RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Ближайшие семинары
Календарь семинаров
Список семинаров
Архив по годам
Регистрация семинара

Поиск
RSS
Ближайшие семинары





Для просмотра файлов Вам могут потребоваться








Семинар Лаборатории 5 ИППИ РАН «Интегрируемые структуры в статистических и полевых моделях»
9 апреля 2015 г. 14:00, г. Москва, ИППИ РАН, Большой Каретный переулок, 19, стр. 1, ауд.615
 


Индуцированная гравитация в графене и Дираковских полуметаллах. По работам arXiv:1412.2683 и arXiv:1501.04998

М. А. Зубков

Количество просмотров:
Эта страница:190

Аннотация: Графен и Дираковские полуметаллы - это открытые недавно материалы, в которых распространение фермионных квазичастиц описывается лагранжианами (соответственно, 2+1 D и 3+1 D) с эффективной релятивистской инвариантностью. При наличии упругих деформаций фермионные квазичастицы распространяются в присутствии индуцированной гравитации. Эта эффективная гравитация задается полем триады (графен) или тетрады (Дираковский полуметалл), которое выражается нетривиальным образом через тензор упругих деформаций. При этом в графене спиновая связность оказывается равной нулю. Это говорит о том, что возникает геометрия Вайценбока, а не Риманова геометрия (как это предполагалось ранее). В дополнение к эффективной гравитации возникает также абелево эффективное калибровочное поле. Дислокации несут магнитный поток индуцированного магнитного поля и поток поля кручения. Эти два потока могут наблюдаться экспериментально в рассеянии квазичастиц на дислокациях. Соответственно, магнитный поток проявляется в эффекте Ааронова - Бома, а поток кручения - эффекте Стодольского. Кроме того в Дираковском полуметалле в присутствии электрического поля направленного вдоль дислокации возникает киральная аномалия, которая вносит наблюдаемый вклад в проводимость.

ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020