| Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
|
2019 |
| 1. |
Л. В. Асрян, “Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 522–528   [L. V. Asryan, “Quantum dot lasers with asymmetric barrier layers: Close-to-ideal threshold and power characteristics”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 522–528   ] |
|
2016 |
| 2. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016), 777–781 [Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of a semiconductor quantum-well laser: inclusion of global electroneutrality in the structure”, Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781 ] |
|
2014 |
| 3. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок”, Квантовая электроника, 44:9 (2014), 801–805 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Calculation of output characteristics of semiconductor quantum-well lasers with account for both electrons and holes”, Quantum Electron., 44:9 (2014), 801–805 ] |
|
2013 |
| 4. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 428–432 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of semiconductor lasers under conditions of violation of electroneutrality in quantum wells”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 428–432 ] |
|
2005 |
| 5. |
Л. В. Асрян, “Спонтанная излучательная рекомбинация и безызлучательная оже-рекомбинация в квантоворазмерных гетероструктурах”, Квантовая электроника, 35:12 (2005), 1117–1120 [L. V. Asryan, “Spontaneous radiative recombination and nonradiative Auger recombination in quantum-confined heterostructures”, Quantum Electron., 35:12 (2005), 1117–1120 ] |
|
Пользовательское соглашение