Плотность дислокаций в кристаллах LiF, деформированных в интервале температур 4.2$-$300 K

Методом избирательного травления изучена дислокационная структура кристаллов LiF, деформированных в интервале температур 4.2$-$300 K. Найдены зависимости параметров дислокационной структуры от напряжений течения, которые существенно возрастают с понижением температуры деформации. Установлено, что плотности винтовых и краевых компонент дислокаций в полосах скольжения на пределе текучести увеличиваются с напряжениями линейно; средняя длина пробега винтовых дислокаций обратно пропорциональна напряжениям, а вероятность поперечного скольжения этих дислокаций пропорциональна квадрату напряжений. Делается вывод, что механизмы, определяющие эволюцию дислокационной структуры деформируемых кристаллов при переходе к весьма низким температурам качественно не изменяются.