Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Klochkov, Aleksei Nikolaevich
Candidate of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person183451
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, P. M. Kovaleva, K. A. Kuznetsov, “THz emission from (100)- and (111)A-oriented multiple pseudomorphic quantum wells $\{\mathrm{InGaAs/InAlAs}\}$”, Optics and Spectroscopy, 133:3 (2025),  221–231  mathnet  elib
2. E. A. Klimov, A. N. Vinichenko, I. S. Vasil'evskii, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, I. D. Burlakov, “Temperature influence on the crystal structure of CdTe(111) films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(100) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:3 (2025),  141–149  mathnet
2024
3. E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. M. Solyankin, A. S. Sinko, A. Yu. Pavlov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, “Generation of THz radiation by (100), (110), and (111)A-oriented multiple pseudomorphic InGaAs/GaAs quantum wells and photoconductive antennas”, Kvantovaya Elektronika, 54:1 (2024),  43–50  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 4 (2024), S316–S325] 1
2021
4. R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, D. S. Ponomarev, R. R. Galiev, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. N. Klochkov, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “3.3 THz quantum cascade laser based on a three GaAs/AlGaAs quantum-well active module with an operating temperature above 120 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  989–994  mathnet  elib 1
2020
5. A. N. Klochkov, E. A. Klimov, P. M. Solyankin, M. R. Konnikova, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. P. Shkurinov, G. B. Galiev, “Thz radiation of photoconductive antennas based on $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ superlattice structures”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020),  1004–1011  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017 5
6. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020),  877–884  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 1
7. G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1203–1210  mathnet  elib; Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 3
2019
8. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, V. B. Kopylov, S. S. Pushkarev, “Electrical and photoluminescence studies of $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ superlattices grown by MBE on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  258–266  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254 2
2018
9. D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. N. Klochkov, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, “Ultrafast dynamics of photoexcited charge carriers in In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As superlattices under femtosecond laser excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  723–728  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 864–869 5
10. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  395–401  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 7
2017
11. G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:6 (2017),  792–797  mathnet  elib; Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765
12. R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. N. Klochkov, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, A. A. Zaitsev, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, Zh. I. Alferov, “Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:4 (2017),  540–546  mathnet  elib; Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519 15
13. G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  322–330  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 16
2015
14. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:9 (2015),  1243–1253  mathnet  elib; Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 5
15. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  241–248  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 12
2014
16. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:7 (2014),  909–916  mathnet  elib; Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 4
17. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic heterostructures on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:5 (2014),  658–666  mathnet  elib; Semiconductors, 48:5 (2014), 640–648 9
18. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev, “Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As HEMT nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:1 (2014),  67–72  mathnet  elib; Semiconductors, 48:1 (2014), 63–68 1

Organisations