Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Корольков В И

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 41
Научных статей: 40

Статистика просмотров:
Эта страница:59
Страницы публикаций:811
Полные тексты:467
Списки литературы:38

http://www.mathnet.ru/rus/person84600
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2011
1. В. П. Вейко, В. И. Корольков, А. Г. Полещук, А. Р. Саметов, Е. А. Шахно, М. В. Ярчук, “Исследование пространственного разрешения лазерной термохимической технологии записи дифракционных микроструктур”, Квантовая электроника, 41:7 (2011),  631–636  mathnet  elib [V. P. Veiko, V. I. Korol'kov, A. G. Poleshchuk, A. R. Sametov, E. A. Shakhno, M. V. Yarchuk, “Study of the spatial resolution of laser thermochemical technology for recording diffraction microstructures”, Quantum Electron., 41:7 (2011), 631–636  isi  scopus]
1992
2. Е. А. Аврутин, В. И. Корольков, Н. Ю. Юрлов, А. В. Рожков, А. М. Султанов, “Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  719–724  mathnet
3. В. И. Корольков, А. С. Прохоренко, А. В. Рожков, A. M. Сулатанов, “Исследование стабильности переключения высоковольтных субнаносекундных фотонно-инжекционных коммутаторов”, Письма в ЖТФ, 18:10 (1992),  26–31  mathnet  isi
1991
4. В. И. Корольков, Н. Ю. Орлов, A. B. Рожков, A. M. Султанов, “Динамика излучения суперлюминесцентных светодиодов, выполненных на основе GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 17:15 (1991),  38–40  mathnet
1990
5. X. О. Абдуллаев, В. И. Корольков, М. В. Павловский, Е. В. Руссу, Т. С. Табаров, “Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым $p^{+}$-затвором”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1969–1972  mathnet
6. Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363  mathnet
1989
7. Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, Д. Л. Нугманов, Н. Ю. Орлов, А. В. Рожков, “О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных тиристоров на основе гетероструктуры”, ЖТФ, 59:2 (1989),  156–158  mathnet  isi
8. В. И. Аникин, В. И. Корольков, “Экспериментальное наблюдение волноводной дифракции света на поверхностной акустической волне Сезава”, Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1260–1263  mathnet [V. I. Anikin, V. I. Korol'kov, “Experimental observation of waveguide diffraction of light by Sezawa surface acoustic waves”, Sov J Quantum Electron, 19:6 (1989), 816–818  isi]
1988
9. Ю. А. Акулова, А. А. Яковенко, В. Г. Груздов, Р. А. Гуламов, В. И. Корольков, О. А. Мезрин, “Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1287–1290  mathnet
10. Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  413–418  mathnet
11. Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Б. В. Пушный, Т. С. Таборов, А. С. Усиков, “Кинетика фототока в арсенидгаллиевых структурах со встроенным потенциальным барьером”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1565–1570  mathnet  isi
1987
12. Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, Г. И. Цвилев, “Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного арсенида галлия”, ЖТФ, 57:4 (1987),  771–777  mathnet  isi
13. Ж. И. Алфров, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Электрические и фотоэлектрические свойства $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой в $n^{0}$-области”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  981–983  mathnet
14. Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, М. Игнатавичус, В. И. Корольков, А. Кроткус, В. Поцюнас, Н. М. Шмидт, “Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов электрическим полем”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  70–74  mathnet
15. Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, М. Насруллоева, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, А. Халмирзаев, “Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1270–1274  mathnet  isi
16. Ж. И. Алфёров, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, М. Н. Степанова, “Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093  mathnet  isi
1986
17. Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1897–1900  mathnet
18. Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  677–682  mathnet
19. Ж. И. Алфёров, В. М. Ефанов, Ю. М. Задиранов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной $Ga As-Al Ga As$ гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1281–1285  mathnet  isi
20. Ж. И. Алфёров, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором”, Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  183–186  mathnet  isi
1985
21. В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569  mathnet  isi
22. М. С. Богданович, Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1731–1735  mathnet
23. И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611  mathnet
24. А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, З. П. Добровольскис, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, “Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1460–1463  mathnet
25. Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, В. С. Юферев, “Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  878–884  mathnet
26. В. И. Корольков, В. Н. Красавин, С. И. Пономарев, Г. И. Цвилев, “Использование электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  328–331  mathnet
27. Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  167–169  mathnet
28. Л. А. Волков, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga As$”, Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  800–803  mathnet  isi
29. М. С. Богданович, В. И. Корольков, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, “Высокочувствительный вертикальный полевой фототранзистор на основе $Ga As$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  89–93  mathnet  isi
1984
30. В. И. Корольков, В. И. Литманович, А. В. Рожков, М. Н. Степанова, Т. С. Табаров, “Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом”, ЖТФ, 54:4 (1984),  859–862  mathnet  isi
31. В. И. Корольков, Р. С. Осипова, С. И. Пономарев, М. Н. Степанова, Г. И. Цвилев, “Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных $p{-}n$-структур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2029–2035  mathnet
32. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297  mathnet  isi
33. Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, “Мощные импульсные транзисторы на основе арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  976–979  mathnet  isi
34. В. И. Аникин, С. В. Зайцев, В. И. Корольков, В. М. Шевцов, “Исследование волноводных текстурированных пленок окиси цинка для планарных акустооптических устройств”, Письма в ЖТФ, 10:15 (1984),  922–925  mathnet  isi
1983
35. С. Гайбуллаев, Б. В. Егоров, В. И. Корольков, А. В. Рожков, Е. П. Романова, В. С. Юферев, “Арсенид-галлиевые транзисторы”, ЖТФ, 53:4 (1983),  763–765  mathnet  isi
36. Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных эпитаксиальных слоях GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1953–1956  mathnet
37. В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, А. А. Яковенко, “Исследование транзисторов с оптической связью”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1618–1622  mathnet
38. В. И. Корольков, М. П. Михайлова, “Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых соединений A$^{III}$B$^{V}$”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  569–582  mathnet
39. Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, А. В. Каманин, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519  mathnet
40. Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  652–655  mathnet

2011
41. В. П. Вейко, В. И. Корольков, А. Г. Полещук, А. Р. Саметов, Е. А. Шахно, М. В. Ярчук, “Поправка к статье: Исследование пространственного разрешения лазерной термохимической технологии записи дифракционных микроструктур”, Квантовая электроника, 41:8 (2011),  721  mathnet

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022