RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Двуреченский Анатолий Васильевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 34
Научных статей: 34

Статистика просмотров:
Эта страница:233
Страницы публикаций:2744
Полные тексты:624
Списки литературы:440
член-корреспондент РАН
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person56416
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Локализация поверхностных плазмонных волн в гибридных фотодетекторах с металлическими субволновыми решетками
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 108:6 (2018),  399–403
2. Эффект Холла в прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек
Н. П. Степина, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 106:5 (2017),  288–292
3. Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017),  419–423
4. Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848
5. Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016),  507–511
6. Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots
A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii
Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015),  678–682
7. Температурно-стимулированный переход от макро- к мезоскопическому поведению прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек
Н. П. Степина, И. А. Верхушин, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  344–347
8. Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots
A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Nenashev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii
Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015),  120–124
9. Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015),  846–850
10. Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping
N. P. Stepina, V. V. Valkovskii, Yu. M. Гальперин, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii
Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015),  24–28
11. Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014),  99–103
12. Influence of optical phonon confinement on two-phonon capture processes in quantum dots
A. L. Vartanian, V. N. Mughnetsyan, K. A. Vardanyan, A. V. Dvurechenskii, A. A. Kirakosyan
Уч. записки ЕГУ, сер. Физика и Математика, 2014, № 2,  50–53
13. Задача оптимального управления в системе полупроводниковых квантовых точек
А. Ю. Горнов, А. В. Двуреченский, Т. С. Зароднюк, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев
Автомат. и телемех., 2011, № 6,  108–114
14. Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810
15. Вычислительная технология оптимизации двумерного управляющего импульса напряжения в системе квантовых точек
А. Ю. Горнов, А. В. Двуреченский, Т. С. Зароднюк, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев
Программные системы: теория и приложения, 2:1 (2011),  27–38
16. Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots
A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii
Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  43–46
17. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  621–625
18. Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  549–552
19. Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si
А. И. Якимов, Г. Ю. Михалёв, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007),  527–532
20. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев
Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  189–194
21. Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках
А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский
Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  336–340
22. Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, Г. Ю. Михалев
Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  367–371
23. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов
Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415
24. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si
Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров
Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081
25. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек
А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, М. Н. Тимонова
Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003),  276–280
26. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин
Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449
27. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский
Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  113–117
28. Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si
А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина
Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001),  296–299
29. Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров
Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001),  598–600
30. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками
А. В. Двуреченский, А. И. Якимов
УФН, 171:12 (2001),  1371–1373
31. Спектральная излучательная способность пирографита в инфракрасной области при высоких температурах
А. В. Двуреченский, К. С. Мухамедьяров, В. А. Петров, В. Ю. Резник
ТВТ, 17:5 (1979),  988–991
32. Спектральный коэффициент поглощения кварцевых стекол в области их полупрозрачности при высоких температурах
А. В. Двуреченский, А. В. Петров, В. Ю. Резник
ТВТ, 17:1 (1979),  58–62
33. Экспериментальное исследование спектральной излучательной способности кварцевого стекла при высоких температурах
А. В. Двуреченский, В. А. Петров, В. Ю. Резник
ТВТ, 16:4 (1978),  749–754
34. Температурная зависимость спектральной излучательной способности кварцевых стекол марки КИ и КСГ в ИК-области (№ 706–78 Деп. от 6 III 1978)
А. В. Двуреченский, В. А. Петров, В. Ю. Резник
ТВТ, 16:3 (1978),  665

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019