RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Ближайшие семинары
Календарь семинаров
Список семинаров
Архив по годам
Регистрация семинара

Поиск
RSS
Ближайшие семинары






Квантовая физика и квантовая информация
13 октября 2015 г. 11:00, г. Москва, Климентовский пер., д. 1, стр. 1, ауд. 108
 


Резонансное рассеяние электронов на круглом наноотверстии в графене

Ж. А. Девизороваab

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва К-9
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
Материалы:
Adobe PDF 6.6 Mb

Количество просмотров:
Эта страница:174
Материалы:38
Youtube Video:

Ж. А. Девизорова
Фотогалерея





Аннотация: Краевые состояния, которые наблюдались на линейном краю графена, могут также существовать на изогнутом краю. Вычислено транспортное сечение рассеяния электронов на круглом наноотверстии в графене, которое поддерживает краевые состояния. Показано, что зависимость проводимости листа графена с такими наноотверстиями от напряжения на затворе имеет резонансный характер. Положение и высота резонансных пиков определяются глубиной локализации квазистационарных краевых состояний, а ширина - их временем жизни. Амплитуда рассеяния вблизи резонансных энергий сильно асимметрична по долинам. Оценено влияние рипплов, неоднородности граничного параметра и кулоновских эффектов на краевые состояния и показано, что эти эффекты не влияют на существование резонансов, но могут существенно изменить их положение, высоту и ширину. Локальная плотность состояний вблизи наноотверстия также демонстрирует резонансную зависимость от напряжения на затворе.

Материалы: devizorova_qpqi_oct_13_2015.pdf (6.6 Mb)

ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021