RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Ладугин Максим Анатольевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 27
Научных статей: 27

Статистика просмотров:
Эта страница:103
Страницы публикаций:5990
Полные тексты:1253
Списки литературы:483
кандидат технических наук
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person83418
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2019
1. Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  931–935  mathnet [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes based on asymmetric double-quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 931–935]
2. М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева, “Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  905–908  mathnet [M. A. Ladugin, N. V. Gul'tikov, A. A. Marmalyuk, V. P. Konyaev, A. V. Solov'eva, “Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 905–908]
3. А. С. Аникеев, Т. А. Багаев, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами”, Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813  mathnet [A. S. Anikeev, T. A. Bagaev, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes of the 770–790-nm range based on semiconductor nanostructures with narrow quantum wells”, Quantum Electron., 49:9 (2019), 810–813  isi  scopus]
4. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, “Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  529–534  mathnet [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, “Effect of (Al)GaAs/AlGaAs quantum confinement region parameters on the threshold current density of laser diodes”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 529–534  isi  scopus]
5. А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521  mathnet [A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521  isi  scopus]
6. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, В. А. Стрелец, М. В. Богданович, П. В. Шпак, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492  mathnet [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, V. A. Strelets, M. V. Bogdanovich, P. V. Shpak, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500–1600 nm”, Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492  isi  scopus]
2018
7. М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995  mathnet  elib [M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, Yu. P. Koval', V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, A. V. Lobintsov, V. A. Simakov, “Compact laser diode array based on epitaxially integrated AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995  isi  scopus]
8. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200  isi  scopus]
2017
9. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62”, Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, V. A. Simakov, “Laser diode arrays based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 62”, Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695  isi  scopus]
10. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70”, Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, E. I. Davydova, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, E. B. Ivanova, V. A. Simakov, “Laser diode bars based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 70”, Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293  isi  scopus]
11. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274  isi  scopus]
2016
12. И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450  mathnet  elib [I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450  isi  scopus]
2015
13. А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Беляков, И. В. Ладенков, А. Г. Фефелов, “Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239  mathnet  elib; A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “Stimulated emission at transitions between Wannier–Stark ladders in semiconductor superlattices”, JETP Letters, 102:4 (2015), 207–211  isi  scopus
14. Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. Ю. Чаморовский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в “ближайшем” ИК диапазоне спектра”, Квантовая электроника, 45:8 (2015),  697–700  mathnet  elib [Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. Yu. Chamorovsky, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Semiconductor lasers with a continuous tuning range above 100 nm in the nearest IR spectral region”, Quantum Electron., 45:8 (2015), 697–700  isi  scopus]
2013
15. Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм”, Квантовая электроника, 43:11 (2013),  994–998  mathnet  elib [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Broadband semiconductor optical amplifiers of the spectral range 750 – 1100 nm”, Quantum Electron., 43:11 (2013), 994–998  isi  scopus]
16. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью”, Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897  isi  scopus]
17. П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823  isi  scopus]
18. П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821  isi  scopus]
19. Е. В. Андреева, С. Н. Ильиченко, Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды диапазона 800 – 900 нм с колоколообразной формой спектра”, Квантовая электроника, 43:8 (2013),  751–756  mathnet  elib [E. V. Andreeva, S. N. Il'ichenko, Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes with bell-shaped spectra emitting in the range from 800 to 900 nm”, Quantum Electron., 43:8 (2013), 751–756  isi  scopus]
20. Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511  mathnet  elib [N. S. Degtyareva, S. A. Kondakov, G. T. Mikayelyan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, I. V. Yarotskaya, “High-power cw laser bars of the 750 – 790-nm wavelength range”, Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511  isi  scopus]
21. М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк, В. А. Петровский, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409  mathnet  elib [M. A. Ladugin, Yu. P. Koval', A. A. Marmalyuk, V. A. Petrovskii, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “High-power 850–870-nm pulsed lasers based on heterostructures with narrow and wide waveguides”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 407–409  isi  scopus]
2012
22. С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды “ближайшего” ИК диапазона с шириной спектра 100 нм”, Квантовая электроника, 42:11 (2012),  961–963  mathnet  elib [S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Nearest-IR superluminescent diodes with a 100-nm spectral width”, Quantum Electron., 42:11 (2012), 961–963  isi  scopus]
23. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений”, Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, V. A. Panarin, G. T. Mikaelyan, “Laser diode bars based on strain-compensated AlGaPAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 42:1 (2012), 15–17  isi  scopus]
2011
24. С. Н. Ильченко, Ю. О. Костин, И. А. Кукушкин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм”, Квантовая электроника, 41:8 (2011),  677–680  mathnet  elib [S. N. Il'chenko, Yu. O. Kostin, I. A. Kukushkin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes and semiconductor optical amplifiers for the spectral range 750 — 800 nm”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 677–680  isi  scopus]
2010
25. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699  isi  scopus]
26. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684  isi  scopus]
2009
27. Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726  mathnet  elib [E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726  isi  scopus]
28. Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20  mathnet  elib [E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20  isi]
2008
29. М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, “Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992  mathnet  elib [M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992  isi  scopus]

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019