RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Козуб Вениамин Иванович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 15
Научных статей: 15

Статистика просмотров:
Эта страница:122
Страницы публикаций:1823
Полные тексты:519
Списки литературы:291
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person58430
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2019
1. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, А. В. Шумилин, “Динамические спиновые явления в сложных структурах на основе ферромагнитных металлов и полупроводников (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 110:7 (2019),  482–492  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, A. V. Shumilin, “Dynamic spin phenomena in complex structures based on ferromagnetic metals and semiconductors (scientific summary)”, JETP Letters, 110:7 (2019), 495–504  isi  scopus
2. П. Г. Баранов, А. М. Калашникова, В. И. Козуб, В. Л. Коренев, Ю. Г. Кусраев, Р. В. Писарев, В. Ф. Сапега, И. А. Акимов, М. Байер, А. В. Щербаков, Д. Р. Яковлев, “Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019),  849–880  mathnet; P. G. Baranov, A. M. Kalashnikova, V. I. Kozub, V. L. Korenev, Yu. G. Kusrayev, R. V. Pisarev, V. F. Sapega, I. A. Akimov, M. Bayer, A. V Scherbakov, D. R. Yakovlev, “Spintronics of semiconductor, metallic, dielectric, and hybrid structures (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 795–822  isi  scopus
2017
3. N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, “Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017),  477–478  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 105:8 (2017), 484–487  isi  scopus
2015
4. N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Ferromagnetism mediated by the upper Hubbard band in selectively doped GaAs/AlGaAs structures”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  250–252  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:4 (2015), 222–225  isi  scopus
2014
5. N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, “Positive magnetoresistance peaked at ferromagnetic transition in Mn-doped quantum wells GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014),  186–193  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 100:3 (2014), 167–173  isi  elib  scopus
2013
6. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, “Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных двумерных структур вблизи перехода металл–диэлектрик”, Письма в ЖЭТФ, 98:5 (2013),  342–350  mathnet  elib; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Features of the conductivity and magnetoresistance of doped two-dimensional structures near a metal-insulator transition”, JETP Letters, 98:5 (2013), 304–311  isi  elib  scopus
2012
7. Y. M. Beltukov, V. I. Kozub, D. A. Parshin, “Diffusion of vibrations in disordered systems”, Письма в ЖЭТФ, 96:9 (2012),  641–645  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 96:9 (2012), 572–576  isi  elib  scopus
2011
8. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  120–124  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Suppression of the virtual anderson transition in the impurity band of doped quantum well structures”, JETP Letters, 94:2 (2011), 116–120  isi  scopus
2009
9. A. N. Poddubnyi, S. V. Goupalov, V. I. Kozub, I. N. Yassievich, “Electron-phonon interaction in non-polar quantum dots induced by the amorphous polar environment”, Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  756–760  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 90:10 (2009), 683–687  isi  scopus
2007
10. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007),  202–207  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Virtual Anderson transition in a narrow impurity band of doped $p$-GaAs/AlGaAs layers”, JETP Letters, 85:3 (2007), 169–173  isi  scopus
2006
11. В. И. Козуб, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, Д. В. Шакура, А. В. Черняев, С. А. Немов, “Переход сверхпроводник-диэлектрик в $\mathrm{(Pb_zSn_{1-z})_{0.84}In_{0.16}Te}$”, Письма в ЖЭТФ, 84:1 (2006),  37–42  mathnet; V. I. Kozub, R. V. Parfen'ev, D. V. Shamshur, D. V. Shakura, A. V. Chernyaev, S. A. Nemov, “Superconductor-insulator transition in (Pb<sub>z</sub>Sn<sub>1−z</sub>)<sub>0.84</sub>In<sub>0.16</sub>Te”, JETP Letters, 84:1 (2006), 35–40  isi  scopus
2005
12. А. В. Кунцевич, Д. А. Князев, В. И. Козуб, В. М. Пудалов, Г. Брунтхалер, Г. Бауер, “Немонотонная температурная зависимость холловского сопротивления 2D системы электронов в Si”, Письма в ЖЭТФ, 81:8 (2005),  502–506  mathnet; A. V. Kuntsevich, D. A. Knyazev, V. I. Kozub, V. M. Pudalov, G. Brunthaler, G. Bauer, “Nonmonotonic temperature dependence of the Hall resistance of a 2D electron system in silicon”, JETP Letters, 81:8 (2005), 409–412  isi  scopus
13. В. И. Козуб, В. М. Кожевин, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Транспорт электронов в монодисперсных наноструктурах металлов”, Письма в ЖЭТФ, 81:5 (2005),  287–291  mathnet; V. I. Kozub, V. M. Kozhevin, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, “Electron transport in monodisperse metal nanostructures”, JETP Letters, 81:5 (2005), 226–230  isi
2004
14. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004),  36–40  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Transition from strong to weak localization in the split-off impurity band in two-dimensional p-GaAs/AlGaAs structures”, JETP Letters, 80:1 (2004), 30–34  scopus
2002
15. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  420–424  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364  scopus

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020