|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
М. В. Стриха, “Механизм антигистерезисного поведения
сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика
Pb(Zr$_x$Ti$_{1-x}$)O$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012), 216–218   ; M. V. Strikha, “Mechanism of the antihysteresis behavior of the resistivity of graphene on a Pb(Zr$_x$Ti$_{1-x}$)O$_3$ ferroelectric substrate”, JETP Letters, 95:4 (2012), 198–200   |
15
|
| 2. |
С. Г. Гасан-заде, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, “Обнаружение третьего уровня $(A^+)$ вакансии ртути в Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 905–909 ; S. G. Gassan-zade, M. V. Strikha, G. A. Shepel'skii, “Evidence of the third $(A^+)$ level of the mercury vacancy in Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te”, Semiconductors, 46:7 (2012), 882–886 |
|
2001 |
| 3. |
С. Г. Гасан-заде, С. В. Старый, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, В. А. Бойко, “Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 561–564 ; S. G. Gassan-zade, S. V. Staryi, M. V. Strikha, G. A. Shepel'skii, V. A. Boǐko, “Elastic state of stress in narrow-gap semiconductors: A fundamental possibility to increase the quantum yield of infrared radiation”, JETP Letters, 73:9 (2001), 495–497 |
|
1990 |
| 4. |
Ф. Т. Васько, М. В. Стриха, “Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом
полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1227–1233 |
|
1988 |
| 5. |
В. А. Авраменко, М. В. Стриха, “Ударная ионизация в дырочном антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1117–1119 |
|
1986 |
| 6. |
В. А. Авраменко, М. В. Стриха, “Ударная ионизация в антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1835–1840 |
| 7. |
М. В. Стриха, “Оже-рекомбинация дырок через глубокий акцептор в GaSb $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 942–944 |
|
1985 |
| 8. |
В. А. Авраменко, Ю. Г. Рубо, М. В. Стриха, И. Н. Яссиевич, “К вопросу о примесной Оже-рекомбинации”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2313–2319 |
| 9. |
М. В. Стриха, И. Н. Яссиевич, “Оже-рекомбинация через доноры”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1715–1717 |
| 10. |
М. В. Стриха, “Примесная оже-рекомбинация в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 697–702 |
|
1984 |
| 11. |
М. В. Стриха, “Оже-рекомбинация дырок через глубокие доноры в
InSb $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 441–445 |
| 12. |
М. В. Стриха, И. Н. Яссиевич, “Ударная рекомбинация электронов через глубокие и мелкие акцепторы
в полупроводниках $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 43–48 |
|
Обратная связь: