RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Ближайшие семинары
Календарь семинаров
Список семинаров
Архив по годам
Регистрация семинара

Поиск
RSS
Ближайшие семинары





Для просмотра файлов Вам могут потребоваться








Дифференциальная геометрия и приложения
7 октября 2013 г. 16:45, г. Москва, ГЗ МГУ, ауд. 16-10
 


Геометрия и динамика картановых слоений

Н. И. Жукова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, механико-математический факультет

Количество просмотров:
Эта страница:191

Аннотация: Исследование картановых слоений, то есть слоений, допускающих трансверсальную картанову геометрию, мотивируется тем, что эти слоения включают в себя обширные классы слоений с трансверсальными геометрическими структурами, такие как: римановы, псевдоримановы, конформные, проективные, трансверсально однородные, а также слоения с трансверсальной линейной связностью.
Проблемы существования и строения минимальных множеств слоений занимают центральное место в геометрической теории слоений. Эти проблемы рассматриваются в классе картановых слоений. При этом развивается метод Молино и Камбера–Тондеура слоеных расслоений. С помощью слоеных расслоений с каждым картановым слоением $(M,F)$ ассоциируется некоторое слоение с особенностями, названное ореольным, а его слои — ореолами. С применением ореольных слоений задачи существования и строения минимальных множеств картановых слоений $(M,F)$ сводятся к аналогичным задачам для действий групп Ли.
Обсуждаются вопросы существования и строения аттракторов для конформных слоений, не являющихся римановыми. Дается описание строения полных неримановых конформных слоений коразмерности $q\geq3$.
Указываются достаточные условия для того, чтобы группа базовых автоморфизмов картанова слоения допускала структуру конечномерной группы Ли.

ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018