RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Микаелян Геворк Татевосович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 24
Научных статей: 24

Статистика просмотров:
Эта страница:344
Страницы публикаций:3036
Полные тексты:1452
Списки литературы:160
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person83262
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках
В. В. Безотосный, В. П. Гордеев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 48:2 (2018),  115–118
2. Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм
В. В. Безотосный, А. А. Козырев, Н. С. Кондакова, С. А. Кондаков, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 47:1 (2017),  5–6
3. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая
Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511
4. Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, Е. В. Бушуев, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 43:2 (2013),  144–146
5. Лазер на парах цезия с диодной накачкой и прокачкой лазерной среды по замкнутому циклу
А. В. Богачев, С. Г. Гаранин, А. М. Дудов, В. А. Ерошенко, С. М. Куликов, Г. Т. Микаелян, В. А. Панарин, В. О. Паутов, А. В. Рус, С. А. Сухарев
Квантовая электроника, 42:2 (2012),  95–98
6. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17
7. Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97
8. Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт
В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, Г. Т. Микаелян, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
Квантовая электроника, 39:3 (2009),  241–243
9. Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. Р. Мифтахутдинов, Г. Т. Микаелян, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 38:9 (2008),  805–812
10. Нелинейно-оптические свойства гетерогенных жидких нанофазных композитов на основе широкозонных наночастиц Al2O3
Ю. Н. Кульчин, А. В. Щербаков, В. П. Дзюба, С. С. Вознесенский, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 38:2 (2008),  154–158
11. Исследование линеек полупроводниковых лазеров с неустойчивыми резонаторами
Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 36:6 (2006),  517–519
12. Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, Д. Р. Мифтахутдинов, В. И. Стадничук, А. Н. Стародуб
Квантовая электроника, 36:4 (2006),  302–308
13. Анализ тепловых режимов мощных полупроводниковых лазеров и наборных решеток
Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 36:3 (2006),  222–227
14. Излучательные характеристики двумерных матриц инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs на длине волны 0.81 мкм для систем накачки твердотельных активных элементов
А. С. Адливанкин, В. В. Безотосный, Н. В. Маркова, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов, С. Н. Порезанов
Квантовая электроника, 23:11 (1996),  974–976
15. Оптическая пpочность зеpкальных гpаней в полупpоводниковом лазеpе на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном pежиме
П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 22:9 (1995),  895–896
16. Анализ мод, направляемых усилением, в активных полупроводниковых волноводах
М. А. Манько, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1506–1514
17. Спектральные свойства излучения инжекционных гетеролазеров с серповидной активной областью
Г. Т. Микаелян, А. И. Свердлов, С. Н. Соколов
Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1255–1258
18. Аналог принципа Франка–Кондона для неоднородного по длине гетеролазера
М. А. Манько, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 13:2 (1986),  302–309
19. Электрическая диагностика режимов усилителя-монитора на основе лазерного диода
Ву Ван Лук, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян
Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1851–1853
20. Оптоэлектронное считывание с помощью инжекционного лазера
By Ван Лык, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, О. Г. Охотников, С. Н. Соколов
Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1825–1830
21. Влияние предварительных импульсов накачки на выходные характеристики полосковых гетеролазеров
By Ван Лык, А. С. Калшабеков, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, С. Н. Соколов
Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2697–2699
22. Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов
Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2487–2488
23. Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов
Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092
24. Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Г. Г. Харисов
Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2639–2641

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018