RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Ильичев Николай Николаевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 67
Научных статей: 66
Цитированных статей: 20
Ссылок в Math-Net.Ru: 137

Статистика просмотров:
Эта страница:215
Страницы публикаций:3784
Полные тексты:1897
Списки литературы:119
доктор физико-математических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person82823
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Нелинейное пропускание поликристалла ZnSe : Fe2+, легированного диффузионным методом, на длине волны 2940 нм при низкой и комнатной температурах
Н. Н. Ильичев, Г. А. Буфетова, Э. С. Гулямова, П. П. Пашинин, А. В. Сидорин, В. И. Полянский, В. П. Калинушкин, Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, Д. В. Савин
Квантовая электроника, 47:2 (2017),  111–115
2. Измерение нелинейного коэффициента отражения лазерного излучения с длиной волны 2940 нм от границ раздела кварцевое стекло – вода и кварцевое стекло – этиловый спирт
Э. С. Гулямова, Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, В. И. Полянский, А. В. Сидорин
Квантовая электроника, 46:7 (2016),  606–608
3. ИК люминесценция монокристаллов ZnSe:Fe2+ при возбуждении электронным пучком
А. А. Гладилин, Э. С. Гулямова, В. П. Данилов, Н. Н. Ильичев, В. П. Калинушкин, И. Н. Один, П. П. Пашинин, Р. Р. Резванов, А. В. Сидорин, М. И. Студеникин, В. А. Чапнин, М. В. Чукичев
Квантовая электроника, 46:6 (2016),  545–547
4. Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом
Г. А. Буфетова, Э. С. Гулямова, Н. Н. Ильичев, А. С. Насибов, П. П. Пашинин, П. В. Шапкин
Квантовая электроника, 45:6 (2015),  521–526
5. Мощный компактный лазер с сегментированной продольной накачкой связанных каналов генерации
Д. Н. Мамонов, Н. Н. Ильичев, А. А. Сироткин, П. А. Пивоваров, С. Г. Ребров, С. И. Державин, С. М. Климентов
Квантовая электроника, 45:6 (2015),  508–510
6. Линейное и нелинейное пропускание кристалла ZnSe, легированного Fe2+, на длине волны 2940 нм в диапазоне температур 20 – 220 °С
Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, Э. С. Гулямова, Г. А. Буфетова, П. В. Шапкин, А. С. Насибов
Квантовая электроника, 44:3 (2014),  213–216
7. Лазер на кристалле ZnSe:Fe2+ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре
С. Д. Великанов, В. П. Данилов, Н. Г. Захаров, Н. Н. Ильичев, С. Ю. Казанцев, В. П. Калинушкин, И. Г. Кононов, А. С. Насибов, М. И. Студеникин, П. П. Пашинин, К. Н. Фирсов, П. В. Шапкин, В. В. Щуров
Квантовая электроника, 44:2 (2014),  141–144
8. Пространственное разделение и движение электрических зарядов, возникающих при воздействии на воду мощного лазерного ИК излучения
Н. Н. Ильичев, Л. А. Кулевский, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 43:1 (2013),  47–54
9. О фотоакустическом мониторинге движения фронта лазерного испарения
А. А. Самохин, Н. Н. Ильичев
Квантовая электроника, 40:8 (2010),  659–660
10. Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe2+, работающий при комнатной температуре
Н. Н. Ильичев, В. П. Данилов, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, П. В. Шапкин, А. С. Насибов
Квантовая электроника, 38:2 (2008),  95–96
11. Особенности взрывного вскипания воды под действием излучения эрбиевого лазера с модулированной добротностью
А. А. Самохин, В. И. Вовченко, Н. Н. Ильичев, П. В. Шапкин
Квантовая электроника, 37:12 (2007),  1141–1142
12. Пассивная модуляция добротности лазера на стекле с эрбием с помощью кристалла ZnSe:Co2+
Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, П. В. Шапкин, А. С. Насибов
Квантовая электроника, 37:10 (2007),  974–980
13. О роли тепловой нелинейности при вырожденных взаимодействиях в насыщенных лазерных средах
В. В. Туморин, Н. Н. Ильичев
Квантовая электроника, 37:9 (2007),  821–826
14. Фотовольтаический эффект в воде при воздействии на нее излучения YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+-лазера с длиной волны 2.92 мкм
Н. Н. Ильичев, Л. А. Кулевский, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 35:10 (2005),  959–961
15. Исследование фазовой составляющей решетки инверсной населенности в кристалле YAlO3:Nd при ламповой накачке
В. В. Туморин, Н. Н. Ильичев
Квантовая электроника, 35:10 (2005),  938–942
16. Исследование нелинейного пропускания кристаллов ZnSe:Co2+ на длине волны 1.54 мкм
Н. Н. Ильичев, П. В. Шапкин, С. Е. Мосалева, А. С. Насибов
Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1169–1172
17. Самосинхронизация мод с помощью пассивного затвора на основе одностенных углеродных нанотрубок в лазере на кристалле LIF : F2-
Н. Н. Ильичев, Е. Д. Образцова, П. П. Пашинин, В. И. Конов, С. В. Гарнов
Квантовая электроника, 34:9 (2004),  785–786
18. Нелинейное пропускание одностенных углеродных нанотрубок в тяжелой воде на длине волны 1.54 мкм; получение режима самосинхронизации мод в лазере на стекле с Er3+ с помощью пассивного затвора на основе этих нанотрубок
Н. Н. Ильичев, Е. Д. Образцова, С. В. Гарнов, С. Е. Мосалева
Квантовая электроника, 34:6 (2004),  572–574
19. Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке
Н. Н. Ильичев, В. В. Туморин
Квантовая электроника, 34:3 (2004),  283–288
20. Оценка плотности энергии насыщения в одночастотном лазере на кристалле YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+ (λ = 2.92 мкм), работающем в режиме модулированной добротности
Н. Н. Ильичев, Л. А. Кулевский, В. Н. Транев
Квантовая электроника, 33:4 (2003),  312–314
21. Исследование стойкости поглощающих центров в кристалле CaF2:Pr2+ к воздействию мощного лазерного излучения
Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, Э. С. Гулямова
Квантовая электроника, 31:7 (2001),  597–598
22. Двухчастотная синхронизованная генерация в моноблочном GGG:Nd3+-лазере с диодной накачкой
Н. В. Бабурин, Б. И. Галаган, Ю. К. Данилейко, Н. Н. Ильичев, А. В. Масалов, В. Я. Молчанов, В. А. Чиков
Квантовая электроника, 31:4 (2001),  303–304
23. Двухчастотная синхронизованная генерация в YAG:Nd3+-лазере с непрерывной накачкой
Б. И. Галаган, Ю. К. Данилейко, Н. Н. Ильичев, А. В. Масалов, В. Я. Молчанов, В. А. Чиков
Квантовая электроника, 30:9 (2000),  806–808
24. Коэффициент отражения ВРМБ-зеркала
Н. Н. Ильичев
Квантовая электроника, 28:3 (1999),  256–258
25. Модель режима пассивной модуляции добротности с учетом анизотропии нелинейного поглощения в затворе на основе кристалла с фототропными центрами
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 25:2 (1998),  155–159
26. Поляризация неодимового лазера с пассивным затвором на основе кристалла YAG:Cr4+
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, Э. С. Гулямова, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 25:1 (1998),  19–22
27. Пассивная модуляция добротности неодимового лазера с помощью затвора на основе кристалла YAG:Cr4+
Н. Н. Ильичев, Э. С. Гулямова, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 24:11 (1997),  1001–1006
28. Влияние анизотропии нелинейного поглощения в пассивном затворе YAG:Cr4+ на энергетические и поляризационные характеристики неодимового лазера
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, Э. С. Гулямова, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 24:4 (1997),  307–310
29. Дихроизм кристалла LiF при необратимом пространственно-селективном разрушении $F_2^-$-центров окраски под действием излучения с $\lambda \sim$ 1.06 мкм
Т. Т. Басиев, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 23:3 (1996),  269–272
30. Поляризационные характеристики двухфотонного поглощения в кристалле LiF:$F^-_2$ на длине волны 1.06 мкм
Т. Т. Басиев, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, В. А. Конюшкин, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 23:2 (1996),  149–153
31. Анизотропия нелинейного поглощения в кристалле ИАГ : V3+
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, В. А. Сандуленко, А. В. Сандуленко, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1192–1194
32. Экспериментальное исследование связи флуктуаций энергии излучения на основной частоте и частоте второй гармоники одночастотного неодимового лазера с пассивной модуляцией добротности
Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 21:9 (1994),  835–837
33. Изменение формы и состояния поляризации короткого импульса света (λ ~1.06 мкм) при распространении в кристалле ИАГ:Cr4+
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга, Э. С. Гулямова
Квантовая электроника, 21:9 (1994),  829–834
34. Феноменологическая модель "поляризационного коллапса" излучения неодимового лазера на стекле с пассивным затвором на LiF:$F_2^-$
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, А. А. Малютин, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 21:7 (1994),  629–632
35. "Поляризационный коллапс" излучения неодимового лазера на стекле с пассивным затвором на кристалле LiF:$F_2^-$
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, А. А. Малютин, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 21:7 (1994),  622–628
36. Одночастотный стабильный лазер на стекле с неодимом с селектором продольных мод на основе кристалла LiF:F2
Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 19:6 (1992),  589–592
37. Приближенная теория многопроходного усиления и ее применение для аналитического описания спектральных характеристик усиливаемого излучения
Н. Н. Ильичев, А. В. Лариков, А. А. Малютин
Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1386–1390
38. Генерационные исследования новых неодимовых лазерных стекол
П. В. Горбунов, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, Г. В. Максимова, В. В. Моцартов, В. В. Осико, С. Е. Сверчков, Ю. Е. Сверчков, В. Н. Якименко
Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1303–1305
39. Самоиндуцированное изменение поляризации мощного резонансного излучения в кристалле LiF:F2
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, А. А. Малютин
Квантовая электроника, 18:8 (1991),  933–937
40. Стабильность выходной энергии импульсных твердотельных лазеров при пассивной модуляции добротности с помощью кристаллов LiF с F2-ЦО
Н. Н. Ильичев, М. Исбашеску, А. В. Кирьянов, А. А. Малютин, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 18:6 (1991),  689–692
41. Самопроизвольное сужение спектра генерации (спектральный "коллапс") в лазерах на неодиме при модуляции добротности с помощью кристаллов LiF:F2
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, А. А. Малютин, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 18:4 (1991),  433–436
42. Пассивная модуляция добротности резонатора лазера на 1,3 мкм с помощью ВРМБ-зеркала
Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, А. А. Малютин, П. П. Пашинин, В. С. Сидорин, Е. И. Шкловский
Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1475–1476
43. Приближенная теория многопроходного усиления в приложении к энергетическим характеристикам усилителя
Н. Н. Ильичев, А. В. Лариков, А. А. Малютин
Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1428–1433
44. Относительные измерения эффективного сечения вынужденного излучения в средах с ионами неодима
Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, О. В. Скопцов
Квантовая электроника, 17:7 (1990),  883–885
45. Мощный импульсно-периодический твердотельный лазер на неодимовом стекле с активным элементом пластинчатой формы
М. А. Борик, П. В. Горбунов, Ю. К. Данилейко, Б. И. Денкер, А. Д. Иванов, Н. Н. Ильичев, А. В. Лариков, Т. П. Лебедева, Г. В. Максимова, В. В. Моцартов, А. Г. Мусатов, В. В. Осико, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 17:4 (1990),  398–403
46. Измерение тепловыделения в активных элементах твердотельных лазеров из стекол КНФС, ГЛС24, а также ИАГ:Nd при оптической накачке
Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, А. А. Малютин, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 15:12 (1988),  2508–2510
47. Активная синхронизация мод твердотельного лазера на КНФС с помощью модулятора на регулярных доменных структурах
В. В. Антипов, Э. С. Гулямова, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, П. П. Пашинин, Н. Г. Сорокин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2010–2012
48. Компактный лазер на основе ГСГГ:Cr3+, Nd3+ с пассивной модуляцией добротности
А. А. Данилов, В. Л. Евстигнеев, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, М. Ю. Никольский, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 14:5 (1987),  905–906
49. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:5 (1986),  973–979
50. Влияние температуры LiF(F2) на моноимпульсный режим работы неодимового лазера на стекле
Н. Н. Ильичев, Н. П. Кущ, А. А. Малютин
Квантовая электроника, 12:8 (1985),  1721–1724
51. Сравнительные испытания генерационных характеристик некоторых марок лазерных неодимовых стекол
Г. Д. Берзина, М. А. Борик, И. М. Бужинский, Б. И. Денкер, Э. С. Гулямова, Н. Н. Ильичев, Е. И. Корягина, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, В. Ф. Суркова
Квантовая электроника, 12:4 (1985),  694–697
52. Управление параметрами лазера с затвором в составном резонаторе
Н. Н. Ильичев, А. В. Костеша, Н. П. Кущ, А. А. Малютин, И. В. Новиков
Квантовая электроника, 12:2 (1985),  446–448
53. Об оптимизации параметров активных элементов в миниатюрных лазерах на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле
Т. Т. Басиев, С. А. Болдырев, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, Г. С. Леонов, А. А. Малютин, С. Б. Миров, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1671–1674
54. Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. В. Осико, В. Г. Остроумов, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1916–1919
55. Об одном способе изменения добротности лазера стеклянной пластинкой
Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин
Квантовая электроника, 10:2 (1983),  454–455
56. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната, активированных ионами неодима и хрома
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. Г. Остроумов, П. П. Пашинин, А. С. Пименов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 10:1 (1983),  140–144
57. Спектральный состав излучения лазера на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с модулятором добротности на основе кристаллов LiF($F_2^-$)
Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, С. Ф. Распопов, А. Т. Суходольский
Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1842–1843
58. Генерация трёхпикосекундных импульсов излучения в лазере на концентрированном неодим-фосфатном стекле
Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, П. П. Пашинин, Ю. Н. Сердюченко, М. Я. Щелев
Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1840–1842
59. Лазер с дифракционной расходимостью излучения и модуляцией добротности с помощью ВРМБ
Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1803–1808
60. Генератор лазерных импульсов наносекундной длительности на неодимовом фосфатном стекле с лазерной накачкой
Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1733–1735
61. Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности
Т. Т. Басиев, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, С. Б. Миров, В. В. Осико, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1536–1542
62. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристалле Gd3Ga5O12
Е. В. Жариков, Н. Н. Ильичев, В. В. Лаптев, А. А. Малютин, В. Г. Остроумов, П. П. Пашинин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:3 (1982),  568–573
63. Эффективность лазера на Li–Nd–La-фосфатном стекле в диапазоне малых накачек. Свободная генерация
Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, Г. В. Максимова, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1598–1601
64. Применение концентрированного Li–Nd–La-фосфатного стекла в лазерах с модуляцией добротности
К. Л. Водопьянов, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, И. Кертес, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, И. Цигань
Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1595–1598
65. Высокоэффективный импульсно-периодический лазер на концентрированном неодимовом фосфатном стекле
А. Г. Аванесов, Ю. Г. Басов, В. М. Гармаш, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, Г. В. Максимова, А. А. Малютин, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, В. В. Сычёв
Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1120–1122
66. Повышение эффективности неодимовых лазеров преобразованием излучения накачки в люминесцирующей жидкости
К. Л. Водопьянов, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, Г. А. Матюшин, В. М. Подгаецкий
Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1795–1798

67. Поправка к статье: Оценка плотности энергии насыщения в одночастотном лазере на кристалле YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+ (λ = 2.92 мкм), работающем в режиме модулированной добротности
Н. Н. Ильичев, Л. А. Кулевский, В. Н. Транев
Квантовая электроника, 33:6 (2003),  541

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017