Выход фотоэлектронов в вакуум из GaAs с рассеянием энергии в процессе туннелирования через потенциальный барьер, образованный активирующим слоем

Предложена модель фотоэмиссии электронов (ФЭ) с поверхности GaAs, активированной Cs и О, согласно которой основные потери энергии электронов происходят в активирующем слое (АС) на длине около трех монослоев. При этом большое влияние на свойства ФЭ оказывает потенциальный барьер в АС, через который электроны туннелируют с одновременным возбуждением дипольных оптических колебаний. На основе модели объяснены полученные экспериментальные данные: двухстадийное активирование и обнаруженное инверсное перераспределение ФЭ после него, энергетическое распределение электронов, деградация ФЭ, зависимость вероятности выхода электронов от состояния поверхности, а не от объемных свойств образцов.