Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Бер Борис Яковлевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 11
Научных статей: 11

Статистика просмотров:
Эта страница:139
Страницы публикаций:425
Полные тексты:272
Списки литературы:23
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person84229
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2012
1. П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012),  943–948  mathnet  elib [P. N. Aruev, M. M. Barysheva, B. Ya. Ber, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, A. Ya. Lopatin, A. E. Pestov, M. V. Petrenko, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V. L. Sukhanov, N. I. Chkhalo, “Silicon photodiode with selective Zr/Si coating for extreme ultraviolet spectral range”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948  isi  scopus]
1992
2. Б. Я. Бер, В. П. Евтихиев, А. Б. Комиссаров, А. О. Косогов, Д. А. Зушинский, “Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As на разориентированных подложках GaAs (100)”, Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  72–76  mathnet  isi
1991
3. Б. Я. Бер, И. Р. Дайнова, В. А. Коробов, М. М. Кулагина, Г. В. Прищепа, В. З. Пятаев, А. Ю. Островский, М. И. Этинберг, “Лазерное формирование омических контактов к арсениду галлия $n$-типа”, Письма в ЖТФ, 17:20 (1991),  74–79  mathnet  isi
1986
4. Б. Я. Бер, Л. А. Кадинский, М. А. Синицын, В. С. Юферев, Б. С. Явич, “Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:2 (1986),  361–366  mathnet  isi
5. Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. П. Улин, “Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga As-Al As$ в процессе жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341  mathnet  isi
1985
6. Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147  mathnet  isi
7. Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов, “Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114  mathnet
8. Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721  mathnet
9. Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, К. Ю. Кижаев, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, “Эпитаксия $In Ga As P/In P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  961–968  mathnet  isi
1984
10. П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
1983
11. Б. Я. Бер, А. Э. Гольберг, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  751–754  mathnet

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022