RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
 
Еремеев С В

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 16
Научных статей: 16

Статистика просмотров:
Эта страница:214
Страницы публикаций:4710
Полные тексты:1331
Списки литературы:479
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person57027
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
2019
1. С. Д. Борисова, Г. Г. Русина, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков, “Магнитные свойства тримеров тяжелых $p$-элементов IV–VI групп”, Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019),  190–196  mathnet  elib; S. D. Borisova, G. G. Rusina, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “Magnetic properties of trimers of heavy $p$-elements of groups IV–VI”, JETP Letters, 110:3 (2019), 211–216  isi  scopus
2016
2. С. Д. Борисова, Г. Г. Русина, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков, “Димеры тяжелых $p$-элементов IV–VI групп: электронные, вибрационные и магнитные свойства”, Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016),  533–538  mathnet  elib; S. D. Borisova, G. G. Rusina, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “Dimers of heavy $p$-elements of groups IV-VI: Electronic, vibrational, and magnetic properties”, JETP Letters, 103:7 (2016), 471–475  isi  scopus
2012
3. S. V. Eremeev, I. V. Silkin, T. V. Men'shikova, A. P. Protogenov, E. V. Chulkov, “New topological surface state in layered topological insulators: unoccupied Dirac cone”, Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012),  870–874  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 96:12 (2012), 780–784  isi  scopus
4. M. M. Otrokov, S. D. Borisova, V. Chis, M. G. Vergniory, S. V. Eremeev, V. M. Kuznetsov, E. V. Chulkov, “Efficient step-mediated intercalation of silver atoms deposited on the Bi$_{2}$Se$_{3}$ surface”, Письма в ЖЭТФ, 96:11 (2012),  799–803  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 96:11 (2012), 714–718  isi  elib  scopus
5. S. V. Eremeev, I. A. Nechaev, E. V. Chulkov, “Giant Rashba-type spin splitting at polar surfaces of BiTeI”, Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012),  484–491  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 96:7 (2012), 437–444  isi  elib  scopus
6. И. В. Силкин, Т. В. Меньщикова, М. М. Отроков, С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, M. G. Vergniory, В. М. Кузнецов, Е. В. Чулков, “Природные серосодержащие минералы как топологические изоляторы с широкой запрещенной щелью”, Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012),  352–356  mathnet  elib; I. V. Silkin, T. V. Menshchikova, M. M. Otrokov, S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, M. G. Vergniory, V. M. Kuznetsov, E. V. Chulkov, “Natural sulfur-containing minerals as topological insulators with a wide band gap”, JETP Letters, 96:5 (2012), 322–325  isi  elib  scopus
7. M. G. Vergniory, T. V. Men'shikova, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012),  230–235  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 95:4 (2012), 213–218  isi  elib  scopus
2011
8. И. В. Силкин, Ю. М. Коротеев, С. В. Еремеев, Г. Бильмайер, Е. В. Чулков, “Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$ и Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$”, Письма в ЖЭТФ, 94:3 (2011),  234–239  mathnet; I. V. Silkin, Yu. M. Koroteev, S. V. Eremeev, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, “Three- and two-dimensional topological insulators in Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$, and Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$ layered compounds”, JETP Letters, 94:3 (2011), 217–221  isi  scopus
9. Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков, “О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  110–115  mathnet; T. V. Menshchikova, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “On the origin of two-dimensional electron gas states at the surface of topological insulators”, JETP Letters, 94:2 (2011), 106–111  isi  scopus
10. О. Е. Терещенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  647–652  mathnet; O. E. Tereshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “Surfactant properties of cesium in molecular beam epitaxy of GaAs(100)”, JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590  isi  scopus
11. Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, В. М. Кузнецов, Е. В. Чулков, “Тройные соединения на основе бинарных топологических изоляторов как эффективный способ модификации конуса Дирака”, Письма в ЖЭТФ, 93:1 (2011),  18–23  mathnet; T. V. Menshchikova, S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, V. M. Kuznetsov, E. V. Chulkov, “Ternary compounds based on binary topological insulators as an efficient way for modifying the Dirac cone”, JETP Letters, 93:1 (2011), 15–20  isi  scopus
2010
12. С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$”, Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010),  183–188  mathnet; S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, E. V. Chulkov, “On possible deep subsurface states in topological insulators: The PbBi$_4$Te$_7$ system”, JETP Letters, 92:3 (2010), 161–165  isi  scopus
13. С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI$_2$) – новый класс трехмерных топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  664–668  mathnet; S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, E. V. Chulkov, “Ternary thallium-based semimetal chalcogenides Tl-V-VI<sub>2</sub> as a new class of three-dimensional topological insulators”, JETP Letters, 91:11 (2010), 594–598  isi  scopus
14. О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  511–516  mathnet; O. E. Tereshchenko, S. V. Eremeev, A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Reconstruction dependence of the etching and passivation of the GaAs(001) surface”, JETP Letters, 91:9 (2010), 466–470  isi  scopus
15. С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах $A^V_2 B^{VI_3}$”, Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010),  419–423  mathnet; S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, E. V. Chulkov, “Effect of the atomic composition of the surface on the electron surface states in topological insulators A <sub>2</sub><sup>V</sup> B <sub>3</sub><sup>VI</sup>”, JETP Letters, 91:8 (2010), 387–391  isi  scopus
2009
16. О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 89:4 (2009),  209–214  mathnet; O. E. Tereshchenko, K. V. Toropetskiy, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “New Ga-enriched reconstructions on the GaAs(001) surface”, JETP Letters, 89:4 (2009), 185–190  isi  scopus

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020