Моделирование взаимодействия точечных дефектов с краевой дислокацией в нагруженных кристаллах и оценки скорости радиационной ползучести

Методами машинного моделирования на атомарном уровне изучены реакции взаимодействия точечных дефектов с ядром краевой дислокации 1/2 $\langle111\rangle$ $\{110\}$ в кристалле $\alpha$-Fe, находящемся под воздействием внешнего одноосного напряжения. При уровне внешнего напряжения, обусловливающем деформацию образца на 0.1%, выявлено влияние ориентировки этого напряжения на энергии взаимодействия точечных дефектов с дислокацией. Показано, что форма и размеры зоны спонтанного захвата точечных дефектов дислокаций не изменились. На основании полученных результатов сделаны оценки скорости радиационной ползучести.