RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Ближайшие семинары
Календарь семинаров
Список семинаров
Архив по годам
Регистрация семинара

Поиск
RSS
Ближайшие семинары





Для просмотра файлов Вам могут потребоваться








Квантовая физика и квантовая информация
2 июня 2015 г. 11:00, г. Москва, Климентовский пер., д. 1, стр. 1, ауд. 108
 


Резонансно-туннельное усиление плазмонов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах

Д.А. Свинцовab

a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
b Физико-технологический институт РАН, г. Москва
Материалы:
Adobe PDF 2.3 Mb

Количество просмотров:
Эта страница:209
Материалы:80
Youtube Video:

Д.А. Свинцов
Фотогалерея





Аннотация: Гетероструктуры, состоящие из параллельных слоев графена, разделенных тонким слоям диэлектрика, являются ключевыми компонентами новых электронных приборов: оптических и плазмонных модуляторов, транзисторов и фотодетекторов. При небольших толщинах диэлектриков ( 3 нм) возможно резонансное туннелирование электронов между слоями графена. В докладе будет показано, что данная структура может являться активной средой для плазмонов, аналогично квантовому каскадному лазеру на основе сверхрешеток. Расчет коэффициентов усиления плазмонов, распространяющихся по волноводу, составленному из двух слоев графена, демонстрирует возможность превышения усиления над поглощением, связанным с межзонными и внутризонными переходами в графене. На зависимости коэффициента усиления плазмонов от частоты наблюдается резонанс, связанный с сильным взаимодействием между электронами с параллельными направлениями импульса в соседних слоях графена.

Материалы: svintsov_june_02_2015.pdf (2.3 Mb)

ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021