),  647–650
38. Расчет постоянной распространения лазерной моды в многослойных квантоворазмерных гетероструктурах с помощью метода «набегающей» волны
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. Р. Медведев, А. В. Устинов
Квантовая электроника, 25:6 (1998),  488–492
39. О влиянии пространственно-неоднородного насыщения усиления, вызванного стоячей волной, на амплитудно-частотную характеристику модуляции излучения полупроводникового лазера
А. П. Богатов
Квантовая электроника, 24:4 (1997),  293–298
40. Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления
Э. В. Аржанов, А. П. Богатов, В. П. Коняев, О. М. Никитина, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 21:7 (1994),  633–639
41. Численное моделирование рассеяния сходящегося оптического пучка поверхностью с одномерной шероховатостью
А. П. Богатов, О. М. Никитина
Квантовая электроника, 21:2 (1994),  186–190
42. Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм
В. И. Барышев, А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, М. П. Рахвальский
Квантовая электроника, 17:9 (1990),  1147–1150
43. Инжекционный лазер с волноводной линзой
А. П. Богатов, Н. А. Вагнер, Е. И. Давыдова, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, О. М. Никитина, Г. Т. Пак
Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2173–2176
44. Метод микросканирования для исследования распределения интенсивности в пучке излучения инжекционных лазеров
А. П. Богатов, О. А. Кобилджанов, Н. Д. Кундикова
Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1944–1946
45. Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, М. П. Рахвальский, А. В. Хайдаров
Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1765–1769
46. Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова
Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2223–2226
47. Растекание тока в полосковом полупроводниковом лазере с оксидной изоляцией
А. П. Богатов, М. П. Рахвальский
Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1720–1723
48. Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой
А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов
Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1552–1554
49. Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов
Квантовая электроника, 15:2 (1988),  253–258
50. Волноводный коэффициент амплитудно-фазовой связи в инжекционных лазерах
А. П. Богатов
Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2190–2194
51. Флуктуации интенсивности одночастотного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, В. Р. Мадгазин, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. В. Хайдаров
Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2414–2423
52. Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1859–1867
53. Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах (обзор)
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев
Квантовая электроника, 12:3 (1985),  465–493
54. Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором
А. П. Богатов, И. С. Голдобин, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Е. Г. Файнбойм, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 12:1 (1985),  162–164
55. Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц
Д. М. Анненков, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Ю. Ф. Федоров, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 11:2 (1984),  231–232
56. Прямая регистрация пикосекундных импульсов инжекционного лазера с активной синхронизацией мод
А. П. Богатов, П. П. Васильев, В. Н. Морозов, А. Б. Сергеев
Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1957–1958
57. Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1851–1865
58. Вынужденное рассеяние излучения на волнах населенности возбужденного состояния
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев
Квантовая электроника, 10:4 (1983),  865–867
59. Генерация пикосекундных импульсов в инжекционном лазере с внешним селективным резонатором
Ю. Л. Бессонов, А. П. Богатов, П. П. Васильев, В. Н. Морозов, А. Б. Сергеев
Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2323–2326
60. Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
А. П. Богатов, М. Г. Васильев, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506
61. Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1957–1961
62. Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором
В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 8:4 (1981),  853–859
63. Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2642–2644
64. Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов
Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2487–2488
65. Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак
Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1664–1669
66. Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092
67. О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта
С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 7:1 (1980),  123–127
68. Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Г. Г. Харисов
Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2639–2641
69. Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора
А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. И. Петров, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1264–1270
70. Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак
Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2493–2495
71. Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, Е. Г. Сухов, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2408–2415
72. Аномальная динамика генерации в полупроводниковых лазерах с несимметричной волноводной структурой. I. Экспериментальное исследование с помощью внешнего резонатора
А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2402–2407
73. Деформация мод в инжекционном лазере из-за самофокусировки и ее связь с нелинейностью выходной характеристики
Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев
Квантовая электроника, 5:3 (1978),  603–608
74. Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором
А. П. Богатов, Х.-Ю. Бахерт, П. Г. Елисеев, А. Клер, М. А. Манько
Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1819–1821
75. О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин
Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1609–1611
76. Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIn1–xAsyP1–y и AlxGa1–xSbyAs1–y
А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко
Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2294–2295
77. Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов
Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2286–2288
78. Инжекционный лазер с дифракционной решеткой в резонаторе
Д. Аккерман, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, 3. Рааб, Б. Н. Свердлов
Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1145–1149
79. О кинетике спектра излучения инжекционного лазера и явлениях срыва одномодовой генерации
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, К. Я. Сенаторов
Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  14–20
80. Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. И. Пантелеев, Е. Г. Шевченко
Квантовая электроника, 1971, № 5,  93–95

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017