RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Богатов Александр Петрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 81
Научных статей: 81
Цитированных статей: 47
Ссылок в Math-Net.Ru: 151

Статистика просмотров:
Эта страница:317
Страницы публикаций:5439
Полные тексты:2510
Списки литературы:115
профессор
доктор физико-математических наук (1995)
Специальность ВАК: 01.04.21 (лазерная физика)
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person82819
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Амплитудно-фазовая модуляция и спектр излучения диодного лазера с вертикальным резонатором
М. И. Васьковская, В. В. Васильев, С. А. Зибров, В. Л. Величанский, И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 47:9 (2017),  835–841
2. Фактор спонтанного излучения в моду оптического диэлектрического волновода
А. П. Богатов
Квантовая электроника, 47:4 (2017),  313–318
3. Флуктуации выходной мощности и фазы оптического пучка диодного усилителя, обусловленные собственным спонтанным излучением
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик
Квантовая электроника, 46:8 (2016),  699–702
4. Спектр усиленного спонтанного излучения на выходе диодного усилителя, насыщенного входной монохроматической волной
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик
Квантовая электроника, 46:8 (2016),  693–698
5. Экспериментальное исследование диодного усилителя модулированного пучка на основе AlGaAs/GaAs, работающего в режиме глубокого насыщения усиления
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 44:11 (2014),  1005–1011
6. Диодный усилитель мощности модулированного оптического пучка
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 44:11 (2014),  997–1004
7. Амплитудно-фазовая модуляция излучения в усилителе бегущей волны на основе лазерного диода
А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, А. Е. Дракин, Т. И. Гущик
Квантовая электроника, 43:8 (2013),  699–705
8. Измерение параметров Стокса излучения полупроводниковых лазеров
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 41:10 (2011),  869–874
9. Оценка надежности гетеролазеров при их старении в процессе облучения потоком быстрых частиц
А. П. Богатов, А. А. Кочетков, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 41:2 (2011),  99–102
10. Параметры Стокса излучения поперечно-одномодовых InGaAs/AlGaAs-лазеров с квантоворазмерной активной областью
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 41:1 (2011),  20–25
11. Быстродействие оптического усилителя-модулятора на основе диодного лазера
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков
Квантовая электроника, 40:9 (2010),  782–788
12. Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 2. Расчет пространственного распределения температуры и порога катастрофической оптической деградации
Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 40:7 (2010),  589–595
13. Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 1. Физическая модель
Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин
Квантовая электроника, 40:7 (2010),  583–588
14. Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки
Д. Р. Мифтахутдинов, И. В. Акимова, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Поповичев, А. П. Некрасов
Квантовая электроника, 38:11 (2008),  993–1000
15. Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности
А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев
Квантовая электроника, 38:10 (2008),  935–939
16. Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. Р. Мифтахутдинов, Г. Т. Микаелян, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 38:9 (2008),  805–812
17. Моды полупроводникового прямоугольного микрорезонатора
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Д. Р. Мифтахутдинов
Квантовая электроника, 38:1 (2008),  16–22
18. Мощный многомодовый суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 840 нм
Е. В. Андреева, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, П. И. Лапин, В. В. Прохоров, С. Д. Якубович
Квантовая электроника, 37:11 (2007),  996–1000
19. Мощность полупроводникового лазера гребнёвого типа в одночастотном режиме генерации
Д. В. Батрак, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 37:8 (2007),  745–752
20. Моделирование излучательных характеристик и оптимизация волноводных параметров гребнёвого полупроводникового гетеролазера для получения максимальной яркости излучения
С. А. Плисюк, Д. В. Батрак, А. Е. Дракин, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 36:11 (2006),  1058–1064
21. Автокорреляционная функция и спектр излучения поперечно-одномодовых гетеролазеров в режиме самоподдерживающихся пульсаций интенсивности
Д. Р. Мифтахутдинов, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк
Квантовая электроника, 36:8 (2006),  751–757
22. Спектральные свойства резонатора полупроводникового α-DFB-лазера
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. В. Батрак, Р. Гютер, К. Пашке, Х. Венцель
Квантовая электроника, 36:8 (2006),  745–750
23. Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, Д. Р. Мифтахутдинов, В. И. Стадничук, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 36:4 (2006),  302–308
24. Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора
С. А. Плисюк, И. В. Акимова, А. Е. Дракин, А. В. Бородаенко, А. А. Стратонников, В. В. Поповичев, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 35:6 (2005),  515–519
25. Приближëнное условие ортогональности для мод открытого резонатора
Д. В. Батрак, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 35:4 (2005),  356–358
26. Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм
Д. В. Батрак, С. А. Богатова, А. В. Бородаенко, А. Е. Дракин, А. П. Богатов
Квантовая электроника, 35:4 (2005),  316–322
27. Устойчивость и автостабилизация одночастотного режима генерации полупроводникового лазера
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, Ф. Ф. Каменец
Квантовая электроника, 33:11 (2003),  941–948
28. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода
В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников
Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104
29. Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица
Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814
30. Зависимость диаграммы направленности излучения квантоворазмерного гетеролазера, работающего на вытекающей моде, от тока накачки
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Лях, А. А. Стратонников
Квантовая электроника, 31:10 (2001),  847–852
31. Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом
А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 30:10 (2000),  878–880
32. Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In0.2Ga0.8As/GaAs-лазеров, работающих в непрерывном режиме
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 30:5 (2000),  401–405
33. Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs
А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 30:4 (2000),  315–320
34. Затухание оптической волны, распространяющейся в волноводе, образованном слоями полупроводниковой гетероструктуры, из-за рассеяния на неоднородностях
А. П. Богатов, И. С. Бурмистров
Квантовая электроника, 27:3 (1999),  223–227
35. Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на вытекающей моде
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, Ю. С. Алавердян, А. В. Устинов, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 27:2 (1999),  131–133
36. Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде
В. И. Швейкин, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Ю. В. Курнявко
Квантовая электроника, 26:1 (1999),  33–36
37. Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 26:1 (1999),  28–32
38. Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур
И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. П. Коняев
Квантовая электроника, 25:7 (1998),  647–650
39. Расчет постоянной распространения лазерной моды в многослойных квантоворазмерных гетероструктурах с помощью метода «набегающей» волны
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. Р. Медведев, А. В. Устинов
Квантовая электроника, 25:6 (1998),  488–492
40. О влиянии пространственно-неоднородного насыщения усиления, вызванного стоячей волной, на амплитудно-частотную характеристику модуляции излучения полупроводникового лазера
А. П. Богатов
Квантовая электроника, 24:4 (1997),  293–298
41. Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления
Э. В. Аржанов, А. П. Богатов, В. П. Коняев, О. М. Никитина, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 21:7 (1994),  633–639
42. Численное моделирование рассеяния сходящегося оптического пучка поверхностью с одномерной шероховатостью
А. П. Богатов, О. М. Никитина
Квантовая электроника, 21:2 (1994),  186–190
43. Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм
В. И. Барышев, А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, М. П. Рахвальский
Квантовая электроника, 17:9 (1990),  1147–1150
44. Инжекционный лазер с волноводной линзой
А. П. Богатов, Н. А. Вагнер, Е. И. Давыдова, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, О. М. Никитина, Г. Т. Пак
Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2173–2176
45. Метод микросканирования для исследования распределения интенсивности в пучке излучения инжекционных лазеров
А. П. Богатов, О. А. Кобилджанов, Н. Д. Кундикова
Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1944–1946
46. Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, М. П. Рахвальский, А. В. Хайдаров
Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1765–1769
47. Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова
Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2223–2226
48. Растекание тока в полосковом полупроводниковом лазере с оксидной изоляцией
А. П. Богатов, М. П. Рахвальский
Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1720–1723
49. Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой
А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов
Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1552–1554
50. Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов
Квантовая электроника, 15:2 (1988),  253–258
51. Волноводный коэффициент амплитудно-фазовой связи в инжекционных лазерах
А. П. Богатов
Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2190–2194
52. Флуктуации интенсивности одночастотного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, В. Р. Мадгазин, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. В. Хайдаров
Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2414–2423
53. Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1859–1867
54. Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах (обзор)
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев
Квантовая электроника, 12:3 (1985),  465–493
55. Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором
А. П. Богатов, И. С. Голдобин, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Е. Г. Файнбойм, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 12:1 (1985),  162–164
56. Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц
Д. М. Анненков, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Ю. Ф. Федоров, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 11:2 (1984),  231–232
57. Прямая регистрация пикосекундных импульсов инжекционного лазера с активной синхронизацией мод
А. П. Богатов, П. П. Васильев, В. Н. Морозов, А. Б. Сергеев
Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1957–1958
58. Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1851–1865
59. Вынужденное рассеяние излучения на волнах населенности возбужденного состояния
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев
Квантовая электроника, 10:4 (1983),  865–867
60. Генерация пикосекундных импульсов в инжекционном лазере с внешним селективным резонатором
Ю. Л. Бессонов, А. П. Богатов, П. П. Васильев, В. Н. Морозов, А. Б. Сергеев
Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2323–2326
61. Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
А. П. Богатов, М. Г. Васильев, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин
Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506
62. Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1957–1961
63. Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором
В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 8:4 (1981),  853–859
64. Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2642–2644
65. Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов
Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2487–2488
66. Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак
Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1664–1669
67. Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092
68. О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта
С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 7:1 (1980),  123–127
69. Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Г. Г. Харисов
Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2639–2641
70. Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора
А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. И. Петров, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1264–1270
71. Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак
Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2493–2495
72. Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, Е. Г. Сухов, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2408–2415
73. Аномальная динамика генерации в полупроводниковых лазерах с несимметричной волноводной структурой. I. Экспериментальное исследование с помощью внешнего резонатора
А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, К. А. Хайретдинов
Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2402–2407
74. Деформация мод в инжекционном лазере из-за самофокусировки и ее связь с нелинейностью выходной характеристики
Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев
Квантовая электроника, 5:3 (1978),  603–608
75. Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором
А. П. Богатов, Х.-Ю. Бахерт, П. Г. Елисеев, А. Клер, М. А. Манько
Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1819–1821
76. О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин
Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1609–1611
77. Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIn1–xAsyP1–y и AlxGa1–xSbyAs1–y
А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко
Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2294–2295
78. Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов
Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2286–2288
79. Инжекционный лазер с дифракционной решеткой в резонаторе
Д. Аккерман, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, 3. Рааб, Б. Н. Свердлов
Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1145–1149
80. О кинетике спектра излучения инжекционного лазера и явлениях срыва одномодовой генерации
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, К. Я. Сенаторов
Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  14–20
81. Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. И. Пантелеев, Е. Г. Шевченко
Квантовая электроника, 1971, № 5,  93–95

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017