|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1991 |
| 1. |
B. I. Sysoev, V. F. Antyushin, M. M. Kipnis, “Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью
по обогащенному слою”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991), 708–712  |
|
1988 |
| 2. |
B. I. Sysoev, E. V. Rudnev, V. F. Antyushin, “Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре
с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1871–1873 |
| 3. |
V. F. Antyushin, B. I. Sysoev, “Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое
резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988), 902–905 |
|
1987 |
| 4. |
B. I. Sysoev, V. F. Antyushin, E. V. Rudnev, V. D. Strygin, “Evaluation of Electron Surface Mobility in the Heterostructure of Gallium Arsenide–Semiconductor with Stoichiometric Vacancies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987), 1310–1312 |
|
1986 |
| 5. |
B. I. Sysoev, V. F. Antyushin, V. D. Strygin, V. N. Morgunov, “GALLIUM-ARSENIDE INSULATION COVERING”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986), 913–915 |
|
1984 |
| 6. |
V. I. Sysoev, V. F. Antyushin, V. D. Strygin, “Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых
структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1739–1743 |
|
| Organisations |
|
|
